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功率模块的封装
提供一种电子系统,电子系统包括印刷电路板,印刷电路板具有耦合到电压输出端的导电走线。电压调节器设置在印刷电路板上,电压调节器包括电压调节器相输出端子。此外,电子系统包括与电压调节器耦合的电感器模块。电感器模块包括电感器磁芯和电感器段,电感器...
用于印刷电路板的超薄复合介电质
提供介电材料层,其包括涂布或浸渍有热固性树脂的热塑性液晶聚合物(LCP)衬底。所述介电材料层可具有小于约3.4的介电常数(DK)值和小于约0.005的损耗因数以用于印刷电路板。所述介电材料层可在高密度互连(HDI)印刷电路板中具有特殊效用。
印刷电路板的制造方法
本发明涉及一种印刷电路板制造方法,其包括:连续供给导电材料片(1);在导电材料片表面的一侧表面的至少一个区域上连续涂覆至少一层电绝缘材料(2),该至少一层电绝缘材料(2)包含至少一种环氧树脂;在紫外辐射下连续光聚合环氧树脂的至少部分区域;通...
印刷电路板用材料及印刷电路板的制造方法
印刷电路板用材料(10)通过在金属箔(11)的至少一个面(11a)上至少依次层叠催化剂层(12)和含有聚酰亚胺树脂的粘接层(13)而制成,聚酰亚胺树脂是由含有双酚二醚型酸二酐的酸二酐和二胺化合物共聚而制成的。
印刷布线板的制造方法
提供能够从不要的支承基板简便地分离和回收金属载体的印刷布线板的制造方法。该印刷布线板的制造方法包括:准备支承基板的工序,该支承基板包含带载体的金属箔和设置于带载体的金属箔的第一金属箔侧的树脂基材,该带载体的金属箔依次具备第一金属箔、第一剥离...
电子产品保护壳及其片材、制造片材的方法
本发明涉及一种电子产品保护壳及其片材、制造片材的方法。该片材包括厚度不超过0.9mm的片材主体(11),所述片材主体(11)包括热熔基体以及包含在所述热熔基体中的增强纤维;所述片材主体(11)设有收容腔以及收容到所述收容腔的片状磁体(21)...
用于电子设备和/或电池模块机柜的防盗结构
提供了一种用于配置成容纳一个或多个电子设备和/或电池模块(130)的机柜的防盗装置(100)。该装置包括第一结构(110)和第二结构(120),其各自被设置有相应的孔(112、122),并且在第一配置和第二配置之间可移动(d1)。在第一配置...
散热装置
根据本发明的散热装置包括:一侧导热面板,设置为金属板材构件;另一侧导热面板,与上述一侧导热面板之间形成冷媒在相变后流动的冷媒流动空间,且设置为金属板材构件;以及接合介导框架体,设置为介导上述一侧导热面板与另一侧导热面板的边缘端部的接合,由此...
包括形成声音输出通道的热传递部的电子装置
根据本公开的实施例的电子装置可以包括支撑支架、设置在支撑支架的前表面上的显示器、设置在支撑支架的后表面上的印刷电路板、声音输出模块、设置在印刷电路板上并且在操作期间产生热量的电子部件,以及设置在显示器与支撑支架之间并且被配置为传递从电子部件...
液体冷却式负压分配系统
一种用于冷却数据中心的至少一个机架系统的数据中心冷却系统包括冷却回路,该冷却回路具有循环通过其中的冷却流体。冷却回路包括冷却分配单元和与至少一个机架系统相关联的热回收构件。热回收构件流体地联接到冷却分配单元。冷却回路在热回收构件处具有负压。
散热装置
本发明涉及一种散热装置,尤其包括:蒸发板部组件,通过表面接触于发热体的发热表面来接收热,并形成有存储制冷剂中的液态制冷剂的存储部;多个冷凝板部组件,结合于所述蒸发板部组件,并提供使在所述存储部中相变的气态制冷剂扩散并冷凝的制冷剂流动空间;以...
功率电子冷却器、功率装置和逆变器
一种嵌入板(EP),具有一通道开口(BO, TO),用于将部分冷却液自供流通道段(ZF)直接导入回流通道段(RF),并且在通道开口(BO, TO)处设有一温度控制阀(VT),其被设置为根据供流通道段(ZF)和/或回流通道段(RF)中的冷却液...
屏蔽元件
为了提供一种用于电子组件的电磁屏蔽的屏蔽元件,其具有轻的重量、能以低成本的方式制造并且具有简单的结构,本发明提出,屏蔽元件包括基体和至少一个导电层,基体具有联接装置,该基体可以通过联接装置与相对应的装置联接,至少一个导电层至少局部地设置在基...
数据生成系统、保管装置以及数据生成方法
一种数据生成系统(20),具备:通信部(21),获取部件和部件收容器中的至少一者的供给信息,部件收容器收容有多个部件;以及数据生成部(23),基于由通信部(21)获取的供给信息,生成在安装机中使用的生产数据,该安装机是将部件安装到基板的设备...
一种存储单元、存储阵列、存储器以及电子设备
本申请实施例提供一种存储单元、存储阵列、存储器以及电子设备,涉及半导体存储技术领域,用于缓解铁电存储器功耗高的问题。存储单元的存储电容包括第一电极、铁电层、第一金属氧化层以及第二电极。第一金属氧化层层叠设置于第一电极和铁电层之间。该第一金属...
在凹陷特征中形成存储器件的方法
一种在衬底上形成存储器件的方法,包括:使用第一原子层沉积工艺在该衬底的凹陷特征内沉积第一电极层,以及在第一衬底温度使用第二原子层沉积工艺在该第一电极层上沉积非晶过渡金属氧化物层。该方法进一步包括:在维持该非晶过渡金属氧化物层的非晶态的同时,...
半导体结构及其制造方法
所公开的半导体装置包括垂直堆叠的第一和第二半导体堆叠体。第一半导体堆叠体包括:第一存储器阵列层,包括第一存储器单元阵列;第一外围电路层,包括形成在第一半导体层上的第一晶体管;以及第一互连结构,垂直延伸穿过第一半导体堆叠体,位于相邻的第一存储...
碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法
本发明的碳化硅半导体装置包括:第一导电型的碳化硅层(12);设置在所述碳化硅层(12)上的第二导电型的多个阱区域(50);设置在所述阱区域(50)上的第一导电型的源极区域(40);形成在所述碳化硅层(12)中被多个所述阱区域(50)相夹的区...
半导体装置
半导体装置包括:芯片,其具有主面;第一导电型的漂移区域,其形成于所述主面的表层部;沟槽电极型的栅极结构,其以位于所述漂移区域内的方式形成于所述主面,第二导电型的阱区域,其在所述漂移区域内在所述栅极结构的下方的区域沿着所述栅极结构的底壁而形成...
半导体装置和电子设备
半导体装置包括:岛状的半导体部;晶体管,其源极区域和漏极区域之中的至少一者形成在所述半导体部中;以及接触器,其连接到所述源极区域和漏极区域之中的所述至少一者,其中,所述接触器包括与所述源极区域和漏极区域之中的所述至少一者接触并向下延伸的接触...
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