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最新专利技术
  • 以铌掺杂钛酸锶为衬底的肖特基器件的制备方法及应用
    以铌掺杂钛酸锶为衬底的肖特基器件的制备方法及应用_三峡大学_202511994640.3
    本发明涉及半导体器件技术领域，具体公开了一种以铌掺杂钛酸锶为衬底的肖特基器件的制备方法及应用，制备时，以铌掺杂钛酸锶为衬底，先在衬底的两端磁控溅射镀Al电极作为欧姆接触，后在衬底的中间点胶设导电银浆作为肖特基接触，其中导电银浆点胶处理后进行...
    2026-04-27
  • 基于化学机械抛光的氧化镓肖特基二极管制备方法
    基于化学机械抛光的氧化镓肖特基二极管制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511887813.1
    本申请提供了一种基于化学机械抛光的氧化镓肖特基二极管制备方法，属于肖特基二极管制造技术领域，包括：分别在各芯片功能区的外延层侧制备阳极层；使阳极层的表面与柔性的抛光垫紧密贴合接触，抛光垫挤入开槽凹陷中，并与外延层的表面进行接触；挤入开槽凹陷...
    2026-04-27
  • 一种斜角终端二极管雪崩整形器件及其制备方法
    一种斜角终端二极管雪崩整形器件及其制备方法_西安电子科技大学芜湖研究院_202511868474.2
    本发明公开了一种斜角终端二极管雪崩整形器件及其制备方法，方法包括：获取N+型SiC衬底并在其上制备N‑型SiC外延层；在上方离子注入形成第一P+层；在上方形成矩形状周期性间隔分布的第一层，在上方生成第二P+层，和第一P+层构成下表面呈周期性...
    2026-04-27
  • MIM电容结构及其制备方法
    MIM电容结构及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610296709.3
    本申请提供了一种MIM电容结构及其制备方法，属于半导体技术领域，该制备方法包括：在衬底上形成第一绝缘层，并采用预设光罩执行第一光刻工艺及刻蚀工艺在第一绝缘层中形成沟槽；依次形成第一导电层、第一介电层、第二导电层及第二介电层；采用预设光罩对第...
    2026-04-27
  • 一种超薄HfO2基铁电电容器及其制备方法与应用
    一种超薄HfO2基铁电电容器及其制备方法与应用_复旦大学_202511815085.3
    本发明属于铁电存储技术领域，具体涉及一种超薄HfO2基铁电电容器及其制备方法与应用，包括依次叠合设置的：底导电电极层、底超薄金属层、铁电介质层、顶超薄金属层、顶导电电极层和掩膜层；底超薄金属层采用的金属材料的热膨胀系数小于铁电介质层采用的介...
    2026-04-27
  • 集成电路和半导体装置
    集成电路和半导体装置_联发科技股份有限公司_202511363367.4
    一种集成电路包括主控晶粒、基底晶粒和至少两个高带宽存储器(HBM)堆栈，其均位于中介层上。主控晶粒包含多个处理器，该至少两个HBM堆栈位于基底晶粒上并通过基底晶粒和中介层与主控晶粒进行通信。该至少两个HBM堆栈和主控晶粒排列成一行，其中，主...
    2026-04-27
  • 一种忆阻器及其制备方法
    一种忆阻器及其制备方法_宁波大学_202511865427.2
    本发明涉及一种忆阻器及其制备方法；所述制备方法包括：提供表面形成有底电极的绝缘衬底；在室温条件下采用电子束蒸发在底电极上沉积氧化铝薄膜以形成阻变功能层，且沉积完成后不进行高温退火处理，使薄膜内部保留原生氧空位缺陷；随后在所述阻变功能层上通过...
    2026-04-27
  • 基于蓝宝石衬底Mn掺杂氧化镓异质外延的阻变存储器的制备方法
    基于蓝宝石衬底Mn掺杂氧化镓异质外延的阻变存储器的制备方法_西安电子科技大学_202511858774.2
    本发明属于半导体技术领域，提供了一种基于蓝宝石衬底Mn掺杂氧化镓异质外延的阻变存储器的制备方法，解决了现有技术中氧化镓基阻变存储器开关比低、制备器件稳定性不足、在高温高场环境下工作稳定性不足等问题，该方法包括：清洗蓝宝石衬底；将镓和锰的熔融...
    2026-04-27
  • 选择开关器件的制备方法及选择开关器件
    选择开关器件的制备方法及选择开关器件_广州天链芯半导体有限公司_202511782941.X
    本公开关于一种选择开关器件的制备方法及选择开关器件。该方法可以包括：响应于制备选择开关器件的指令，获取衬底；在衬底上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成下电极材料层，并对下电极材料层进行刻蚀处理，在下电极材料层中形成锥台状下电极；在锥台状下电...
    2026-04-27
  • 磁性存储器
    磁性存储器_中电海康集团有限公司_202511891189.2
    本申请提供了一种磁性存储器，该磁性存储器包括：依次叠置的复合自旋源层、过渡层、间隔层和磁性层，复合自旋源层至少包括多个叠置的交替结构，交替结构包括依次交替叠置的第一金属层和非磁性金属层，第一金属层的材料包括Pt，非磁性金属层的材料包括非磁性...
    2026-04-27
  • 具有通过晶体管电路的存储器装置
    具有通过晶体管电路的存储器装置_爱思开海力士有限公司_202510339110.9
    本申请涉及具有通过晶体管电路的存储器装置。一种存储器装置具有：基板，该基板具有H形有源区域，该H形有源区域包括在第一水平方向上延伸的公共有源区域以及在垂直于第一水平方向的第二水平方向上从公共有源区域的边缘延伸的第一突出有源区域、第二突出有源...
    2026-04-27
  • 利用硅/硅锗堆叠替换提高3D NAND刻蚀效率的方法及系统
    利用硅/硅锗堆叠替换提高3D NAND刻蚀效率的方法及系统_启迪原子私人有限公司_202511391188.1
    本发明涉及一种利用硅/硅锗堆叠替换提高3D NAND刻蚀效率的方法及系统。该方法采用硅(Si)和硅锗(SiGe)堆叠替代传统的ONON堆叠。由于硅和硅锗具有较低的键合能和较高的反应活性，该方法可简化并加快刻蚀工艺，同时还能实现有效的层替换，...
    2026-04-27
  • 用于制造半导体装置的方法
    用于制造半导体装置的方法_北京磐芯微电子科技有限公司_202311285222.8
    本公开提供了一种用于制造半导体装置的方法。该半导体装置包括形成多个闪存单元的第一区域和形成金属氧化物半导体(MOS)晶体管的第二区域，每个闪存单元包括两个存储晶体管和置于其间的一个选通晶体管。根据本公开的用于制造半导体装置的方法包括：提供半...
    2026-04-27
  • FLASH器件的形成方法
    FLASH器件的形成方法_上海积塔半导体有限公司_202610064975.3
    本发明涉及一种FLASH器件的形成方法。所述FLASH器件的形成方法包括如下步骤：形成基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的选择栅极、覆盖于所述选择栅极的侧壁上的选择隔离层、以及位于所述选择隔离层背离所述选择栅极一侧的浮置栅极；形成覆盖所...
    2026-04-27
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_爱思开海力士有限公司_202510333663.3
    本申请涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：栅极结构，其包括层叠的本地线；第一接触插塞，其延伸穿过栅极结构并且分别连接到本地线；沟道图案，其位于栅极结构上方并且分别连接到第一接触插塞；背栅极线，其位于栅极结构和沟道图案之...
    2026-04-27
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511942290.6
    本申请的实施例涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括在半导体前侧上的有源区。有源区包括反熔丝控制单元，其包括多个第一晶体管。半导体器件包括与多个第一晶体管耦合的前侧金属化层。半导体器件包括位于半导体器件背侧的一次性可编程电路。一次性可编...
    2026-04-27
  • 双反熔丝器件和包括双反熔丝器件的存储器结构
    双反熔丝器件和包括双反熔丝器件的存储器结构_格芯(美国)集成电路科技有限公司_202511224918.9
    本公开涉及双反熔丝器件和包括双反熔丝器件的存储器结构。公开了一种具有两个电隔离的反熔丝的双反熔丝(DAF)器件。DAF器件包括栅极结构，栅极结构包括对位于第一导电区和第二导电区之间的半导体层中的凹部进行加衬的电介质层，以及位于电介质层上的导...
    2026-04-27
  • 有限次可编程的非易失性存储器及其制备与操作方法
    有限次可编程的非易失性存储器及其制备与操作方法_行至存储科技(苏州)有限公司_202511932134.1
    本发明提供一种有限次可编程的非易失性存储器及其制备与操作方法，通过在漏极区域设置P型口袋区及N型漏掺杂区，且使两者在侧墙叠层结构的下方具有纵向交界面，从而当在N型存储晶体管正向导通时实现电子的写入，另外，当在N型存储晶体管未正向导通时，实现...
    2026-04-27
  • 三维半导体装置
    三维半导体装置_华邦电子股份有限公司_202511434418.8
    一种三维半导体装置，包括多个存储单元层与多个绝缘层交替地位于衬底上，以及多条位线位于衬底上且彼此相距。位线与存储单元层定义出一堆叠存储单元阵列。存储单元阵列包含多个存储单元。各存储单元包含基体、栅极结构和导电部。位于衬底上方的基体具有相对的...
    2026-04-27
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511376657.2
    一种半导体器件，包括：在衬底上沿竖直方向延伸的位线；晶体管主体，电连接到位线并包括在第一水平方向上的第一源极/漏极区、沟道区和第二源极/漏极区；在与第一水平方向相交的第二水平方向上延伸并在沟道区上的栅电极，其中栅电介质层在栅电极和沟道区之间...
    2026-04-27
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