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最新专利技术
  • 提高VCM底座生产良率的立体电路集成制造工艺及系统
    提高VCM底座生产良率的立体电路集成制造工艺及系统_苏州和林微纳科技股份有限公司_202511727634.1
    本发明公开了一种提高VCM底座生产良率的立体电路集成制造工艺及系统，包括：S1、对VCM底座的塑件本体表面清洗；S2、在预处理后的塑件本体表面上贴装IC器件、电容器件及空心线圈；S3、构建有效训练数据集；S4、采用DE‑SVR模型优化贴装参...
    2026-05-14
  • 一种SMT兼容的DIP元器件安装焊接方法
    一种SMT兼容的DIP元器件安装焊接方法_重庆胜普电子有限公司_202610123840.X
    本发明涉及DIP元器件安装技术领域，具体涉及一种SMT兼容的DIP元器件安装焊接方法，包括采用引脚成型模具对DIP元器件引脚进行处理，使DIP元器件引脚向外弯折，然后对DIP元器件引脚的弯折段进行裁剪；在印制电路板焊盘表面涂覆焊锡膏，并将D...
    2026-05-14
  • 半导体器件及其制造方法、存储器件
    半导体器件及其制造方法、存储器件_长江存储控股股份有限公司_202411476821.2
    本公开提供了一种半导体器件及其制造方法、存储器件，该半导体器件包括：字线；字线沿第一方向延伸；位线；位线沿第二方向延伸；第二方向与所述第一方向相交；第一导电连接结构；第一导电连接结构位于第一表面和字线之间；第一导电连接结构的一端与字线连接；...
    2026-05-14
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411523958.9
    一种半导体器件及其制备方法、电子设备。半导体器件包括多条位线、多个存储单元列和第一导电层；第一电极通过第一导电层连接位线，和/或第二电极通过第一导电层连接所述电容器；所述有源层和所述第一导电层之间的接触电阻设置为小于所述有源层和所述电容器之...
    2026-05-14
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411523970.X
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统。半导体器件包括半导体主体和位线，半导体主体沿第一方向延伸，位线在第一方向上位于半导体主体的一侧，位线包括金属硅化物层和位线金属层，金属硅化物层与半导体主体接触，金属硅化物层在第一方向上背离半...
    2026-05-14
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411523985.6
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统。半导体器件包括第一半导体结构，第一半导体结构包括半导体主体、电容结构和连接结构，半导体主体沿第一方向延伸，电容结构在第一方向上位于半导体主体的一侧并包括第一电极层，连接结构在第一方向上的一端...
    2026-05-14
  • 存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备
    存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备_华为技术有限公司_202411530492.5
    本申请实施例提供了一种存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备，涉及电子设备技术领域。存储阵列包括堆叠结构、多个沟道层、间隔部和支撑部。堆叠结构包括层叠的多层第一电极层；堆叠结构设有开槽，开槽包括开孔和多个子槽，开孔贯穿多层第一电极层，多个子...
    2026-05-14
  • 一种半导体结构及其制造方法
    一种半导体结构及其制造方法_长鑫科技集团股份有限公司_202411538538.8
    本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其形成方法，至少可以包括：基底；位线结构，位于基底上，多条位线结构沿第一方向延伸且沿第二方向间隔设置，第一方向与第二方向垂直；第一介质层，位于相邻位线结构之间且沿第一方向间隔设置；接触结构，位...
    2026-05-14
  • 半导体器件及其制作方法和电子装置
    半导体器件及其制作方法和电子装置_北京超弦存储器研究院_202411545113.X
    一种半导体器件及其制作方法和电子装置。在所述半导体器件中，位线沿与衬底垂直的第一方向延伸；字线沿与衬底平行的第二方向延伸；各存储结构层包括至少一个存储结构，各存储结构包括沿第二方向依次设置的多个存储单元，各存储单元包括电容器和晶体管，晶体管...
    2026-05-14
  • 半导体结构及其制造方法、电子设备
    半导体结构及其制造方法、电子设备_长鑫科技集团股份有限公司_202411545203.9
    一种半导体结构及其制造方法、电子设备。半导体结构包括：有源柱，沿垂直方向延伸；字线，沿第一水平方向延伸，且与有源柱耦合以形成晶体管；位线，沿第二水平方向延伸，且与有源柱耦接，其中，第二水平方向与第一水平方向相交；其中，字线包括覆盖有源柱的侧...
    2026-05-14
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411546089.1
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统。半导体器件包括外围电路结构、第一半导体结构和第二半导体结构，第一半导体结构在第一方向上位于外围电路结构的一侧并与外围电路结构耦接，第二半导体结构在第一方向上位于外围电路结构背离第一半导体结构...
    2026-05-14
  • 半导体结构、半导体结构的制备方法及电子设备
    半导体结构、半导体结构的制备方法及电子设备_北京超弦存储器研究院_202411546202.6
    本申请提供一种半导体结构、半导体结构的制备方法及电子设备，该半导体结构包括衬底、多层存储阵列、多条字线和多条位线，多层存储阵列沿垂直于衬底的方向堆叠；各层存储阵列均包括多个存储单元，多个存储单元沿行方向和列方向阵列排布；各存储单元均包括晶体...
    2026-05-14
  • 存储器及存储器的制备方法
    存储器及存储器的制备方法_华为技术有限公司_202411549052.4
    本申请提供了一种存储器及存储器的制备方法，其中，该存储器包括：堆叠设置的多个存储阵列晶圆，所述多个存储阵列晶圆中相邻的两个存储阵列晶圆键合设置，每个存储阵列晶圆包括存储阵列和感测放大器电路，所述存储阵列包括多个存储单元，每个存储单元包括第一...
    2026-05-14
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202511077852.5
    一种半导体装置包括：第一结构，其包括衬底；以及第二结构，其与第一结构重叠并且包括外围电路。第一结构包括：器件隔离结构，其位于衬底中；彼此间隔开的沟道结构；绝缘图案，其位于沟道结构之间；位线，其在竖直方向上延伸并且接触沟道结构；栅电极，其围绕...
    2026-05-14
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511304192.X
    半导体器件包括包括NMOS区域和PMOS区域的衬底、第一栅极堆叠和与第一栅极堆叠相邻的第一源极/漏极区以及PMOS区域中的晶体管，晶体管包括第二栅极堆叠和与第二栅极堆叠相邻的第二源极/漏极区，其中, 第一栅极堆叠包括顺序堆叠的第一高介电常数...
    2026-05-14
  • 三维半导体装置及其制造方法
    三维半导体装置及其制造方法_三星电子株式会社_202511423073.6
    一种三维半导体装置，包括：位线，其与衬底间隔开并且在垂直于衬底的下表面的方向上延伸；第一半导体图案，其在位线的第一侧表面上，第一半导体图案包括作为第一半导体图案中的最上面的第一半导体图案的第一最上图案；以及字线，其围绕第一半导体图案。第一最...
    2026-05-14
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202511442232.7
    半导体存储器装置包括：包含有源区的衬底；在衬底上的位线结构，位线结构包括单元导电线和单元线盖膜；存储接触，设置在位线结构的相对侧，并连接到有源区；存储焊盘，在存储接触中的一个存储接触上并且连接到存储接触中的所述一个存储接触；以及数据存储图案...
    2026-05-14
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511501625.0
    一种半导体器件可以包括在垂直方向上堆叠的多个管芯，其中所述多个管芯中的每个包括：第一基板；单元电容器，在第一基板上；单元晶体管，在单元电容器上；第二基板，其中第二基板的垂直高度高于单元晶体管的垂直高度；外围电路晶体管，在第二基板上；以及贯穿...
    2026-05-14
  • 包括有源部分和位线的半导体器件
    包括有源部分和位线的半导体器件_三星电子株式会社_202511559265.X
    提供了一种半导体器件，包括：第一有源部分；第一有源部分的侧表面上的隔离区域；以及连接到第一有源部分的位线，其中第一有源部分包括与隔离区域接触的第一区域及以从第一区域向上延伸的第二区域，其中第二区域与隔离区域间隔开，并且其中位线包括：线部分，...
    2026-05-14
  • 半导体器件的制备方法及半导体工艺设备
    半导体器件的制备方法及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202511871145.3
    本申请提供了一种半导体器件的制备方法及半导体工艺设备，属于半导体技术领域，该半导体器件的制备方法包括形成堆叠结构，堆叠结构包括交替堆叠的至少一层功能层及至少一层牺牲层；沿堆叠结构的侧壁横向刻蚀牺牲层，以使功能层的部分宽度裸露；循环执行氧化步...
    2026-05-14
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