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最新专利技术
  • 用于系统操作的灵活背板
    用于系统操作的灵活背板_伍德沃德有限公司_202480059169.6
    一种背板，所述背板包括第一处理器槽、第二处理器槽、多个输入/输出(I/O)槽、第一I/O总线、与第一I/O总线电气隔离的第二I/O总线以及多个I/O连接端口。第一处理器槽包括第一处理器连接端口，所述第一处理器连接端口具有电气连接到第一处理器...
    2026-04-19
  • 冷却剂供应组件
    冷却剂供应组件_曼·胡默尔有限公司_202480013808.5
    一种冷却剂供应组件(100)，包括：上壳体(1)，所述上壳体(1)包括位于上壳体(1)的顶表面上的预过滤器安装部(130)、干燥剂安装部(170)、泵安装部(150)和主过滤器安装部(140)，上壳体(1)还包括位于上壳体(1)的第一侧表面...
    2026-04-19
  • 用于低温冷却系统的电组件
    用于低温冷却系统的电组件_量子运动科技有限公司_202480045155.9
    提供了一种用于低温冷却系统的电组件(1)，该电组件包括：印刷电路板(PCB 2)；以及沿着PCB 2布置的多个热连接器(6、7、8、9)。每个所述的热连接器(6、7、8、9)通过PCB 2的相应的折叠部分(3、4、5)与相邻的热连接器远端分...
    2026-04-19
  • 多级变流器中的用于散热器的装置
    多级变流器中的用于散热器的装置_西门子股份公司_202480060259.7
    变流器具有多个相支路(1)，相支路分别具有两个直流电压接头(2, 3)、一个交流电压接头(4)并且在交流电压接头(4)和直流电压接头(2, 3)之间分别具有由多个半导体开关(8)构成的串联电路。相支路(1)还具有电容器(9)，电容器分别与在...
    2026-04-19
  • 电磁波屏蔽用成型膜
    电磁波屏蔽用成型膜_东丽株式会社_202480060039.4
    本发明的目的在于提供一种电磁波屏蔽性、成型性及成型后的电磁波屏蔽性优异的电磁波屏蔽用成型膜。一种电磁波屏蔽用成型膜，至少在基材膜的单面具有导电层，所述导电层含有导电性粒子A及热塑性树脂，所述导电层的切断面中的空隙率为5%以上且30%以下，所...
    2026-04-19
  • 含有由竖直半导体沟道围绕的核心偏置电极的半导体器件
    含有由竖直半导体沟道围绕的核心偏置电极的半导体器件_桑迪士克科技股份有限公司_202580004679.8
    一种半导体器件包括：绝缘层与导电层的交替堆叠；存储器开口，该存储器开口竖直延伸穿过该交替堆叠；存储器开口填充结构，该存储器开口填充结构位于该存储器开口中并包括存储器膜、由该存储器膜横向围绕的竖直半导体沟道、接触该竖直半导体沟道的第一端部部分...
    2026-04-19
  • 包括多层沟槽桥接结构的三维存储器器件及其形成方法
    包括多层沟槽桥接结构的三维存储器器件及其形成方法_桑迪士克科技股份有限公司_202580004628.5
    一种半导体结构包括：第一层结构，该第一层结构包含第一绝缘层和第一导电层的一对第一交替堆叠；存储器开口，该存储器开口包含竖直延伸穿过第一层结构的存储器开口填充结构；横向隔离腔，该横向隔离腔位于该一对第一交替堆叠之间并且具有一对沿长度方向侧壁，...
    2026-04-19
  • 半导体功率装置
    半导体功率装置_沃尔塔半导体公司_202480058028.2
    揭露了具有较低电阻和较高击穿电压的半导体功率装置。揭露了操作半导体功率装置的方法。此半导体功率装置包括：漏极区域；第一区域，其接触该漏极区域且具有与该漏极区域的导电类型相同的导电类型，与该漏极区域的掺杂相比，该第一区域被掺杂得更轻；源极区域...
    2026-04-19
  • 具有在最低通道下方比通道之间更厚的栅极的背接触式全环绕栅极场效应晶体管结构
    具有在最低通道下方比通道之间更厚的栅极的背接触式全环绕栅极场效应晶体管结构_高通股份有限公司_202480057672.8
    公开了一种全环绕栅极场效应晶体管(FET)结构以及用于制造该全环绕栅极场效应晶体管(FET)结构的方法。在一方面，一种全环绕栅极FET结构包括栅极结构(244a‑244e)，该栅极结构设置于第一垂直源极/漏极(S/D)结构(208b)与第二...
    2026-04-19
  • 针对面对面键合的具有构造即正确时序收敛的系统和方法
    针对面对面键合的具有构造即正确时序收敛的系统和方法_弗萨姆材料美国有限责任公司_202480058190.4
    用于实现构造即正确时序收敛的系统和有关方法可以包括第一半导体设备，第一半导体设备在基部管芯上提供薄接口模块，薄接口模块包括：地址寄存机制，地址寄存机制根据来自地址时钟互连件的地址时钟用于地址互连件；数据寄存机制，数据寄存机制根据来自数据时钟...
    2026-04-19
  • 半导体装置以及半导体装置的制造方法
    半导体装置以及半导体装置的制造方法_美蓓亚功率半导体株式会社_202480059391.6
    本发明提供一种半导体装置，在经由焊料合金将半导体元件的表背两面与刚体连接的构造的半导体装置中，缓和在半导体装置使用中的半导体元件的表背两面产生的热应力的影响。一种半导体装置，其具有：半导体元件；引线框；绝缘基板；第一接合材料，其将所述半导体...
    2026-04-19
  • 高密度金属氧化物半导体(MOS)电容器(MOSCAP)与金属氧化物金属(MOM)电容器(MOMCAP)的堆叠布局
    高密度金属氧化物半导体(MOS)电容器(MOSCAP)与金属氧化物金属(MOM)电容器(MOMCAP)的堆叠布局_高通股份有限公司_202480057722.2
    描述了一种集成电路(IC)。IC包括金属氧化物金属(MOM)电容器(MOMCAP)。MOMCAP包括耦合到第一金属互连层的第一多个指状物的第一端子。MOMCAP还包括第二端子，该第二端子耦合到第一金属互连层的第二多个指状物并且与第一金属互连...
    2026-04-19
  • 具有竖直布线结构的互补场效应晶体管(CFET)电路
    具有竖直布线结构的互补场效应晶体管(CFET)电路_高通股份有限公司_202480058295.X
    公开了具有竖直布线结构的互补场效应晶体管(CFET)电路及其制造方法。在一方面，一种半导体结构包括：第一电荷载流子类型的第一场效应晶体管(FET)，该第一场效应晶体管(FET)包括第一源极/漏极(S/D)区、第二S/D区和第一栅极；第二电荷...
    2026-04-19
  • 背侧功率架构中使用沟槽接地方案的栅极接地
    背侧功率架构中使用沟槽接地方案的栅极接地_高通股份有限公司_202480057352.2
    公开了利用背侧功率递送方案的栅极接地(GTD)单元，其中递送功率的金属线设置在晶片的背面上。因此，可实现超低高度标准单元。还可实现较高的面积微缩。此外，可最大化性能和功率增益。
    2026-04-19
  • 具有微型存储库存储器的集成电路
    具有微型存储库存储器的集成电路_弗萨姆材料美国有限责任公司_202480058678.7
    本文公开了集成电路，集成电路可以包括多个微型存储库，其中微型存储库中的每个微型存储库相对于彼此以间隔关系被设置，并且邻近第一表面。多个微型存储库包括第一微型存储库。此外，集成电路可以包括多个键合区域，其中每个键合区域被设置在第一表面上，并且...
    2026-04-19
  • 半导体继电器
    半导体继电器_松下知识产权经营株式会社_202480057448.9
    半导体继电器(100)具备发光元件(10)、受光元件(20)、第一开关元件及第二开关元件(31、32)、第一芯片焊盘及第二芯片焊盘(51、52)、第一端子及第二端子(41、42)、以及将它们收容在内部的封装(60)。受光元件(20)位于发光...
    2026-04-19
  • 发光装置以及发光装置的制造方法
    发光装置以及发光装置的制造方法_日亚化学工业株式会社_202480059777.7
    本发明涉及发光装置以及发光装置的制造方法。本发明提供一种具备散热性高的光反射部件的发光装置。本发明的发光装置包含：发光元件，其包含具有发光面、位于上述发光面的相反侧的电极形成面以及位于发光面与电极形成面之间的侧面的半导体构造体、以及设置在电...
    2026-04-19
  • 用于微LED的半导体结构
    用于微LED的半导体结构_六边钻公司_202480058497.4
    提出的解决方案涉及用于微型发光二极管(微LED)的半导体结构(80)，其包含外延晶片(10)和在外延晶片上单片生长的多个InGaN片晶(100)。每个InGaN片晶包含QW层。所述多个InGaN片晶包括分别配置用于红光、绿光和蓝光发射的单独...
    2026-04-19
  • 化合物、有机薄膜、光电转换元件、摄像元件、光传感器和固态摄像装置
    化合物、有机薄膜、光电转换元件、摄像元件、光传感器和固态摄像装置_三菱瓦斯化学株式会社_202480059028.4
    下述式(I)(R1和R2为氢原子，R3~R7各自独立地为氢原子、卤素原子、直链、支链或环状的烷基等)所示的化合物。
    2026-04-19
  • 发光器件、显示装置、电子设备
    发光器件、显示装置、电子设备_株式会社半导体能源研究所_202480059590.7
    提供一种特性良好的发光器件。提供一种形成在同一绝缘表面上的多个发光器件之一的发光器件，该发光器件包括第一电极、第二电极以及有机化合物层，相邻的发光器件独立地包括第一电极，第二电极由相邻的发光器件共同使用，有机化合物层位于第一电极与第二电极之...
    2026-04-19
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