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最新专利技术
  • 一种简单的大尺寸高质量自支撑金刚石厚膜制备方法
    一种简单的大尺寸高质量自支撑金刚石厚膜制备方法_河南飞孟金刚石股份有限公司_202610218553.7
    本发明属于金刚石薄膜制备技术领域，涉及一种简单的大尺寸高质量自支撑金刚石厚膜制备方法，包括表面预处理：使用金刚石微粉对大尺寸钼块进行研磨，去除表面杂质，然后用CVD设备对大尺寸钼块表面进行等离子处理；CVD生长；根据需要的多晶薄膜厚度重复C...
    2026-05-11
  • 一种MPCVD金刚石生长温度在线监测方法及系统
    一种MPCVD金刚石生长温度在线监测方法及系统_宁波晶钻科技股份有限公司_202610172888.X
    本申请公开了一种MPCVD金刚石生长温度在线监测方法及系统，涉及金刚石生长工艺领域，该方法包括多个光学感知单元，周向等距分布在沉积腔室的内壁面，其光轴指向沉积腔室内的沉积台，时序‑波段控制单元，其设置于每个光学感知单元的光路之中，用于控制每...
    2026-05-11
  • 耐磨防腐材料及其制备方法与耐磨防腐柱塞杆及其制备方法和应用
    耐磨防腐材料及其制备方法与耐磨防腐柱塞杆及其制备方法和应用_中国石油天然气集团有限公司_202411574671.9
    本发明涉及功能材料领域，公开了一种耐磨防腐材料及其制备方法与耐磨防腐柱塞杆及其制备方法和应用，该耐磨防腐材料的表面包括耐磨防腐涂层；其中，所述耐磨防腐涂层从涂层内界面到涂层外表面依次为Si界面层、纳米TiCN层和纳米SiC层。本发明提供的耐...
    2026-05-11
  • 一种二维薄膜图案化制造的原子层沉积设备及方法
    一种二维薄膜图案化制造的原子层沉积设备及方法_东南大学_202610151877.3
    本发明涉及半导体微纳制造工艺领域，具体涉及一种二维薄膜图案化制造的原子层沉积设备及方法。所述制备方法的核心为：将沉积腔体内的承载平台替换成多工位旋转圆盘，圆盘沿周向设有多个双层工位，其中上层用于固定图案化掩模版，下层用于固定沉积基底；外部控...
    2026-05-11
  • 一种集成原位可切换掩模板的原子层沉积设备及方法
    一种集成原位可切换掩模板的原子层沉积设备及方法_东南大学_202610151876.9
    本发明公开了一种集成原位可切换掩模板的原子层沉积设备及方法，属于半导体微纳制造技术领域。该设备包括沉积腔体、多源前驱体输运系统、内置式掩模板库与切换机构、基底位姿调节装置及控制系统。所述掩模板库与切换机构集成于真空环境内，具备多工位掩模板承...
    2026-05-11
  • 一种内衬纸的镭射膜加工用镀铝机及镀铝工艺
    一种内衬纸的镭射膜加工用镀铝机及镀铝工艺_江苏膜可光学材料有限公司_202610179976.2
    本发明涉及镭射膜加工技术领域，且公开了一种内衬纸的镭射膜加工用镀铝机，包括底座，底座上设置有输送辊，底座顶部固定安装有镀铝设备和安装架，安装架上设置有牵引机构、触发机构和张紧机构。通过将牵引机构、触发机构与张紧机构整合于一体，实现了镀铝后镭...
    2026-05-11
  • 汇流带牵引导轮镀陶瓷设备
    汇流带牵引导轮镀陶瓷设备_太仓巨仁光伏材料有限公司_202512014651.7
    本发明涉及汇流带牵引导轮镀陶瓷设备，包括基座，所述基座的表面固定连接有与真空泵组连通的真空罐，本发明涉及导轮镀陶瓷技术领域。该汇流带牵引导轮镀陶瓷设备，操作者仅需将导轮依次套入放置杆，导轮下落时的自重便会触发气动连锁反应。首个导轮压动最下方...
    2026-05-11
  • 碱金属蒸镀装置、预锂化方法及预锂化负极
    碱金属蒸镀装置、预锂化方法及预锂化负极_株式会社爱发科_202411595140.8
    本发明提供一种碱金属蒸镀装置，包括解卷机构、容纳卷绕机构的卷绕室、以及在解卷机构和卷绕室之间的容纳碱金属蒸镀机构的蒸镀室，其中卷绕室和蒸镀室之间设置气氛分离机构、并且卷绕室配置有能够将卷绕室在维持内部减压状态下进行移动的减压机构。此外，本发...
    2026-05-11
  • 一种多组分薄膜蒸镀膜厚监控与调整装置、方法及应用
    一种多组分薄膜蒸镀膜厚监控与调整装置、方法及应用_浙江晟霖益嘉科技有限公司_202610207751.3
    本发明提供了一种多组分薄膜蒸镀膜厚监控与调整装置、方法及应用，所述的多组分薄膜蒸镀膜厚监控与调整装置包括：运输模块，用于传输基板，以通过第一蒸镀源与第二蒸镀源在移动的基板上沉积膜层，设置有位置传感模组，在基板进入设定区域时产生触发信号；第一...
    2026-05-11
  • 一种用于溅射沉积装置的自动化温度控制系统及方法
    一种用于溅射沉积装置的自动化温度控制系统及方法_中北大学_202610118026.9
    本发明属于溅射沉积技术领域，提供了一种用于溅射沉积装置的自动化温度控制系统及方法，该系统通过集成真空计、气瓶、阀门、热电偶测温元件以及PID调节器等组件，实现了对溅射沉积过程中腔体温度的精确控制。系统利用热电偶实时监测腔体温度，并通过PID...
    2026-05-11
  • 一种金属基板与耐老化防腐膜的真空镀膜工艺
    一种金属基板与耐老化防腐膜的真空镀膜工艺_苏彩金属(江苏)有限公司_202512057861.4
    本发明涉及金属材料表面处理技术领域，公开了一种金属基板与耐老化防腐膜的真空镀膜工艺，包括：沉积过渡层后沉积防腐膜主层，实时采集负脉冲上升沿位移电流斜率并根据斜率的一阶导数过零点确定电荷吸附饱和点，驱动产生纳秒级受控过冲阶段以诱导原子横向迁移...
    2026-05-11
  • 方形基板上PVD沉积方法和装置
    方形基板上PVD沉积方法和装置_长沙华屹半导体有限公司_202512037376.0
    本发明涉及方形基板上PVD沉积方法和装置，包括以下步骤：S1、输入基板尺寸并安装配重；S2、计算磁体尺寸并设置磁体，设置旋转速度比率，进行PVD沉积；S3、调整磁体自旋转速度和主旋转速度，对沉积过程进行动态控制；S4、沉积完成后，停止各驱动...
    2026-05-11
  • 一种PVD镀膜分析控制方法及相关装置
    一种PVD镀膜分析控制方法及相关装置_富联裕展科技(深圳)有限公司_202511958519.5
    本申请公开了一种PVD镀膜分析控制方法及相关装置，用于稳定产品的色差。本申请中获取当前炉次之前的第一预设数量个炉次的色差值；基于第一预设数量个炉次的色差值中在色差规格范围的炉次的数量，得到当前炉次对应的当前基准点；若当前基准点大于预设基准值...
    2026-05-11
  • 一种基片电阻加热装置及脉冲激光沉积系统
    一种基片电阻加热装置及脉冲激光沉积系统_深圳市矩阵多元科技有限公司_202411587445.4
    本发明公开了一种基片电阻加热装置及脉冲激光沉积系统，基片电阻加热装置包括：基座，基座具有前侧开口的安装位，安装位的左右两侧分别设有导电部，导电部连接有铜导线；电阻加热结构，电阻加热结构包括安装部和基片，安装部插设于安装位，安装部能前后移动并...
    2026-05-11
  • 一种用于大尺寸光学元件镀膜的定位装架系统
    一种用于大尺寸光学元件镀膜的定位装架系统_中国科学院上海技术物理研究所_202610354386.9
    本发明公开了一种用于大尺寸光学元件镀膜的定位装架系统，该系统包括主体结构、升降机构、转动承载平台、运动机构及安全防护机构。主体结构采用三角架与尾架复合支撑的刚性设计。升降机构通过蜗轮蜗杆减速机驱动双滚珠丝杆同步运动，实现承载平台的精密升降。...
    2026-05-11
  • 一种原位形成的陶瓷基扩散障铂铝涂层及其制备方法和应用
    一种原位形成的陶瓷基扩散障铂铝涂层及其制备方法和应用_暨南大学_202610088183.X
    本发明公开了一种原位形成的陶瓷基扩散障铂铝涂层及其制备方法和应用，属于铂铝涂层系列扩散涂层技术领域。涂层自外向内依次包括：外层的铂铝涂层、原位生成的HfO2/Al2O3陶瓷基扩散障区以及互扩散层，其制备方法包括：在基体上依次引入Ni‑HfO...
    2026-05-11
  • 一种含微孔阵列与润滑储料的复合涂层及其制备方法
    一种含微孔阵列与润滑储料的复合涂层及其制备方法_珠海格力电器股份有限公司_202610145623.0
    本发明公开一种含微孔阵列与润滑储料的复合涂层及其制备方法，涉及耐磨涂层制备技术领域。该含微孔阵列与润滑储料的复合涂层的制备方法，包括以下步骤：S1.在基体表面制备渗氮层；S2.制备第一微孔阵列；S3.形成第一润滑储料层；S4.形成第一耐磨层...
    2026-05-11
  • 一种磁控溅射彩色涂层的半导体及制备方法
    一种磁控溅射彩色涂层的半导体及制备方法_山东大学_202512044075.0
    本发明属于半导体表面薄膜与物理气相沉积技术领域，涉及一种磁控溅射彩色涂层的半导体及制备方法。本发明通过在真空腔体内通入氩气与氮气，采用铁靶磁控溅射形成彩色薄膜，通过调节气压、功率和流量比，使晶体表面呈现橙色、金黄色、浅黄色等透亮色彩；并在其...
    2026-05-11
  • 靶材和层叠体
    靶材和层叠体_大同特殊钢株式会社_202511546960.2
    本发明提供适合于形成与基板的紧密贴合性优异且使用氯化铁时的蚀刻性也优异的紧密贴合层的靶材。靶材作为元素含有Ni、Cr、还含有Al和Zn中的至少一种，在将这些Ni、Cr、Al、Zn的合计设为100at％的情况下，Cr：含有4~14at％、Al...
    2026-05-11
  • 一种水冷导电环结构及磁控溅射薄膜沉积设备
    一种水冷导电环结构及磁控溅射薄膜沉积设备_深圳市矩阵多元科技有限公司_202411546002.0
    本发明公开了一种水冷导电环结构及磁控溅射薄膜沉积设备，水冷导电环结构包括：矩形框架，矩形框架包括四个拼接条和四个拼接部，相邻的两个拼接条之间通过拼接部连接固定，拼接条的内部沿自身长度方向设置冷却水道，拼接部的内部设置过渡水道，过渡水道连通相...
    2026-05-11
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