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最新专利技术
  • 氮化硅陶瓷基板及制备方法、金属化基板、半导体器件
    氮化硅陶瓷基板及制备方法、金属化基板、半导体器件_福建晶安光电有限公司_202511783464.9
    本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种氮化硅陶瓷基板及制备方法、金属化基板、半导体器件。该氮化硅陶瓷基板的表面分布有氮化硅晶粒，氮化硅晶粒中包含完整氮化硅晶粒；在氮化硅陶瓷基板表面选取的的观测区域内，完整的氮化硅晶粒的数量占该观测区域内...
    2026-04-24
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_瑞萨电子株式会社_202511397229.8
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。提供了能够抑制半导体芯片的凸块和布线衬底的连接盘之间的键合缺陷的半导体器件。半导体器件包括半导体芯片。半导体芯片包括半导体衬底、布线层、保护膜、第一凸块和第二凸块。布线层被形成在半导体衬底上，并且具有第一键...
    2026-04-24
  • 半导体封装件
    半导体封装件_三星电子株式会社_202511304222.7
    一种半导体封装件包括：第一半导体芯片，包括第一半导体基底和穿过第一半导体基底的多个第一贯穿电极；多个第二半导体芯片，各自包括第二半导体基底和穿过第二半导体基底的多个第二贯穿电极，所述多个第二半导体芯片堆叠在第一半导体芯片上；多个接合垫，设置...
    2026-04-24
  • 一种叠层封装模块
    一种叠层封装模块_赵振涛_202211458544.3
    一种叠层封装模块，包括电路板框、上层电路板和下层电路板，各板层通过焊盘焊接成一体；还包括两个或多于两个的一组晶圆，两个或多于两个的一组晶圆的底面焊盘焊接于下层电路板顶层线路层上，与下层电路板顶层线路层上的一组焊盘对应连接，居于电路板框、上层...
    2026-04-24
  • 一种用于星载相控阵的三维集成微系统
    一种用于星载相控阵的三维集成微系统_浙江大学_202610297916.0
    本发明提供一种用于星载相控阵的三维集成微系统，通过将多种无源器件高密度集成于转接板上，构成一体化集成结构，实现了无源器件的高度集成，实现星载数字相控阵的小型化、轻量化、低成本和高性能需求展。并通过优化多层转接板的器件布局与互连路径，结合转接...
    2026-04-24
  • 一种基于转接基板立体堆叠的POP封装结构及制作方法
    一种基于转接基板立体堆叠的POP封装结构及制作方法_成都天奥电子股份有限公司_202610043748.2
    本发明提供了一种基于转接基板立体堆叠的POP封装结构及制作方法，POP封装结构包括上层封装体和下层封装体；下层封装体包括基板、下层芯片、转接基板、塑封体和金属柱。本发明通过在下层封装体内引入固定于下层芯片上方的转接基板，实现了下层封装体在垂...
    2026-04-24
  • 晶圆级芯片封装结构、电子设备
    晶圆级芯片封装结构、电子设备_清华大学_202511911080.0
    本申请的实施例提供了一种晶圆级芯片封装结构、电子设备，涉及半导体领域，旨在提高芯片间的传输性能。该晶圆级芯片封装结构包括转接板和晶圆级芯片。转接板包括层叠设置的第一重布线层和第二重布线层，第一重布线层包括光互连通道，第二重布线层包括电互连通...
    2026-04-24
  • 晶圆级芯片封装结构及电子设备
    晶圆级芯片封装结构及电子设备_清华大学_202511911078.3
    本申请提供了一种晶圆级芯片封装结构及电子设备，涉及半导体领域，旨在旨在改善晶圆中的电信号在物理距离较远时面临带宽密度低、信号完整性差、传输延时长等问题。该晶圆级芯片封装结构包括转接板和晶圆级芯片。转接板包括层叠设置的第一重布线层和第二重布线...
    2026-04-24
  • 封装结构及其制备方法和电子设备
    封装结构及其制备方法和电子设备_中国科学院微电子研究所_202511748556.3
    本申请公开了一种封装结构及其制备方法和电子设备，封装结构包括：电路板；有机基板设于电路板并与电路板电连接，有机基板背离于电路板的一侧设置有第一凹槽；局部连接组件嵌入至有机基板并与有机基板电连接，局部连接组件包括玻璃基材和形成于玻璃基材上的重...
    2026-04-24
  • 一种基于叠层铜夹互连的功率模块封装结构
    一种基于叠层铜夹互连的功率模块封装结构_重庆邮电大学_202610039297.5
    本发明涉及一种基于叠层铜夹互连的功率模块封装结构，属于功率模块封装技术领域。其包括绝缘基板、金属层、功率端子、信号端子、铜夹和芯片。其中，金属层设置在绝缘基板表面，功率端子、信号端子、铜夹和芯片均设置在绝缘基板上且与金属层电连接。芯片采用左...
    2026-04-24
  • 半导体器件和引线框
    半导体器件和引线框_罗姆股份有限公司_202511978280.8
    本发明提供一种半导体器件和引线框，能够实现半导体器件的适当的动作，并且提高树脂部与引线的密接性。包括半导体元件(1)、具有第1焊盘部(21)的第1引线(2)、具有第2焊盘部(31)的第2引线(3)、导通部件(61)和树脂部(8)，第1焊盘部...
    2026-04-24
  • 瞬态电压抑制器件
    瞬态电压抑制器件_苏州锝耀电子有限公司_202511240749.8
    本发明公开一种瞬态电压抑制器件，包括：位于环氧封装体内的第一引线条、第二引线条和2个在竖直方向上叠置的瞬态二极管芯片，位于上方的瞬态二极管芯片的负极与位于下方的瞬态二极管芯片的负极之间设置有一铜片，此铜片上间隔地开有若干个通孔，所述铜片的2...
    2026-04-24
  • 半导体封装及方法
    半导体封装及方法_半导体元件工业有限责任公司_202411742068.7
    本公开涉及半导体封装及方法。一种封装包括半导体管芯，该半导体管芯设置在引线框架上。源极接触焊盘设置在半导体管芯上。该封装还包括引线柱，该引线柱由形成封装的外部端子的多根引线共享。引线柱具有线夹锁定特征部。线夹将源极接触焊盘连接到引线柱。线夹...
    2026-04-24
  • 一种供电基板结构及其制备方法
    一种供电基板结构及其制备方法_合肥沛顿存储科技有限公司_202610289050.9
    本发明提供一种供电基板结构及其制备方法，包括在第一载体表面涂覆剥离层；制作呈蛇形布置的第一塑封体；在第一塑封体上开孔形成贯穿第一塑封体的模塑通孔并填充导电材料；在第一载体上的预留区域贴装功能器件；第二次封装模塑形成第二塑封体，第二塑封体覆盖...
    2026-04-24
  • 一种半导体芯片制造基板处理设备
    一种半导体芯片制造基板处理设备_苏州中瑞宏芯半导体有限公司_202610045763.0
    本发明公开了一种半导体芯片制造基板处理设备，包括清洗箱，和位于清洗箱内的芯板承载机构，所述芯板承载机构包括托板，和与托板滑动连接的第一固定板，所述第一固定板顶面与第二固定板固定粘接，所述第二固定板顶面铰接有承载板，所述第一固定板和第二固定板...
    2026-04-24
  • 一种DPC陶瓷基板通孔填孔的方法
    一种DPC陶瓷基板通孔填孔的方法_黄山芯微电子股份有限公司_202512048024.5
    本发明公开了一种DPC陶瓷基板通孔填孔的方法，包括以下步骤：S1. 激光钻孔：采用激光在陶瓷基板上钻取通孔，所述激光的参数被配置为使所述通孔的内壁形成微观粗糙面；S2. 清洗：对带有通孔的陶瓷基板进行清洗；S3. 活化与形成金属过渡层：对清...
    2026-04-24
  • 一种基于ETS流程引线回蚀的制作方法及封装基板
    一种基于ETS流程引线回蚀的制作方法及封装基板_武汉新创元半导体有限公司_202512036578.3
    本发明公开了一种基于ETS流程引线回蚀的制作方法及封装基板，其中方法包括：在可分离芯板的金属底面上形成金属合金层；在所述金属合金层上制作嵌入式迹线层图形，所述嵌入式迹线层图形包含功能图形和引线图形；对所述引线图形进行蚀刻，使其厚度低于功能图...
    2026-04-24
  • 一种互连结构中微孔的填充工艺及其填充设备
    一种互连结构中微孔的填充工艺及其填充设备_广东工业大学_202511995837.9
    本发明属于电子材料与微电子封装技术领域，尤其涉及一种互连结构中微孔的填充工艺及其填充设备，包括以下步骤：A.制备核壳微胶囊；其中，所述核壳微胶囊包括由内至外依次设置的液态金属内核和导电外壳层，且所述液态金属内核的原料包括熔点小于30℃的液态...
    2026-04-24
  • 一种集成电路通孔的垂直互连工艺
    一种集成电路通孔的垂直互连工艺_广东工业大学_202511995835.X
    本发明公开了一种集成电路通孔的垂直互连工艺，步骤包括制备导电浆料、填充贯穿孔、通电致密化、干燥和保温。所述集成电路通孔的垂直互连工艺采用导电探针通电的方式，使导电浆料在低温条件下同时受到电水力空泡效应与脉冲焦耳热作用，实现了在较低温度条件下...
    2026-04-24
  • 一种铜系LTCC基板的高平整度围框焊接区的制作方法
    一种铜系LTCC基板的高平整度围框焊接区的制作方法_西安空间无线电技术研究所_202511977498.1
    本发明提供了一种铜系LTCC基板的高平整度围框焊接区的制作方法，包括：步骤一，内嵌铜浆料：在生瓷带叠层中的预定围框焊接区域位置，内嵌铜浆料，形成与围框焊接区域形状一致的嵌入式铜结构。步骤二，层压与低温共烧：将经过步骤一内嵌铜浆料的生瓷带叠层...
    2026-04-24
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