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最新专利技术
  • 发光二极管及其制备方法
    发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511931025.8
    本公开提供了一种发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括依次层叠的n型半导体层、多量子阱层和p型半导体层；所述多量子阱层包括至少一个超晶格结构和至少两个第一结构，所述超晶格结构的每一侧具有一个所述第一结构；每个所述第一...
    2026-05-10
  • 发光二极管及其制备方法
    发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511930849.3
    本公开提供了一种发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括依次层叠的第一半导体层、第一多量子阱层、第二多量子阱层和第二半导体层。所述第一多量子阱层包括交替层叠的多个第一量子阱层和多个第一量子垒层，所述第二多量子阱层包括交...
    2026-05-10
  • 一种发光二极管、其制备方法及通信系统
    一种发光二极管、其制备方法及通信系统_厦门大学_202511928559.5
    本发明涉及半导体技术领域，提供一种发光二极管、其制备方法及通信系统。发光二极管包括依次层叠的衬底、第一半导体层、有源层以及第二半导体层；有源层包括至少一组周期交替层叠的量子阱层和量子垒层；量子阱层包含In组分；有源层还包括至少一层覆盖层；覆...
    2026-05-10
  • 发光二极管芯片及其制备方法
    发光二极管芯片及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511872838.4
    本公开提供了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。发光二极管芯片包括依次叠设的N型半导体层、有源层和P型半导体层；P型半导体层包括叠设在一起的非掺杂子层和掺杂子层，掺杂子层包括依次叠设的第一高温相层、第二高温相层和第三高温相层...
    2026-05-10
  • 一种电极反射结构及其制备方法
    一种电极反射结构及其制备方法_福州华兆光电有限公司_202610163212.4
    本发明公开了一种电极反射结构及其制备方法，在透明导电层上制备光刻胶第一倒角和预设长度的底切，将操作环境抽真空至10‑6Torr以上，并在所述透明导电层上依次蒸镀金属粘附层及金属反射层；在金属反射层上先蒸镀Ti应力缓冲层，再在Ti应力缓冲层上...
    2026-05-10
  • 一种提升亮度的倒装LED芯片及其制备方法
    一种提升亮度的倒装LED芯片及其制备方法_福州华兆光电有限公司_202610094799.8
    本发明公开了一种提升亮度的倒装LED芯片及其制备方法，在P‑GaN层上制备生成透明导电层，并在透明导电层上依次沉积第一绝缘层和第二绝缘层，第二绝缘层覆盖在已制备透明导电层的LED芯片的表面；在第一绝缘层和第二绝缘层对应P‑GaN层的位置按照...
    2026-05-10
  • Micro-LED外延结构的形成方法、外延结构及芯片
    Micro-LED外延结构的形成方法、外延结构及芯片_厦门大学_202610062678.5
    本申请涉及半导体光电子器件技术领域，具体涉及一种Micro‑LED外延结构的形成方法、外延结构及芯片。Micro‑LED外延结构包括：n型GaN层和p型GaN层之间的多量子阱层；多量子阱层包括3~10个重复堆叠的基础单元，每一基础单元包括量...
    2026-05-10
  • 一种基于外延重构的MicroLED显示器件及其制备方法
    一种基于外延重构的MicroLED显示器件及其制备方法_苏州汉骅半导体有限公司_202512052972.6
    本发明公开了一种基于外延重构的MicroLED显示器件及其制备方法，器件包括若干组显示单元，每个显示单元具有垂直堆叠的三个独立LED子单元结构，每个子单元依次包括N‑GaN层、选择性光源层、SiN绝缘层、P‑GaN层，子单元之间设置高阻Al...
    2026-05-10
  • 一种基于外延重构的MicroLED显示器件及其制备方法
    一种基于外延重构的MicroLED显示器件及其制备方法_苏州汉骅半导体有限公司_202512052880.8
    本发明公开了一种基于外延重构的MicroLED显示器件及其制备方法，器件包括若干组显示单元，N‑GaN层；选择性光源层，覆盖所述N‑GaN层的部分上表面；SiN绝缘层，覆盖N‑GaN层其他部分上表面且位于选择性光源层的两侧；P‑GaN层，覆...
    2026-05-10
  • 一种LED光源的制作方法及其LED光源
    一种LED光源的制作方法及其LED光源_深圳循光科技有限公司_202411524519.X
    本发明涉及半导体发光技术领域，公开了一种LED光源的制作方法及其LED光源。步骤S1、在载板上点透光胶；倒置LED发光芯片，使LED发光芯片的正面的发光面正对透光胶，并将LED发光芯片压合至载板的透光胶上。步骤S2、固化后，移走载板，正置L...
    2026-05-10
  • 一种APD封装及其温度控制方法
    一种APD封装及其温度控制方法_芯思杰技术(深圳)股份有限公司_202512029836.5
    本申请涉及一种APD封装及其温度控制方法，包括：第一热敏电阻、第二热敏电阻、温差计算模块、以及TEC调节模块，其中：第一热敏电阻，放置在与APD芯片相邻的TEC调节模块的制冷面上；第二热敏电阻，设置在TEC调节模块旁侧，用以采集环境温度；温...
    2026-05-10
  • 一种适用于近红外波段的多波段吸收器和一种光电探测器
    一种适用于近红外波段的多波段吸收器和一种光电探测器_重庆理工大学_202610436742.1
    本发明涉及红外光的强度、光谱含量的测量，具体涉及到一种适用于近红外波段的多波段吸收器和一种光电探测器。其中的吸收器包括依次堆叠的基底层、过渡金属氮化物层和分布式布拉格反射镜。本发明可实现近红外多波段高效吸收，每个吸收峰效率高，可覆盖近红外波...
    2026-05-10
  • 背接触太阳能电池
    背接触太阳能电池_横店集团东磁股份有限公司_202511879745.4
    本申请涉及一种背接触太阳能电池，包括半导体基体和钝化减反膜，半导体基体的背光面具有掺杂区域，掺杂区域设有隧穿氧化层以及设于隧穿氧化层远离半导体基体一侧的掺杂层，钝化减反膜包括设于掺杂层远离隧穿氧化层一侧的第一钝化减反膜，掺杂区域具有塔基状纹...
    2026-05-10
  • 一种光伏组件及其制备方法、光伏组件的制造设备
    一种光伏组件及其制备方法、光伏组件的制造设备_晶科能源(海宁)有限公司_202610450108.3
    本申请涉及光伏技术领域，具体涉及一种光伏组件及其制备方法、光伏组件的制造设备，光伏组件包括背接触电池片、绝缘条、导电件以及电连接件，背接触电池片包括第一表面，第一表面上设置有沿第一方向延伸的细栅，绝缘条在第一表面上沿第一方向间隔排布，绝缘条...
    2026-05-10
  • 一种背接触太阳能电池及光伏组件
    一种背接触太阳能电池及光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202512002938.8
    本发明公开一种背接触太阳能电池及光伏组件，涉及光伏技术领域，用于提高绝缘结构的绝缘特性，降低背接触太阳能电池的漏电风险。背接触太阳能电池包括电池本体，以及设置在电池本体的背面上的第一集电电极、第二集电电极和绝缘结构。第一集电电极和第二集电电...
    2026-05-10
  • 一种背接触电池及光伏组件
    一种背接触电池及光伏组件_嘉兴隆基光伏科技有限公司_202511975448.X
    本申请公开了一种背接触电池及光伏组件，背接触电池包括：电池本体，电池本体具有相对设置的第一表面和第二表面；第一集电电极和第二集电电极设置于第一表面上，第一集电电极具有第一断开部；第一连接导体设置于第一表面上，第一连接导体在第一表面上的正投影...
    2026-05-10
  • 一种背接触电池及其制备方法、光伏组件
    一种背接触电池及其制备方法、光伏组件_嘉兴隆基光伏科技有限公司_202511970987.4
    本申请公开了一种背接触电池及其制备方法、光伏组件，背接触电池包括：电池本体具有相对设置的第一表面和第二表面；第一集电电极和第二集电电极设置于第一表面，第一集电电极与第二集电电极沿第一方向交替间隔排布，且均沿第二方向延伸，第一集电电极上设有第...
    2026-05-10
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_横店集团东磁股份有限公司_202511879731.2
    本公开涉及一种太阳能电池及其制备方法，所述太阳能电池包括硅基衬底和设于该硅基衬底上的栅线电极，所述栅线电极包括主栅线和副栅线，所述硅基衬底表面包括栅线区域和非栅线区域，所述栅线区域为所述主栅线和所述副栅线覆盖的区域，其余为所述非栅线区域；所...
    2026-05-10
  • 一种背接触太阳能电池及其制备方法和应用
    一种背接触太阳能电池及其制备方法和应用_正泰新能科技股份有限公司_202610152694.3
    本发明提供一种背接触太阳能电池及其制备方法和应用。该背接触太阳能电池包括硅衬底，硅衬底包括相对的正面和背面，正面为绒面结构；在第一方向上，背面包括交替排布的第一型区域和第二型区域，且相邻的第一型区域和第二型区域之间通过间隔区进行间隔；第一型...
    2026-05-10
  • 一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件
    一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202610020630.8
    本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，涉及光伏技术领域，以解决N型掺杂层和P型掺杂层靠近电池片边缘的部分缺陷隐患较大，漏电风险较高的问题。该太阳能电池包括：基底和电流收集层。电流收集层设置于基底的第一表面上，包括多个沿第一方向间...
    2026-05-10
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