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最新专利技术
  • 一种具有载流子导流通道的电磁加固GaN HEMT
    一种具有载流子导流通道的电磁加固GaN HEMT_重庆邮电大学_202610067627.1
    本发明涉及一种具有载流子导流通道的电磁加固GaN HEMT，属于微电子技术领域。该器件旨在解决传统GaN HEMT在高功率电磁环境下易因栅极边缘电流集中导致热烧毁的问题。其技术方案是在AlGaN势垒层与p‑AlGaN帽层之间引入由p‑AlG...
    2026-04-30
  • 一种具有分段式栅极场板的双导电沟道GaN HEMT器件及制备方法
    一种具有分段式栅极场板的双导电沟道GaN HEMT器件及制备方法_北京工业大学_202610069015.6
    本发明公开了一种具有分段式栅极场板的双沟道GaN HEMT器件及制备方法，器件结构自下至上依次为：Si衬底、AlGaN缓冲层、下GaN沟道层、AlScN势垒层、上GaN沟道层、AlGaN势垒层、Si3N4介质层、器件外侧SiO2钝化层，以及...
    2026-04-30
  • 基于界面钝化的二维铁电晶体管
    基于界面钝化的二维铁电晶体管_华中科技大学_202610097211.4
    本申请公开了一种基于界面钝化的二维铁电晶体管，通过在铁电材料与二维半导体沟道之间引入界面调控层，使沟道不同区域在相同栅压条件下对应转移特性曲线中的不同回滞分支，从而实现面内极性分区。在无需设置额外栅极结构或依赖持续偏压的条件下，可实现面内p...
    2026-04-30
  • Si基GaN外延晶片、半导体元件、Si基GaN外延晶片的制造方法及半导体元件的制造方法
    Si基GaN外延晶片、半导体元件、Si基GaN外延晶片的制造方法及半导体元件的制造方法_苏州中科重仪半导体材料有限公司_202610319751.2
    本申请公开了一种Si基GaN外延晶片、半导体元件、Si基GaN外延晶片的制造方法及半导体元件的制造方法，属于半导体外延生长领域，所述Si基GaN外延晶片包括：Si基层；AlN成核层，其位于Si基层上；缓冲层，其位于AlN成核层上，所述缓冲层...
    2026-04-30
  • 半导体组件
    半导体组件_DBHiTek株式会社_202411903229.6
    本发明涉及一种半导体组件，尤其涉及一种可以通过在栅极电极的长度方向端部一侧形成没有掺杂杂质的非掺杂区或形成第一导电型杂质掺杂区而将寄生晶体管的阈值电压控制在所需要的水准的半导体组件。
    2026-04-30
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510961949.6
    提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含第1电极‑第3电极、第1导电部件、半导体部件以及第1绝缘部件。第1导电部件包含第1导电部分以及第2导电部分。第2导电部分包含第1部分。第1电极与第1导电部分之间的第1距离比第1电极与...
    2026-04-30
  • 离子敏感场效应晶体管
    离子敏感场效应晶体管_X-FAB全球服务有限公司_202511466019.X
    一种用于对介质进行测试的离子敏感场效应晶体管(ISFET)，该ISFET包括：衬底；有源层，位于衬底上；源极区和漏极区，在有源层中；栅极结构，在漏极区和源极区之间的沟道区上方；后端堆叠，包括多个金属层，其中，栅极结构直接连接到多个金属层中的...
    2026-04-30
  • 晶体管结构、共源共栅电流镜及芯片
    晶体管结构、共源共栅电流镜及芯片_北京智芯微电子科技有限公司_202511801756.0
    本申请公开了一种晶体管结构、共源共栅电流镜及芯片，属于集成电路芯片技术领域。晶体管结构包括至少一个晶体管单元，晶体管单元包括：衬底及形成于衬底上的有源区；沿第一方向排布于有源区上的n个栅极，n为偶数，各栅极在第一方向上的两侧限定出扩散区，且...
    2026-04-30
  • 一种新型屏蔽栅沟槽MOS器件及制备方法
    一种新型屏蔽栅沟槽MOS器件及制备方法_深圳云潼微电子科技有限公司_202610304819.X
    本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种新型屏蔽栅沟槽MOS器件及制备方法，该器件包括：衬底，位于衬底之上的外延层，位于外延层中的沟槽，位于沟槽内的控制栅极区、屏蔽栅极区和第一层间介质层；控制栅极区和屏蔽栅极区呈上下分布，第一层间介质层位于控...
    2026-04-30
  • 一种低温敏感的MOS管及其制备方法
    一种低温敏感的MOS管及其制备方法_深圳辰达半导体有限公司_202610340485.1
    本发明涉及半导体制备技术领域，具体公开了一种低温敏感的MOS管及其制备方法，所述MOS管包括P型单晶硅衬底；屏蔽栅结构；SiGe复合层；梯度N型双体区结构；P型沟道区；栅氧层，覆盖所述P型沟道区，所述栅氧层上方设置多晶硅栅极；分别位于沟道区...
    2026-04-30
  • 一种高击穿电压增强型氧化镓场效应晶体管及其制作方法
    一种高击穿电压增强型氧化镓场效应晶体管及其制作方法_西安电子科技大学芜湖研究院_202311825520.1
    本发明涉及一种高击穿电压增强型氧化镓场效应晶体管及其制备方法，包括：半绝缘衬底、缓冲层、沟道层、源极、漏极、栅介质层和栅极，其中，缓冲层位于半绝缘衬底上；沟道层位于缓冲层上，且沟道层由第一全宽沟道、若干第一梯形斜沟道、多沟道鳍式沟道、若干第...
    2026-04-30
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411419562.X
    本申请实施例提供一种半导体结构及其制造方法。其中，半导体结构包括：基底结构，包括鳍型有源区；栅极结构，覆盖部分所述鳍型有源区；栅极结构定义出在基底结构中位于栅极结构两侧的第一源/漏极和第二源/漏极，以及，位于第一源/漏极和第二源/漏极之间的...
    2026-04-30
  • 沟槽型场效应晶体管及其制作方法、芯片、电子设备
    沟槽型场效应晶体管及其制作方法、芯片、电子设备_华为技术有限公司_202411449297.X
    本申请提供一种沟槽型场效应晶体管及其制作方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域。该沟槽型场效应晶体管中包括碳化硅SiC衬底、SiC外延层、栅极、源金属层、漏金属层。SiC外延层设置在SiC衬底上，SiC外延层表面设置第一沟槽和第二沟槽，第...
    2026-04-30
  • 一种半导体器件、制备方法、集成电路及电子设备
    一种半导体器件、制备方法、集成电路及电子设备_华为技术有限公司_202411456028.6
    本申请公开了一种半导体器件、制备方法、集成电路及电子设备，涉及半导体技术领域，半导体器件包括垂直沟道、堆叠结构和第一电极，第一电极具有沿第一方向上的第一宽度，在沿垂直方向且由第一电极指向衬底的方向上，第一宽度呈减小趋势，使靠近垂直沟道一侧的...
    2026-04-30
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202511937634.4
    本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括半导体基底；体区，从所述半导体基底的上表面延伸至其内部，具有第一掺杂类型；源区，从所述体区的上表面延伸至其内部，具有第二掺杂类型；栅极结构，位于所述半导体基底的上方，其中，相邻的两个栅...
    2026-04-30
  • 一种漏极扩展场效应晶体管及制备方法
    一种漏极扩展场效应晶体管及制备方法_广东工业大学_202610341459.0
    本申请公开了一种漏极扩展场效应晶体管及制备方法，涉及半导体制备技术领域。漏极扩展场效应晶体管包括场氧化结构、场板结构、栅极结构、漏区和源区，漏区和源区位于场氧化结构两侧；场氧化结构划分为第一区域、第二区域和第三区域，第二区域位于第一区域和第...
    2026-04-30
  • 改进的功率器件的设计和制造
    改进的功率器件的设计和制造_GENESIC半导体公司_202511810932.7
    本公开涉及改进的功率器件的设计和制造。本公开描述了一种器件及其形成方法。一种包括至少部分形成在碳化硅(SiC)基板内的单位单元的器件，所述单位单元包括：漂移区，其形成在SiC基板中且具有第一导电类型；闸极导体；闸极绝缘膜，其设置于闸极导体与...
    2026-04-30
  • 开关元件
    开关元件_株式会社电装_202610093701.7
    开关元件具备设置有沟槽的半导体基板、栅极绝缘膜以及栅极电极。半导体基板具有源极区、体区、漂移区、第一电场缓和区以及连接区。漂移区在体区的下侧的沟槽的侧面及沟槽的底面与栅极绝缘膜相接。第一电场缓和区被配置于漂移区的内部，与沟槽的底面隔开间隔地...
    2026-04-30
  • 带有屏蔽电极的高耐压MOSFET器件及其制备方法
    带有屏蔽电极的高耐压MOSFET器件及其制备方法_济南大学_202610097905.8
    本发明公开了一种带有屏蔽电极的高耐压MOSFET及其制备方法。相比于传统平面型MOSFET，减少栅极充放电电荷，显著降低栅漏电容，并改善器件的动态开关特性。屏蔽电极的引入可有效进行电场调控，降低栅氧界面电场，从而提高耐压能力。该器件结构通过...
    2026-04-30
  • 沟槽栅功率器件及其制造方法
    沟槽栅功率器件及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610343559.7
    本发明公开了一种沟槽栅功率器件，包括：第一导电类型掺杂的半导体外延层。在半导体外延层的顶部区域形成有多个器件单元结构。器件单元结构包括：沟槽栅，第二导电类型掺杂的阱区以及第一导电类型重掺杂的源区；沟槽栅纵向穿过阱区，被沟槽栅侧面覆盖的阱区的...
    2026-04-30
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