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最新专利技术
  • 一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件
    一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202610020630.8
    本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，涉及光伏技术领域，以解决N型掺杂层和P型掺杂层靠近电池片边缘的部分缺陷隐患较大，漏电风险较高的问题。该太阳能电池包括：基底和电流收集层。电流收集层设置于基底的第一表面上，包括多个沿第一方向间...
    2026-05-10
  • 太阳能电池及制备方法、叠层电池、光伏组件和加工设备
    太阳能电池及制备方法、叠层电池、光伏组件和加工设备_晶科能源(海宁)有限公司_202610452899.3
    本申请涉及光伏技术领域，特别是一种太阳能电池及制备方法、叠层电池、光伏组件和加工设备。本申请多提供的制备方法能够利用对太阳能电池进行印刷和烧结之间的工艺窗口期对其进行光热协同处理，以激活太阳能电池膜层中的氢原子，并引导其朝向基底的方向进行迁...
    2026-05-10
  • 光伏电池的制造方法及其装置、光伏电池、光伏组件
    光伏电池的制造方法及其装置、光伏电池、光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202610437338.6
    本公开涉及光伏领域，提供一种光伏电池的制造方法及其装置、光伏电池、光伏组件，制造方法包括：提供初始电池片，初始电池片包括：电池基片；位于电池基片上的第一导电部；钝化层，至少位于部分数量的第一导电部上或位于第一导电部的部分区域上；在钝化层远离...
    2026-05-10
  • 电池串制备方法及光伏组件
    电池串制备方法及光伏组件_正泰新能科技股份有限公司_202610152677.X
    本发明涉及光伏技术领域，尤其涉及一种电池串制备方法及光伏组件。该电池串制备方法主要包括以下步骤：电池串排版。在相邻两个电池片上敷设互联焊带。将端部焊带弯折形成相互连接的第一连接部和第二连接部，将第一连接部与第一电池片进行电连接，第二连接部与...
    2026-05-10
  • 一种氮化镓/钙钛矿异质结复合材料及其制备方法和应用
    一种氮化镓/钙钛矿异质结复合材料及其制备方法和应用_山东科技大学_202610144284.4
    本发明提供了一种氮化镓/钙钛矿异质结材料及其制备方法和应用。包括以下步骤：(a)钙钛矿粉末合成：将卤化铯和卤化铅以一定的摩尔比完全溶于二甲基亚砜，随后加入反溶剂，析出黄色沉淀，将黄色沉淀离心、真空干燥，获得钙钛矿粉末；(b)异质结复合材料制...
    2026-05-10
  • 一种太阳能组件封装设备及其工艺
    一种太阳能组件封装设备及其工艺_凯盛光伏材料有限公司_202610125496.8
    本发明公开了一种太阳能组件封装设备及其工艺，属于太阳能组件封装领域。该太阳能组件封装设备，包括用于输送盖板的第一输送线，沿第一输送线的输送方向依次设置有清洗组件与干燥组件，干燥组件末端设置第三输送线，第三输送线上设置两组封边胶贴附组件，位于...
    2026-05-10
  • 一种晶硅太阳能电池的制绒方法、太阳能电池及花篮
    一种晶硅太阳能电池的制绒方法、太阳能电池及花篮_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202610113325.3
    本发明公开一种晶硅太阳能电池的制绒方法、太阳能电池及花篮。制绒方法包括：提供晶硅基体，所述晶硅基体包括相对的第一主表面和第二主表面；将所述晶硅基体浸入制绒溶液中，使所述制绒溶液与所述晶硅基体反应并在所述晶硅基体的第一主表面和第二主表面均产生...
    2026-05-10
  • 一种太阳能电池金属电极的制备方法及太阳能电池
    一种太阳能电池金属电极的制备方法及太阳能电池_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202610076572.0
    本发明公开了一种太阳能电池金属电极的制备方法及太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域。该方法包括：提供电池基体，所述电池基体包括沉积区域，所述沉积区域的表面为硅表面；采用含有氟的镀层沉积溶液在所述沉积区域的表面形成Si‑F键以及沉积种子层；在所...
    2026-05-10
  • 划片装置、划片方法及钝化设备
    划片装置、划片方法及钝化设备_无锡先导智能装备股份有限公司_202610070035.5
    本发明公开了一种划片装置、划片方法及钝化设备。该划片装置包括转动座和多个划片机构，所述转动座设有放置部，所述放置部适用于放置工件。所述多个划片机构沿所述转动座的周向间隔设置，所述放置部能够在多个所述划片机构之间转动。多个划片机构沿转动座的周...
    2026-05-10
  • 一种TCO薄膜及其制备工艺
    一种TCO薄膜及其制备工艺_广东先导稀材股份有限公司_202511967856.0
    本发明属于光电器件领域，具体公开了一种TCO薄膜及其制备工艺，所述制备工艺包括：基底预处理后沉积TCO层，得到中间产物，三阶段退火处理中间产物，第一阶段于氢气‑氩气混合气氛下退火；第二阶段于金属离子蒸汽环境下退火；第三阶段于真空氛围下退火；...
    2026-05-10
  • 一种光耦高压隔离器的制造方法及光耦高压隔离器
    一种光耦高压隔离器的制造方法及光耦高压隔离器_莱弗利科技(苏州)有限公司_202511870317.5
    本发明涉及半导体技术领域，尤其是指一种光耦高压隔离器的制造方法及光耦高压隔离器，包括：提供预设厚度的第一玻璃基板，在其相对两表面分别制作第一电路布线及第一焊垫；将光发射元件及第一功能芯片固晶贴装于其第一表面(发射端)，将第二功能芯片固晶贴装...
    2026-05-10
  • 芯片及芯片的制造方法
    芯片及芯片的制造方法_上海曦智科技股份有限公司_202411515221.2
    本申请的实施例公开了一种芯片及芯片的制造方法。芯片包括光波导，上述方法包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成掩膜层；形成光阻图案，所述光阻图案包括顶面和侧壁；在所述光阻图案的侧壁上形成吸附物；以附着有吸附物的光阻图案为遮罩，刻蚀所述掩膜层...
    2026-05-10
  • 一种级联倍增线性模式硅APD阵列芯片及其制备方法
    一种级联倍增线性模式硅APD阵列芯片及其制备方法_西南技术物理研究所_202610437672.1
    本发明属于光电技术领域，公开了一种级联倍增线性模式硅APD阵列芯片及其制备方法，该级联倍增线性模式硅APD阵列芯片包括衬底层以及呈阵列布设于衬底层上的若干像元结构单元；衬底层材料为P型掺杂磷化镓；像元结构单元包括自下而上依次设置的p+缓冲层...
    2026-05-10
  • 具有用于增强蓝光检测的光学结构的半导体器件
    具有用于增强蓝光检测的光学结构的半导体器件_半导体元件工业有限责任公司_202510045734.X
    本公开涉及具有用于增强蓝光检测的光学结构的半导体器件。公开了一种半导体器件。该半导体器件包括多个图像像素。每个图像像素包括半导体区和单光子雪崩二极管，该单光子雪崩二极管形成在该半导体区中。每个图像像素还包括光学结构，该光学结构设置在该半导体...
    2026-05-10
  • 一种孪生自校准光电概率比特电路单元及其制备和使用方法
    一种孪生自校准光电概率比特电路单元及其制备和使用方法_北京大学_202512041881.2
    本发明提供一种孪生自校准光电概率比特电路单元及其制备和使用方法，该电路单元包括自校准光电差分模块、电压比较器和参考电压源，自校准光电差分模块为一对空间紧耦合的光电氧化铟镓锌IGZO薄膜晶体管，通过紫外光刻工艺和射频磁控溅射工艺同时对器件进行...
    2026-05-10
  • 一种光电传感元件、光电传感阵列及制备方法
    一种光电传感元件、光电传感阵列及制备方法_苏州市华芯云睿微电子科技有限公司_202610169889.9
    本发明涉及一种光电传感元件、光电传感阵列及制备方法，光电传感元件包括衬底、晶体管模块以及光电探测模块，晶体管模块包括栅极、第一介电层、有源层、第一源极与第一漏极、第一钝化层；光电探测模块自下而上依次设置有第二介电层、第二源极与第二漏极、第二...
    2026-05-10
  • 一种图像传感器隔离结构的形成方法及图像传感器
    一种图像传感器隔离结构的形成方法及图像传感器_格科微电子(上海)有限公司_202610043591.3
    本发明公开了一种图像传感器隔离结构的形成方法及图像传感器，该方法包含：步骤S1，提供一衬底，在所述衬底内形成一毯式N阱层；步骤S2，在所述毯式N阱层上沿同一平面布置像素区、保护环区、外围区，所述保护环区环绕设置在所述像素区外，所述外围区环绕...
    2026-05-10
  • 一种动态可调的范德华异质结脉冲型事件探测器
    一种动态可调的范德华异质结脉冲型事件探测器_中国科学院上海技术物理研究所_202610452767.0
    本发明名称为一种动态可调的范德华异质结脉冲型事件探测器，属于事件探测器技术领域。所要解决的技术问题为现有传感器对时间响应和脉冲特性的调控能力有限的技术问题，技术方案要点为：包括从下至上依次设置的衬底层、电极结构、二维材料异质结层；电极结构，...
    2026-05-10
  • 基于GaN基异质结的双功能集成光电晶体管及其制备方法
    基于GaN基异质结的双功能集成光电晶体管及其制备方法_华南师范大学_202512046763.0
    本发明涉及光电探测器技术领域，为一种基于GaN基异质结的双功能集成光电晶体管及其制备方法，基于GaN基异质结的双功能集成光电晶体管，包括衬底层，利用外延生长法依次在衬底层上生长缓冲层、GaN势垒层、AlN反射层、AlGaN势垒层、GaN帽层...
    2026-05-10
  • 一种碳基范德华异质结光电突触器件及其制备方法
    一种碳基范德华异质结光电突触器件及其制备方法_中国人民解放军国防科技大学_202610463224.9
    一种碳基范德华异质结光电突触器件，包括光吸收基底层、界面功能层、电荷传输层和电极结构；光吸收基底层用于吸收日盲紫外波段光子并产生光生载流；界面功能层用于通过界面缺陷能级俘获来自光吸收基底层的光生载流子，并通过静电场调控电荷传输层的电导率；电...
    2026-05-10
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