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最新专利技术
  • 一种改善钙钛矿缺陷的钝化添加剂、钙钛矿薄膜及其制备方法
    一种改善钙钛矿缺陷的钝化添加剂、钙钛矿薄膜及其制备方法_武汉理工大学_202610136218.2
    本发明公开了一种改善钙钛矿缺陷的钝化添加剂、钙钛矿薄膜及其制备方法，所述钝化添加剂为盐酸吗啉胍。本发明通过向钙钛矿前驱体溶液中加入盐酸吗啉胍，能够调控钙钛矿薄膜的结晶过程并钝化缺陷，得到的钙钛矿薄膜晶粒尺寸大且均匀，晶粒间的空隙少，薄膜致密...
    2026-05-10
  • 一种碲化铋基热电薄膜材料的制备方法
    一种碲化铋基热电薄膜材料的制备方法_上海申和投资有限公司_202511862765.0
    本发明提供了碲化铋基热电薄膜材料的制备方法，针对现有的碲化铋体系材料大多以刚性形式存在，限制了其在可穿戴设备、柔性电子器件等新兴领域的应用缺陷进行，通过将微米级的碲化铋粉体嵌入聚酰亚胺这种柔性基体中，实现碲化铋材料的柔性化，打破传统热电材料...
    2026-05-10
  • 一种共烧结分段热电材料及其制备方法
    一种共烧结分段热电材料及其制备方法_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202610045203.5
    本发明公开一种共烧结分段热电材料及其制备方法，方法包括如下步骤：S1、选取材料体系相同但化学配比不同的N种热电基体材料，按N种热电基体材料的化学计量比分别称取原料进行高温熔炼，得到N种铸锭；S2、将所述N种铸锭分别进行破碎制粉，得到N种粉体...
    2026-05-10
  • 可穿戴式柔性热电发电器件及制备方法
    可穿戴式柔性热电发电器件及制备方法_南方科技大学_202610010653.0
    本申请涉及一种可穿戴式柔性热电发电器件及制备方法，所述可穿戴式柔性热电发电器件包括发电电极，及沿远离所述发电电极依次叠层设置的第一封装层、热电材料块和第二封装层；其中：所述热电材料块包括由外向内方向卷曲堆叠的多个热电材料层，所述热电材料层包...
    2026-05-10
  • 一种具有珍珠扇贝结构的高柔韧性碲化银热电薄膜及其制备方法和应用
    一种具有珍珠扇贝结构的高柔韧性碲化银热电薄膜及其制备方法和应用_武汉理工大学_202610224416.4
    本发明涉及热电材料技术领域，尤其涉及一种具有珍珠扇贝结构的高柔韧性碲化银热电薄膜及其制备方法和应用。本发明在室温及固定工作气压条件下通过间歇共溅射工艺，快速制备了具有珍珠扇贝结构的非化学计量比碲化银热电薄膜；珍珠扇贝结构显著提高了碲化银热电...
    2026-05-10
  • 一种高温压电换能器的制备方法及高温压电换能器
    一种高温压电换能器的制备方法及高温压电换能器_中国科学院声学研究所_202610049530.8
    本申请涉及压电器件制备技术领域，特别涉及一种高温压电换能器的制备方法及高温压电换能器。该方法包括：根据使用场景需求，选取适配尺寸的金属基板和压电元件；对金属基板的结合面及压电元件的两个电极面分别进行抛光处理；在所述结合面及两个电极面均印刷电...
    2026-05-10
  • 半导体结构的制作方法
    半导体结构的制作方法_重庆芯联微电子有限公司_202512010456.7
    本申请提供了一种半导体结构的制作方法，应用于半导体技术领域。在本申请中，通过将在基底与高k介质层之间形成压电材料层，和嵌入式外延工艺、应力记忆技术等工艺结合的方式，利用压电材料层的压电效应，将嵌入式外延工艺、应力记忆技术等工艺产生的机械应力...
    2026-05-10
  • 一种柔性类压电驻极体器件及其制备方法、压电传感器
    一种柔性类压电驻极体器件及其制备方法、压电传感器_华中科技大学_202610060090.6
    本发明提供一种柔性类压电驻极体器件及其制备方法、压电传感器，柔性类压电驻极体器件包括压电主体和完全包裹压电主体的封装组件，压电主体包括由下至上依次层叠设置的第一电极、负极性柔性叠层组件、具有微纳孔隙结构的中间介电层、正极性柔性叠层组件和第二...
    2026-05-10
  • 滤波器晶圆、滤波器、射频模块和终端设备
    滤波器晶圆、滤波器、射频模块和终端设备_北京荣耀终端有限公司_202610433329.X
    本申请提供一种滤波器晶圆、滤波器、射频模块和终端设备，滤波器晶圆包括第一压电衬底、第二压电衬底、第一叉指换能器和第二叉指换能器，第二压电衬底与第一压电衬底沿滤波器晶圆的厚度方向相对设置，第一叉指换能器设于第一压电衬底背离第二压电衬底的一侧，...
    2026-05-10
  • 一种Pd/Co多层膜中斯格明子的调控方法及应用
    一种Pd/Co多层膜中斯格明子的调控方法及应用_华南师范大学_202512014326.0
    本发明涉及一种Pd/Co多层膜中斯格明子的调控方法及应用，调控包括以下步骤：在基片上制备Pd/[Co/Pd]x薄膜，其中，x为1~5中任一整数；将制得的Pd/[Co/Pd]x薄膜在100Oe磁场下完全翻转，显示单一磁畴，随后通入氢气与惰性气...
    2026-05-10
  • 基于滚动剪切力的铁镓碲二维材料薄层制备方法及其应用
    基于滚动剪切力的铁镓碲二维材料薄层制备方法及其应用_华南师范大学_202610078986.7
    本发明公开了基于滚动剪切力的铁镓碲二维材料薄层制备方法及其应用，该方法包括：将铁镓碲块体晶体固定至粘性胶带的粘性面，获取固定后的铁镓碲块体晶体；基于竞争性粘附作用原理，对固定后的铁镓碲块体晶体进行反复对折与剥离操作，得到粘附有铁镓碲二维材料...
    2026-05-10
  • 基于斯格明子的自旋纳米振荡器及多值存储方法
    基于斯格明子的自旋纳米振荡器及多值存储方法_上海集成电路制造创新中心有限公司_202610081096.1
    本发明提供一种基于斯格明子的自旋纳米振荡器及多值存储方法，包括自下而上依次设置的衬底、底电极、重金属层、自由层、绝缘层、固定层和顶电极；自由层为承载斯格明子的纳米盘；底电极和顶电极用于输出和检测振荡频率信号；重金属层用于输出磁阻信号，其中，...
    2026-05-10
  • 一种基于铁磁金属/二维铁磁半金属异质结的自旋电子器件
    一种基于铁磁金属/二维铁磁半金属异质结的自旋电子器件_浙江大学_202610433199.X
    本发明公开了一种基于铁磁金属/二维铁磁半金属异质结的自旋电子器件，包括铁磁金属电极和单层二维铁磁半金属材料层，铁磁金属为镍(Ni)或钴(Co)，二维铁磁半金属为卤化亚铁FeX2，X=Cl、Br、I，二者通过边缘接触或顶部接触形成异质结均可实...
    2026-05-10
  • 一种制造互连凸点的方法及其应用
    一种制造互连凸点的方法及其应用_本源量子计算科技(合肥)股份有限公司_202411513018.1
    本申请公开了一种制造互连凸点的方法及其应用，属于量子计算领域。制造互连凸点的方法包括：获得通过图形化掩膜覆盖的剥离层和凸点层的基体；研磨衬底使所述剥离层被去除，以暴露掩膜；以及剥离所述掩膜，形成独立地存在于衬底的凸点层。通过以上方式形成的互...
    2026-05-10
  • 高温超导约瑟夫森结的后制备化学热处理方法
    高温超导约瑟夫森结的后制备化学热处理方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202511967072.8
    本发明提供一种高温超导约瑟夫森结的后制备化学热处理方法，通过在预设气氛下对高温超导约瑟夫森结进行退火处理，促进氧晶格空位的迁移与复合，优化了势垒层的微观结构，并一定程度上修复了微纳加工中的晶格损伤，从而显著提高了高温超导约瑟夫森结的临界电流...
    2026-05-10
  • 一种提升硫系双向阈值选择器性能的方法
    一种提升硫系双向阈值选择器性能的方法_华东师范大学_202610066289.X
    本发明涉及硫系双向阈值开关器件技术领域，公开了一种提升硫系双向阈值选择器性能的方法，包括以下步骤：S1，依次制备底部电极、初始非晶硫系化合物材料层薄膜及顶部电极，形成堆叠结构，得到初始硫系双向阈值选择器；S2，结晶处理，将S1得到的初始硫系...
    2026-05-10
  • 一种原位生长SnS2低功耗高开关比阻变存储器的制备方法
    一种原位生长SnS2低功耗高开关比阻变存储器的制备方法_西安工业大学_202610168134.7
    本发明涉及一种原位生长SnS2低功耗高开关比阻变存储器的制备方法。制备方法包括如下步骤：在晶圆级SiO2/Si衬底表面先后加工出Cr层和Au层，得到Cr/Au底电极；通过PrCVD法完成SnS2阻变层的制备，得到原位生长的PMMA/SnS2...
    2026-05-10
  • 一种可控晶向SnS2阻变存储器及其制备方法
    一种可控晶向SnS2阻变存储器及其制备方法_西安工业大学_202610168141.7
    本发明属于电子零件制作技术领域，具体涉及一种可控晶向SnS2阻变存储器及其制备方法。制备方法包括如下步骤：采用真空蒸镀法在SiO2/Si衬底表面蒸镀300 nm厚度的Au底电极；采用封管硫化法制备SnS2阻变层：采用硬掩模技术，利用真空热蒸...
    2026-05-10
  • 一种沟槽型忆阻器件的工艺集成方法
    一种沟槽型忆阻器件的工艺集成方法_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202610184547.4
    本发明公开一种沟槽型忆阻器件的工艺集成方法，提供硅衬底，在其表面制备惰性电极；在惰性电极的表面沉积一层氮化硅；对氮化硅进行光刻和刻蚀形成沟槽型SiN结构，并进行过刻蚀停止到惰性电极；在氮化硅表面和沟槽型SiN结构中制备电解质材料；制备沟槽型...
    2026-05-10
  • 一种金属卤化物薄膜忆阻器及其制备方法和应用
    一种金属卤化物薄膜忆阻器及其制备方法和应用_南京邮电大学_202610092417.8
    本发明属于半导体技术和神经形态硬件技术领域，公开了一种金属卤化物薄膜忆阻器及其制备方法和应用，本发明提供的金属卤化物薄膜忆阻器从下至上依次包括底电极、无机阻变层、顶电极；所述无机阻变层为金属卤化物薄膜，所述金属卤化物薄膜为碘化亚铜薄膜；所述...
    2026-05-10
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