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最新专利技术
  • 改进的功率器件的设计和制造
    改进的功率器件的设计和制造_GENESIC半导体公司_202511829495.3
    本公开涉及改进的功率器件的设计和制造。本公开描述了一种器件及其形成方法。一种器件，包括至少部分形成于SiC基板内的单位单元，该单位单元包括：沟槽，其限定于SiC基板的上表面中；硅化物层，其设置于沟槽的至少一个表面上；第一导电类型漂移区，其形...
    2026-04-27
  • 基于场板辅助式碳化硅分裂栅场效应晶体管及其制备方法
    基于场板辅助式碳化硅分裂栅场效应晶体管及其制备方法_费米电气(舟山)有限公司_202511918220.7
    本发明提供了一种基于场板辅助式碳化硅分裂栅场效应晶体管及其制备方法，其包括：衬底、外延层、栅极氧化层、分裂栅、介电层以及多个源极场板，介电层沉积于栅极氧化层上，且覆盖分裂栅；多个源极场板均设置于介电层上，且对应分裂栅角部设置，以通过自身的电...
    2026-04-27
  • 沟槽型碳化硅MOSFET器件结构
    沟槽型碳化硅MOSFET器件结构_上海积塔半导体有限公司_202610031256.1
    本发明提供了一种沟槽型碳化硅MOSFET器件结构，该器件结构包括：第一掺杂类型的碳化硅衬底；碳化硅衬底上表面的第一掺杂类型的碳化硅外延层；在第一方向上呈阵列排布的第二掺杂类型的沟槽保护区，设置于碳化硅外延层内，且沟槽保护区的顶部在第二方向上...
    2026-04-27
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202610038101.0
    本申请实施例公开一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括半导体本体，包括第一表面、第二表面、阱区、第一区域和沟道层，第一区域和沟道层相互接触；第一表面设置有沟槽；沟道层设置为第一导电类型，位于第一表面且沿沟槽...
    2026-04-27
  • 半导体器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路、车辆
    半导体器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路、车辆_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202610150055.3
    本发明公开了一种半导体器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路、车辆。半导体器件，包括：半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；半导体本体还包括第一区域、阱区、第二区域、第三区域和第四区域；第一区域设置为第一导电类型且位于第一表面；阱...
    2026-04-27
  • 薄膜晶体管、制备方法和显示面板
    薄膜晶体管、制备方法和显示面板_京东方科技集团股份有限公司_202610050256.6
    本发明涉及显示技术领域，具体提供一种薄膜晶体管、制备方法和显示面板。本发明薄膜晶体管包括：衬底；设置在所述衬底上的多晶硅有源区、与有源区交界的栅极绝缘层、栅极以及源漏电极，所述有源区包括：Ⅴ族掺杂元素层和Ⅲ族掺杂元素层，其中所述Ⅴ族掺杂元素...
    2026-04-27
  • 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
    薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202610055702.2
    本公开提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置。在一具体实施方式中，该薄膜晶体管包括：层叠设置的有源区、栅极绝缘层和栅极，所述薄膜晶体管还包括：设置在所述有源区外围的有源扩展区，有源区的掺杂浓度小于有源扩展区的掺杂浓度，有源区在...
    2026-04-27
  • 一种锗基台阶隧穿纳米管的TFET、CTFET及制备方法
    一种锗基台阶隧穿纳米管的TFET、CTFET及制备方法_西安电子科技大学_202511753696.X
    本发明公开了提供了一种锗基台阶隧穿纳米管的TFET、CTFET及制备方法，TFET的制备方法包括：在SOI层上制备第一掺杂类型的锗外延层；在锗外延层的第三上表面上制备介质层；在第一介质部分的部分表面上制备外栅极；在除第一中心区域外的本征锗层...
    2026-04-27
  • 一种结型晶体管器件
    一种结型晶体管器件_安建科技有限公司_202610021758.6
    一种结型晶体管器件，本发明涉及于功率半导体器件领域，为解决现有技术VJFET反向导通时的电流分布和热分布较集中于反并联漏极‑源极二极管单元，容易导致发热失效的问题，本发明在元胞沟槽内的第一内侧的底部转角设置栅极接触电极，第一外侧、和第一外侧...
    2026-04-27
  • 超结集成方法及超结集成芯片
    超结集成方法及超结集成芯片_合肥托尔半导体有限公司_202610050193.4
    本申请公开了超结集成方法及超结集成芯片，属于超结半导体技术领域，所述方法包括，构建衬底层；衬底层上成型集成超结结构，其中，所述集成超结结构限定有外延层以及外延层内P柱与N柱交替，所述集成超结结构内具有至少一隔离结构，所述隔离结构限定有P梁，...
    2026-04-27
  • 半导体的超结结构及其制备方法和半导体结构
    半导体的超结结构及其制备方法和半导体结构_株洲中车时代半导体股份有限公司_202411892504.9
    本发明涉及半导体技术领域，公开一种半导体的超结结构及其制备方法和半导体结构。半导体的超结结构的制备方法包括：提供衬底；在衬底上形成多层外延层，且在形成的每层外延层上都形成有掺杂区，多层外延层上所处同一位置的掺杂区用于对应形成一个掺杂柱；其中...
    2026-04-27
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202610134165.0
    本申请实施例公开一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括：有源区和终端区；终端区围绕有源区设置；终端区包括半导体本体，设置为第一导电类型，包括相对设置的第一表面和第二表面；第一表面设置有多个连通的沟槽；在第一...
    2026-04-27
  • 基于区域导电性差异的级联量子阱结构及相干耦合控制方法
    基于区域导电性差异的级联量子阱结构及相干耦合控制方法_三峡大学_202511994647.5
    本发明涉及量子技术领域，具体公开了一种基于区域导电性差异的级联量子阱结构及相干耦合控制方法，该结构以单层MoS2纳米带作为基底，沿纳米带的长度方向交替设置锯齿型(zigzag)边缘与扶手型(armchair)边缘，锯齿型边缘为量子阱区，扶手...
    2026-04-27
  • 两步氧化物沟槽碳化硅MOSFET
    两步氧化物沟槽碳化硅MOSFET_瑞萨电子株式会社_202510284562.1
    描述了两步氧化物沟槽碳化硅MOSFET。半导体器件可以包括形成在碳化硅衬底上的漂移区域。半导体器件可以包括穿透源极区域和沟道并且到达漂移区域的沟槽。半导体器件可以包括沿着沟槽排列的氧化物区域。氧化物区域可以包括底部部分、下侧部分和上侧部分。...
    2026-04-27
  • 一种碳化硅多级沟槽的制备方法
    一种碳化硅多级沟槽的制备方法_西安电子科技大学芜湖研究院_202511878523.0
    本申请公开了一种碳化硅多级沟槽的制备方法，该方法首先在具有外延层的衬底表面生长掩膜层，经光刻、刻蚀形成初始沟槽；随后在沟槽内沉积氮化硅并回刻至预定位置；接着对沟槽内壁和外延层表面进行高温氧化，使SiC转化为SiO2氧化层，再通过湿法腐蚀去除...
    2026-04-27
  • 基于熔融涂覆金属层的氧化镓欧姆接触制备方法及其应用
    基于熔融涂覆金属层的氧化镓欧姆接触制备方法及其应用_西安电子科技大学_202512022484.0
    本发明公开了一种基于熔融涂覆金属层的氧化镓欧姆接触制备方法及其应用，主要解决现有氧化镓欧姆接触制备过程耗时长和成本高的问题，其实现包括：在热台基座上，将清洗后的氧化镓作为衬底平稳放置在无氧铜片上；将选取600℃以下的低熔点金属放置在氧化镓上...
    2026-04-27
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路及车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路及车辆_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202610033784.0
    本申请公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路及车辆。该半导体器件制造方法包括：提供半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；半导体本体还包括阱区和第一区域；在第一表面形成设置有开口的栅极定义层；开口暴露部分第一区域；在开...
    2026-04-27
  • 一种二维Bi2MoO6单晶栅介质材料、制备方法及其在场效应晶体管中的应用
    一种二维Bi2MoO6单晶栅介质材料、制备方法及其在场效应晶体管中的应用_陕西师范大学_202511875350.7
    本发明公开了一种二维Bi2MoO6单晶栅介质材料、制备方法及其在场效应晶体管中的应用，该二维Bi2MoO6单晶栅介质材料为超薄纳米片状，厚度为7.5～70 nm，晶体结构为正交晶系，沿c轴交替排列[MoO4]2‑层和[Bi2O2]2+层，P...
    2026-04-27
  • 三相全桥功率模块
    三相全桥功率模块_珠海格力电子元器件有限公司_202511918867.X
    本发明提出一种三相全桥功率模块，所述三相全桥功率模块包括：封装体；散热板，设置于所述封装体的第一面，所述散热板上设置导电块；按三相全桥电路的电气连接关系设置的若干碳化硅功率芯片，所述碳化硅功率芯片设置于所述散热板的导电块上；引脚，所述引脚的...
    2026-04-27
  • 半桥功率模块
    半桥功率模块_珠海格力电子元器件有限公司_202511918877.3
    本发明提出一种半桥功率模块，半桥功率模块包括：封装体；散热板，设置于封装体的第一面，散热板上设置导电块；按预定电气连接关系设置的若干碳化硅功率芯片，碳化硅功率芯片设置于散热板的导电块上；连接器件中包括导电条带，导电条带包括多个电极连接端与一...
    2026-04-27
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