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最新专利技术
  • 显示面板、显示面板的制作方法及显示装置
    显示面板、显示面板的制作方法及显示装置_广州华星光电半导体显示技术有限公司_202511884688.9
    本申请提供了一种显示面板、显示面板的制作方法及显示装置，该显示面板包括衬底、缓冲层、有源层、栅极绝缘层和栅极层，通过使缓冲层和所述栅极绝缘层中的至少一者具有由两层相同材料叠设而成的叠层结构，叠层结构中靠近有源层的膜层相较于远离有源层的膜层中...
    2026-04-23
  • 阵列基板、阵列基板的制备方法及其显示面板
    阵列基板、阵列基板的制备方法及其显示面板_云谷(固安)科技有限公司_202512035926.5
    本发明公开了一种阵列基板、阵列基板的制备方法及其显示面板，包括：层叠设置于所述衬底一侧的第一有源层、多层导电层和第二有源层，所述第一有源层与所述衬底相邻，所述第一有源层、所述多层导电层和所述第二有源层构成有至少一个像素电路，所述像素电路包括...
    2026-04-23
  • 阵列基板、显示面板及显示装置
    阵列基板、显示面板及显示装置_广州华星光电印刷显示技术有限公司_202511960925.5
    本申请公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置，该阵列基板的有源层包括沟道区和位于沟道区相对两侧的源极连接区和漏极连接区，源极与源极连接区连接，漏极与漏极连接区连接，其中，有源层设置有至少一通孔，通孔在衬底上的正投影至少部分位于沟道区在衬底上...
    2026-04-23
  • 一种显示面板及显示装置
    一种显示面板及显示装置_上海中航光电子有限公司_202511905797.4
    本申请实施例提供一种显示面板及显示装置，包括第一基板和第二基板，第一基板与第二基板相对设置；显示面板包括显示区和位于显示区至少一侧的第一非显示区，第一非显示区包括栅极驱动电路，栅极驱动电路设置在第一基板中；第一基板包括第一衬底与屏蔽层，屏蔽...
    2026-04-23
  • 绝缘衬上硅射频开关器件及射频模组
    绝缘衬上硅射频开关器件及射频模组_深圳飞骧科技股份有限公司_202610278730.0
    本发明提供了一种绝缘衬上硅射频开关器件及射频模组，所述绝缘衬上硅射频开关器件由堆叠单元依次串联实现，一个堆叠单元包括两个多指单元，多指单元为T型的叉指结构，多指单元由有源层、多晶硅层、第一金属层和第二金属层自底向上叠层形成，其中叉指结构形成...
    2026-04-23
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511888940.3
    本申请的实施例公开了一种半导体结构及其形成方法。方法包括：提供结构，该结构包括底部源极/漏极部件、布置于底部源极/漏极部件上方的底部层间介电(ILD)层、布置于底部ILD层和底部源极/漏极部件上方的顶部源极/漏极部件、以及布置于顶部源极/漏...
    2026-04-23
  • 一种碳化硅CMOS器件及其版图绘制方法
    一种碳化硅CMOS器件及其版图绘制方法_中国科学院半导体研究所_202511822626.5
    本申请提供一种碳化硅CMOS器件及其版图绘制方法，涉及微电子器件设计与制造技术领域。该碳化硅CMOS器件包括：依次连接的衬底、N型缓冲层和P型外延层；分别位于P型外延层表面的多个N型阱区；分别位于P型外延层中的多个N型重掺杂隔离区；多个N型...
    2026-04-23
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510767972.1
    提供一种半导体装置，该半导体装置包括：至少部分地重叠的第一沟道图案和第二沟道图案；第一栅极图案，其位于第一沟道图案和第二沟道图案之间，并且与第一沟道图案和第二沟道图案至少部分地重叠；在第一方向上彼此间隔开的第一连接导电图案和第二连接导电图案...
    2026-04-23
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510780940.5
    一种半导体器件包括衬底、在衬底上的第一沟道图案、在第二方向上延伸的第一栅电极、在第一栅电极的上表面上的第一栅极盖图案、与第一沟道图案间隔开的第二沟道图案、在第二沟道图案上在第二方向上延伸的第二栅电极、在第二栅电极的上表面上的第二栅极盖图案、...
    2026-04-23
  • 集成电路及制造其的方法
    集成电路及制造其的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511920728.0
    本发明提供一种集成电路及制造其的方法。在半导体衬底的装置区中形成包含一个或多个鳍式场效晶体管(finFET)的鳍区以及形成邻近鳍区的高压(HV)平面区，每个装置区的finFET包括一个或多个鳍片，所述鳍片形成为具有距离鳍状基板区的第一高度处...
    2026-04-23
  • 栅极氧化层及其形成方法
    栅极氧化层及其形成方法_重庆芯联微电子有限公司_202511732286.7
    本发明提供一种栅极氧化层及其形成方法，形成的第一栅极氧化层覆盖第一栅极氧化层定义区、第二栅极氧化层定义区和第三栅极氧化层定义区的衬底；去除第二栅极氧化层定义区上的第一栅极氧化层，保留第一栅极氧化层定义区和第三栅极氧化层定义区上的第一栅极氧化...
    2026-04-23
  • 半导体封装
    半导体封装_三星电子株式会社_202510753512.3
    一种半导体封装，包括：衬底；平台管芯，设置在衬底上；存储器管芯，设置在平台管芯上；以及处理器管芯，设置在平台管芯上，并且被设置为与存储器管芯相邻，其中，平台管芯包括被配置为控制存储器管芯和处理器管芯之间的数据通信的存储器控制器。
    2026-04-23
  • 三电平中点箝位桥臂开关单元集成结构
    三电平中点箝位桥臂开关单元集成结构_特变电工西安电气科技有限公司_202512059288.0
    本申请提供一种三电平中点箝位桥臂开关单元集成结构，涉及多电平桥臂电路技术领域。该电路包括：底部覆铜陶瓷基板、顶部覆铜陶瓷基板和印刷电路板；所述底部覆铜陶瓷基板承载一半的三电平桥臂电路，所述顶部覆铜陶瓷基板承载另一半的三电平桥臂电路；所述印刷...
    2026-04-23
  • 一种防止光阻翘曲的栅极制造方法
    一种防止光阻翘曲的栅极制造方法_福建省福联集成电路有限公司_202511991866.8
    本发明涉及一种防止光阻翘曲的栅极制造方法，所述制造方法包括在source跟drain金属上均涂布第一光阻层，采用套刻工艺定义帽层蚀刻宽度，采用湿法蚀刻对衬底蚀刻出沟道；将第一光阻层去掉，涂布第二光阻层并显影；步骤S3、将第二光阻层图形化，形...
    2026-04-23
  • 一种减少SiC材料激光退火析碳量的方法和SiC材料
    一种减少SiC材料激光退火析碳量的方法和SiC材料_株洲中车时代半导体股份有限公司_202510221132.5
    本发明提供一种减少SiC材料激光退火析碳量的方法和SiC材料，所述方法包括：步骤(1)：在SiC衬底背面形成硅镍合金层；步骤(2)：在形成的硅镍合金层表面进行激光退火处理，以使硅镍合金层与SiC衬底形成欧姆接触；采用本发明的方法不仅能够有效...
    2026-04-23
  • 沟槽型碳化硅栅氧化层的制备工艺、具有栅氧化层的沟槽型碳化硅晶圆和金属氧化物半导体场效应晶体管
    沟槽型碳化硅栅氧化层的制备工艺、具有栅氧化层的沟槽型碳化硅晶圆和金属氧化物半导体场效应晶体管_株洲中车时代半导体股份有限公司_202411521682.0
    本发明提供沟槽型碳化硅栅氧化层的制备工艺、具有栅氧化层的沟槽型碳化硅晶圆和金属氧化物半导体场效应晶体管。首先在沟槽刻蚀完成后，沉积生长一层较薄的氧化层，接着用进行多晶硅沉积，将多晶硅填满整个沟槽，然后采用多晶硅回刻工艺只保留沟槽底部多晶硅，...
    2026-04-23
  • 一种具有AlN刻蚀停止层的GaN基双沟道MIS栅混合阳极二极管及其制备方法
    一种具有AlN刻蚀停止层的GaN基双沟道MIS栅混合阳极二极管及其制备方法_江苏芯港半导体有限公司_202610035694.5
    本发明公开了一种具有AlN刻蚀停止层的GaN基双沟道MIS栅混合阳极二极管及其制备方法，主要解决现有技术GaN精确刻蚀难度过大的问题。方案包括：1)在衬底层上生长异质结层、SiN钝化层；2)在外延层结构上设置用于形成阴极接触的凹槽，并制备阴...
    2026-04-23
  • 基于范德华堆叠结构的摩尔纹材料、利用Hypotaxy生长法的所述摩尔纹材料的制备方法及包括所述摩尔纹材料的电子器件
    基于范德华堆叠结构的摩尔纹材料、利用Hypotaxy生长法的所述摩尔纹材料的制备方法及包括所述摩尔纹材料的电子器件_首尔大学校产学协力团_202511419751.1
    公开一种基于范德华堆叠结构的摩尔纹材料、利用Hypotaxy生长法的基于范德华堆叠结构的摩尔纹材料的制备方法及包括所述基于范德华堆叠结构的摩尔纹材料的电子器件。所述基于范德华堆叠结构的摩尔纹材料包括多层薄膜结构体，其具有各层在垂直方向上独立...
    2026-04-23
  • 一种金属氧化物半导体场效应晶体管结构及其制造方法
    一种金属氧化物半导体场效应晶体管结构及其制造方法_江苏天芯微半导体设备有限公司_202511935876.X
    本发明提供一种金属氧化物半导体场效应晶体管包括：衬底；形成于半导体衬底表面的栅极结构；所述栅极结构两侧的衬底形成有凹槽，所述凹槽内填充嵌入式外延层，源区和漏区形成在所述栅极结构两侧的所述嵌入式外延层中；所述嵌入式外延层从凹槽表面至远离凹槽表...
    2026-04-23
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_北京智慧能源研究院_202511854509.7
    本申请涉及一种半导体器件的制备方法。该方法通过对包括二氧化硅层和硼磷硅酸盐玻璃层的图案化氧化层进行回流处理，可以将接触孔位置的拐角变得平滑，消除金属层淀积的几何障碍，为金属层的均匀淀积奠定基础。同时，采用反溅射和初级金属层的循环处理，促进金...
    2026-04-23
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