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最新专利技术
  • 一种铜系LTCC基板的高平整度围框焊接区的制作方法
    一种铜系LTCC基板的高平整度围框焊接区的制作方法_西安空间无线电技术研究所_202511977498.1
    本发明提供了一种铜系LTCC基板的高平整度围框焊接区的制作方法，包括：步骤一，内嵌铜浆料：在生瓷带叠层中的预定围框焊接区域位置，内嵌铜浆料，形成与围框焊接区域形状一致的嵌入式铜结构。步骤二，层压与低温共烧：将经过步骤一内嵌铜浆料的生瓷带叠层...
    2026-04-25
  • 一种转接板及其制备方法、处理器及其制备方法
    一种转接板及其制备方法、处理器及其制备方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511718763.4
    本发明提供一种转接板及其制备方法、处理器及其制备方法，所述转接板的制备方法包括：基于第一基片制备第一组件，所述第一组件包括微流道结构和填充在所述微流道结构中的超导金属；基于第二基片制备第二组件，第二组件包括盲孔；在真空环境下基于微流道结构与...
    2026-04-25
  • 半导体结构的制造方法及半导体结构
    半导体结构的制造方法及半导体结构_华润润安科技(重庆)有限公司_202411389195.3
    本申请提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构。所述制造方法包括：形成第一中间结构和第二中间结构；第一中间结构包括第一载板、位于第一载板一侧的第一电气元件、包封第一电气元件的第一塑封层及导电柱；第二中间结构包括第二载板及贴装在第二载板一侧的...
    2026-04-25
  • 半导体元件
    半导体元件_福建省晋华集成电路有限公司_202511743024.0
    本发明公开了一种半导体元件，包括衬底；第一介质层，位于衬底上；第一互连结构及对准结构，位于第一介质层中；第二介质层，位于第一介质层上，物理性接触对准结构的顶面及部分侧壁和第一介质层的顶面；以及第二互连结构，位于第二介质层中并直接接触第一互连...
    2026-04-25
  • 一种具有新型高效回水结构的芯片散热均热板
    一种具有新型高效回水结构的芯片散热均热板_华南理工大学_202610256440.6
    本发明公开了一种具有新型高效回水结构的芯片散热均热板，属于散热设备技术领域，该均热板包括受热板、散热板和复合吸液芯，受热板中心设有用于接触热源的下沉式凹槽；散热板为与受热板焊接连接的平板状散热板；受热板与散热板正对设置，共同形成一密闭腔室，...
    2026-04-25
  • 芯片封装结构及晶圆
    芯片封装结构及晶圆_上海芯联芯智能科技有限公司_202610303437.5
    本申请涉及一种芯片封装结构及晶圆；该芯片封装结构包括堆叠设置的第一芯片单元和第二芯片单元；第一芯片单元接触第二芯片单元的一面开设有第一沟槽，第二芯片单元接触第一芯片单元的一面开设有第二沟槽；第一沟槽与第二沟槽配合形成散热液体流通道，散热液体...
    2026-04-25
  • 一种基于液态金属的多层梯度阵列射流微通道结构
    一种基于液态金属的多层梯度阵列射流微通道结构_桂林电子科技大学_202610044172.1
    本发明涉及到了一种基于液态金属的射流微通道多层阵列梯度结构，主要是使用多层梯度阵列结构改善射流散热器散热的温度均匀性。结构包括流质进出口，流质腔室，射流孔，圆柱形针鳍，矩形肋片，陶瓷基底。射流孔层布置有密集的射流孔梯度阵列，从里向外射流孔的...
    2026-04-25
  • 一种芯片冷却装置
    一种芯片冷却装置_中国第一汽车股份有限公司_202512014195.6
    本发明涉及车辆芯片制造技术领域，尤其涉及一种芯片冷却装置，芯片冷却装置的结构包括箱体；多个波浪板，设置在所述箱体内，多个所述波浪板在竖直方向上分层设置，相邻的两层所述波浪板之间夹设形成有进水流道或出水流道，所述进水流道与所述出水流道位于不同...
    2026-04-25
  • 一种高集成电子器件微通道散热器
    一种高集成电子器件微通道散热器_南京工业大学_202511838746.4
    本发明提供一种高集成电子器件微通道散热器，包括仿生鱼鳞型微通道结构、气液分离膜、微通道散热装置保护壳、插入式液体挡板、丝杠控制插销和支撑插销；所述仿生鱼鳞型微通道结构采用半包覆式结构贴附于芯片上侧；所述气液分离膜设置于微通道结构顶部，并与微...
    2026-04-25
  • 一种功率模块控制系统及控制方法
    一种功率模块控制系统及控制方法_桂林电子科技大学_202610044701.8
    本申请属于功率模块控制技术领域，公开一种功率模块控制系统及控制方法，通过在功率模块中集成TEC散热器，由散热基板通过下表面对外散热，同时由TEC散热器通过上表面对外散热，提高散热效率；更关键在于，利用MCU模块控制TEC散热器先于每个MOS...
    2026-04-25
  • 一种基于界面纳米绒化的铜合金均热板及低温扩散焊方法
    一种基于界面纳米绒化的铜合金均热板及低温扩散焊方法_陕西斯瑞铜合金创新中心有限公司_202512017234.8
    本发明公开了一种基于界面纳米绒化的铜合金均热板及低温扩散焊方法，均热板包括通过低温扩散焊连接的上盖板和下盖板，二者围成内含毛细结构和工作流体的真空腔体，在焊接界面处具有一个纳米绒层经互嵌、扩散和再结晶形成的纳米互锁过渡区。方法包括以下步骤：...
    2026-04-25
  • 一种带有封装结构的石墨烯散热装置
    一种带有封装结构的石墨烯散热装置_深圳市光凡通讯技术有限公司_202610033253.1
    本发明公开了一种带有封装结构的石墨烯散热装置，涉及石墨烯散热领域，包括石墨烯散热层、封装结构、粘接层、热量导出路径、散热风扇和温度传感器，石墨烯散热层表面设有共掺杂区域，封装结构具有基面，基面上设有凹凸纹理区域，封装结构的翅片呈倾斜设置，粘...
    2026-04-25
  • 镶嵌式散热器
    镶嵌式散热器_上海航天科工电器研究院有限公司_202511998033.4
    本申请适用于散热器领域，提供了一种镶嵌式散热器，包括：散热底板，具有从其顶面向内凹陷的镶嵌槽，镶嵌槽的底面构造为吸热面；热管，呈扁平状，热管容置于镶嵌槽，热管包括相对设置的蒸发段和冷凝段，蒸发段连接于吸热面；散热翅片，通过表贴焊接连接于热管...
    2026-04-25
  • 一种氧化镓场效应管及其制造方法
    一种氧化镓场效应管及其制造方法_深圳市朗帅科技有限公司_202511895085.9
    本发明提供了一种氧化镓场效应管及其制造方法，涉及半导体技术领域，包括：铁掺杂氧化镓基板、无掺杂氧化镓层、硅掺杂氧化镓铝层、无掺杂氧化镓铝层、氧化铝绝缘层以及栅极依次叠层设置；无掺杂氧化镓层的上端两侧开设有矩形倒角；硅掺杂氧化镓铝层、无掺杂氧...
    2026-04-25
  • 具有按压元件的功率模块
    具有按压元件的功率模块_英飞凌科技股份有限公司_202511361149.7
    一种功率模块包括衬底、功率半导体管芯、外壳、第一类型的按压元件和第二类型的按压元件。衬底和外壳界定功率模块的内部空间。外壳包括第一紧固侧和第二紧固侧，各自包括紧固特征，以及各自与第一紧固侧和第二紧固侧相交的第一非紧固侧和第二非紧固侧。第一类...
    2026-04-25
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_瑞萨电子株式会社_202511372464.X
    本公开涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括绝缘膜、金属膜和布置在绝缘膜与金属膜之间的粘合中间膜，粘合中间膜包括在从绝缘膜到金属膜的方向上依次布置并且相互不同的第一粘合层、应力控制层、第二粘合层和阻挡金属层。绝缘膜可以包含氧化硅。
    2026-04-25
  • 晶体管、反相器及其制造方法以及内存单元
    晶体管、反相器及其制造方法以及内存单元_财团法人工业技术研究院_202510028264.6
    本发明提供一种晶体管、反相器及其制造方法以及内存单元。晶体管包括衬底、堆叠结构以及栅极结构。堆叠结构设置于衬底上，且包括漏极电极、源极电极、半导体层、第一缓冲层以及第二缓冲层。源极电极设置于漏极电极上。半导体层设置于漏极电极与源极电极之间。...
    2026-04-25
  • 积体芯片和其形成方法
    积体芯片和其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511930335.8
    本发明提供一种积体芯片和其形成方法。积体芯片包括第一导电内连线、介电结构和沟槽电容器。第一导电内连线在半导体衬底上方。介电结构包括多个介电层在第一导电内连线上方。沟槽电容器在介电结构上方并延伸于介电结构侧壁之间到第一导电内连线。沟槽电容器包...
    2026-04-25
  • 一种芯片及3D堆叠芯片结构
    一种芯片及3D堆叠芯片结构_智遨通(天津)信息技术有限公司_202511922715.7
    本申请实施例公开一种芯片及3D堆叠芯片结构，涉及半导体集成电路技术领域。能够有效抑制电压降问题，从而提升芯片电源完整性。包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的功能电路以及深槽电容结构，所述深槽电容结构形成于所述半导体衬底内，并与所述功能...
    2026-04-25
  • 装置封装
    装置封装_爱普科技股份有限公司_202510991652.4
    本申请提供一种装置封装，包括第一层级、堆叠在第一层级上的第二层级以及单一地贯穿第一和第二层级的层级穿孔。第一层级包括第一装置和电性耦合到第一装置的第一互连线结构，第一互连线结构包括第一金属层且第一金属层包括第一连接分支。第二层级包括第二装置...
    2026-04-25
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