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  • 本发明公开了一种电力开关柜,涉及电力柜技术领域,包括开关柜体,开关柜体正面的顶部设有遮蔽防护机构,遮蔽防护机构包括条形盒、斜面盒以及网状遮蔽帘,条形盒内部的两侧分别设有自动放卷结构和喷淋结构,开关柜体正面的一侧铰接有柜门,本发明一种电力开关...
  • 本发明涉及一种防潮预装式变电站及其工作方法。一种防潮预装式变电站,包括箱体、散热装置、防潮装置、控制系统。散热装置包括若干进气孔、若干排气孔、散热风机、散热管道。若防潮装置包括旋转驱动装置、吸湿筒、防潮空腔。吸湿筒设置于防潮空腔内,围绕箱体...
  • 本发明涉及高低压电气设备技术领域,公开一种带自适应保护参数的高低压成套开关设备及在线故障诊断方法。设备包括参数采集、核心控制、执行及无线通信模块,核心控制模块内置自适应保护参数调节与故障诊断单元;方法含参数预处理、特征提取、分层诊断及故障定...
  • 本申请涉及电气控制技术领域,公开了一种具备多回路智能监测功能的模块化电气控制盒,包括:盒体,作为整体装置的基础构件,用于承载和装配各个处理机构及其所属下位结构件;气体监测装置,设于盒体内部,对盒体内部的气体进行实时监测;浓度监测器,通过自清...
  • 本发明涉及一种具有实时监测预警的开关柜显示装置,它包括柜体、调平组件和多角度调节组件,柜体下部前后左右各设置有水平监控仪,用于实时监测柜体各个方向的水平状态;调平组件位于柜体底部且调平组件内部设置有与水平监控仪通讯连接的水平数据传输器,用于...
  • 本发明公开了一种电力配电柜专用电线电缆装配保护结构,包括配电柜柜体、铰接于柜体的柜门;所述配电柜柜体顶部设置有顶部线缆接入件,所述顶部线缆接入件上设有柔性穿线板;所述配电柜柜体内部竖向布置有固定理线组件与活动理线组件,所述固定理线组件包括固...
  • 本发明涉及智能电网设备技术领域,并公开了带理线架的配电箱内部布线结构,包括固定单元,固定单元内设置有用于对多根线缆进行集体侧向约束的夹持执行单元,固定单元之间设置有用于同步驱动两侧夹持执行单元联动的驱动单元,夹持执行单元中设置有用于容纳多根...
  • 本发明公开了一种断路器的配电底盘,属于配电设备技术领域,包括底座和上盖;底座和上盖均采用高绝缘性工程塑料通过一体注塑成型工艺制成;底座上设置有第一弹性卡脚,上盖上开设有与第一弹性卡脚相互配合的弹性卡脚插入槽和弹性卡脚支持壁;第一弹性卡脚穿过...
  • 本发明涉及建筑施工技术领域,公开了一种屋面防雷击装置及施工方法,包括:避雷针组件;支撑装置,支撑装置沿高度方向的上端部与避雷针组件可拆卸连接;连接装置组件,连接装置组件与支撑装置沿高度方向的下端部可拆卸连接,连接装置组件与金属屋面钢结构可拆...
  • 本发明公开了一种火花塞电极及其制作方法,包括接地电极,所述接地电极的中心位置处设置有中心电极及若干贵金属板电极,其中,各贵金属板电极沿周向设置于中心电极的周围,且贵金属板电极与中心电极之间的间隙,且各贵金属板电极与中心电极之间的距离相同,所...
  • 本申请公开了一种垂直腔面发射激光器阵列及其光强均匀性设计方法,所述垂直腔面发射激光器阵列的发光区域为长条形,包括:衬底、第一分布式布拉格反射区、有源区、第二分布式布拉格反射区,以及设置于所述有源区或者所述第二分布式布拉格反射区的发光孔层,所...
  • 本发明提出了一种具有量子隧穿空穴注入层的氮化镓基半导体激光器,在激光器中设置量子隧穿空穴注入层,且该量子隧穿空穴注入层中的SIMS测试Al离子强度或Al原子浓度分布具有非对称双S型函数分布,使得在量子隧穿空穴注入层中形成价带有效态密度的峰值...
  • 本发明提出一种具有抑制杂散衍射光斑层的氮化镓基半导体激光器,包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层。下限制层的SIMS测试Al原子浓度或Al离子强度曲线、下限制层的折射率分布曲线、上限制层的S...
  • 本发明涉及半导体激光器和集成光电子器件技术领域,更具体地,涉及一种基于侧向外延的薄膜激光器及制备方法。本发明通过在衬底上依次制备底部绝缘层、中间层和顶部绝缘层;在所述顶部绝缘层的一侧套刻侧向外延窗口,并刻蚀掉所述侧向外延窗口处的顶部绝缘层并...
  • 本发明公开了一种基于掩埋异质结的分布反馈式激光芯片及制备方法,涉及半导体器件技术领域,该芯片包括衬底及设于衬底之上的外延层,该外延层包括:缓冲层、下波导层、下限制层、有源区、上限制层、上波导层、掩埋层;外延层包括MESA高台以实现光波导输出...
  • 本发明公开了一种基于法布里‑珀罗腔谐振反馈的窄线宽垂直腔面发射激光器,包括窄线宽垂直腔面发射激光器VCSEL、耦合器、环行器以及F‑P腔,VCSEL的输出端通过耦合器、环行器连接F‑P腔,VCSEL的主模激光波长与F‑P腔对应窄带透射谱中的...
  • 本申请公开了一种激光器及其制备方法, 激光器包括沿第一方向层叠设置的第一反射镜、空穴传输层、增益层、电子传输层和第二反射镜,还包括第一电极和第二电极,第一电极位于空穴传输层背离增益层的一侧,第一电极、空穴传输层在第一方向的投影部分交叠,第二...
  • 本发明提出一种可调谐外腔激光器芯片及其制备方法,涉及激光器技术领域,芯片包括:平面光波导回路、增益芯片;通过平面光波导回路中的移相器阵列和第一微环移相器将微环谐振器的窄带透射峰与多通道干涉模块的干涉通带进行初步对准,完成激射工作点的选择;以...
  • 本发明涉及半导体激光器技术领域,具体为一种基于顶面金属光栅负啁啾激光器,包括激光增益芯片;金属光栅增益电极,设置在所述激光增益芯片的上端面右侧;金属光栅调制电极,设置在所述激光增益芯片的上端面左侧;电极隔离槽,设置在所述激光增益芯片的上端面...
  • 本发明涉及光电子器件技术领域,尤其是基于两不同光栅且相位间隔λ/2金属光栅的激光器,包括 : 增益芯片、增益芯片光波导、光栅光波导衬底、光波导以及金属BRAGG反射光栅。采用独特的外腔结构,摒弃传统夹层半导体光栅,采用顶部金属光栅,极大地简...
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