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最新专利技术
  • 三维集成芯片电源管理系统、电子设备及方法
    三维集成芯片电源管理系统、电子设备及方法_清华大学_202610036031.5
    本申请涉及集成电路技术领域，特别涉及一种三维集成芯片电源管理系统、电子设备及方法，其中，包括：芯片堆叠体；侧壁环形供电母线，侧壁环形供电母线环绕在芯片堆叠体的侧壁区域，构成闭合的环形导体；设置于侧壁环形供电母线的多个抽头分配单元，多个抽头分...
    2026-05-09
  • 晶粒的接合垫及具有该晶粒的电子装置
    晶粒的接合垫及具有该晶粒的电子装置_瑞昱半导体股份有限公司_202511023806.7
    本发明披露了一种晶粒的接合垫及具有该晶粒的电子装置。电子装置包括一载板、一第一晶粒及一第二晶粒。第一晶粒设置于该载板上，并且包括一第一接合垫及一第二接合垫。第二晶粒设置于该载板上，并且包括一第三接合垫及一第四接合垫。该第一接合垫通过一第一接...
    2026-05-09
  • 一种激光巨量植球方法及装置
    一种激光巨量植球方法及装置_武汉帝尔激光科技股份有限公司_202510098152.8
    本发明提供一种激光巨量植球方法及装置，所述方法包括：提供一通孔玻璃，通孔玻璃具有多个贯穿上表面和下表面的通孔，通孔上部为上大下小的锥形孔，每个通孔承载一个锡球，多个通孔成图案化排布；激光从通孔玻璃的上方朝向其上表面照射，将通孔中的锡球熔化，...
    2026-05-09
  • 键合设备以及由所述键合设备实施的键合方法
    键合设备以及由所述键合设备实施的键合方法_星科金朋管理私人有限公司_202411521399.8
    本申请提供一种键合设备和一种键合方法。所述键合设备包括：衬底载体；激光源，其用于朝向所述衬底载体发射激光束；加压工具，其可移动地放置在所述激光源与所述衬底载体之间，并且被配置成用于拾取具有目标键合区域的半导体裸片并且将所述半导体裸片压抵在所...
    2026-05-09
  • 一种封装结构以及抑制基板翘曲的方法
    一种封装结构以及抑制基板翘曲的方法_渠梁电子有限公司_202610458226.9
    本发明公开了一种封装结构以及抑制基板翘曲的方法，包括基板，所述基板的表面设置有阻焊层；芯片，所述芯片覆盖在部分的阻焊层的表面，并通过贯阻焊层的焊接结构与所述基板电连接；聚酰亚胺膜层，所述聚酰亚胺膜层设置在所述阻焊层的表面并位于所述芯片的外围...
    2026-05-09
  • 芯片堆叠封装及其制作方法、电子设备
    芯片堆叠封装及其制作方法、电子设备_华为技术有限公司_202411523694.7
    本申请提供一种芯片堆叠封装及其制作方法、电子设备，涉及封装技术领域，该封装结构中通过采用预制互连模组来实现上、下两个走线结构(如两个重布线层)之间的连接。该堆叠封装包括：堆叠设置的第一芯片和第二芯片、第一走线结构、第二走线结构、预制互连模组...
    2026-05-09
  • 封装体、堆叠封装结构以及封装方法
    封装体、堆叠封装结构以及封装方法_长电科技(江阴)有限公司_202610205334.5
    一种封装体、堆叠封装结构以及封装方法，封装体包括：第一元器件，位于基板的装配表面上且与第一连接端子电连接；框架，位于第一元器件侧部的装配表面上，框架包括导电焊盘以及与导电焊盘具有对应关系的引脚，导电焊盘和相对应的引脚一体成型，导电焊盘位于引...
    2026-05-09
  • 功率模块
    功率模块_现代自动车株式会社_202510720181.3
    本发明公开了一种功率模块。功率模块包括基板、安装在基板上并具有信号焊盘的芯片以及电连接到芯片的引线部。引线部包括与基板间隔开设置的信号引线以及连接信号引线和信号焊盘的连接引线。
    2026-05-09
  • 具有键合结构的半导体器件及其形成方法
    具有键合结构的半导体器件及其形成方法_长江存储科技有限责任公司_202411541375.9
    具有键合结构的半导体器件及其形成方法。本公开内容涉及用于管理半导体器件中的键合结构的方法、装置、系统和技术。一种示例半导体器件包括沿第一方向堆叠的第一半导体结构、键合结构和第二半导体结构。所述第一半导体结构通过所述键合结构键合至所述第二半导...
    2026-05-09
  • 芯片封装结构及制造方法
    芯片封装结构及制造方法_成都万应微电子有限公司_202610166250.5
    本申请提供了一种芯片封装结构及制造方法，该结构包括有机基板、无机基板、芯片、第二导电件、第一导电件以及填充体；有机基板与无机基板相对设置，且分别具有中部与端部；芯片、第一导电件以及第二导电件均位于有机基板与无机基板之间；芯片分别位于有机基板...
    2026-05-09
  • 具有顶侧存储器模块的IC封装
    具有顶侧存储器模块的IC封装_马维尔以色列(M.I.S.L.)有限公司_202610075486.8
    一种印刷电路板(PCB)系统包括第一印刷电路板(PCB)、集成电路(IC)封装和存储器模块。IC封装包括：i)封装衬底，ii)电耦合到封装衬底的顶表面的主IC芯片，iii)设置在封装衬底的底表面上并电耦合到第一PCB的第一接触结构，以及iv...
    2026-05-09
  • 堆叠基板结构及其制造方法
    堆叠基板结构及其制造方法_财团法人工业技术研究院_202510009576.2
    本发明公开一种堆叠基板结构及其制造方法。堆叠基板结构包括第一结构及第二结构。第一结构具有第一接合表面。第一结构包括第一线路结构。第一线路结构包括多个第一导电层以及第一膨胀调变层。多个第一导电层在垂直方向上堆叠。第一膨胀调变层设置于相邻的多个...
    2026-05-09
  • 光电鼠标集成电路IDIP16L引线支架
    光电鼠标集成电路IDIP16L引线支架_深圳市正宇兴电子有限公司_202610437778.1
    本发明公开了光电鼠标集成电路IDIP16L引线支架，涉及引线支架技术领域，光电鼠标集成电路IDIP16L引线支架，包括架体，所述架体上设置有用于芯片定位放置的芯片座，还包括压合组件，设置于架体上用于芯片在芯片座上放置后对芯片压合推动；驱动组...
    2026-05-09
  • 一种Power DFN框架、封装体及制备方法
    一种Power DFN框架、封装体及制备方法_扬州扬杰电子科技股份有限公司_202610286131.3
    一种Power DFN框架、封装体及制备方法，涉及半导体技术领域。包括第一金属框架、第二金属框架和金属夹片；第一金属框架顶面设有平整的芯片承载区，侧部设有多个一体成型的第一侧部连筋，底部边缘设有第一半刻蚀区，第一金属框架的端部设有第一引脚。...
    2026-05-09
  • 一种功率器件及其封装方法
    一种功率器件及其封装方法_广东风华芯电科技股份有限公司_202610234417.7
    本申请涉及半导体技术领域，公开了一种功率器件及其封装方法。本申请公开的功率器件，包括设置在具有凸台结构的引脚金属框架上的垂直导通型功率芯片和设置在具有至少两层导电通路的中介基板上的平面导通型芯片，平面导通型芯片信号触点通过中介基板底面板的铜...
    2026-05-09
  • 一种T-PAK引线框架及封装结构
    一种T-PAK引线框架及封装结构_宁波德洲精密电子有限公司_202610134900.8
    本发明涉及一种T‑PAK引线框架及封装结构，引线框架包括若干封装单元，封装单元包括漏极端子、源极端子和栅极引脚，源极端子附接有与栅极引脚并列的第一引脚、以及相互并列的第二引脚和第三引脚，各引脚均包括固定段、倾斜段和自由段，第二引脚通过内连筋...
    2026-05-09
  • 一种金属基板封装场效应管
    一种金属基板封装场效应管_赵振涛_202511724441.0
    一种金属基板封装场效应管，包括垂直型场效应管晶圆或IGBT晶圆，场效应管晶圆的底面布设有源极焊盘和栅极焊盘，晶圆的顶面布设有漏极焊盘；还包括金属基板，金属基板顶面上有高低两个凸台；还包括两叠层电路板，两叠层电路板中设置有容纳晶圆和凸台的阶梯...
    2026-05-09
  • 一种金属基电路板封装的垂直型功率器件
    一种金属基电路板封装的垂直型功率器件_摩驱科技(深圳)有限公司_202511620588.5
    一种金属基电路板封装的垂直型功率器件，包括垂直型二极管或场效应管晶圆；还包括金属基板，金属基板顶面上有凸台，凸台的顶面与晶圆顶面相齐；还包括绝缘板层，绝缘板层中设置有适配金属基板上凸台的孔洞，还设置有容纳晶圆的孔洞；绝缘板层粘合在金属基板上...
    2026-05-09
  • 嵌入式芯片封装基板及其制作方法
    嵌入式芯片封装基板及其制作方法_浙江创豪半导体有限公司_202512036462.X
    本发明涉及一种嵌入式芯片封装基板及其制作方法，属于半导体封装技术领域；包括以下工序步骤：S1：腔体基板制备工序：制备带有Cavity结构的封装基板；S2：芯片嵌入工序；S3：盲孔加工工序；S4：图形电镀工序；S5：阻焊层形成工序；S6：芯片...
    2026-05-09
  • 一种面板级封装中芯片铝焊盘的处理方法及结构
    一种面板级封装中芯片铝焊盘的处理方法及结构_广东芯友微电子科技有限公司_202511896288.X
    本发明公开了一种面板级封装中芯片铝焊盘的处理方法及结构，涉及面板级封装技术领域。所述芯片铝焊盘的处理方法包括以下步骤：选取耐高温膜材料，基于晶圆上铝焊盘的分布，对所述膜材料进行镂空处理，将镂空处理后的膜材料附着于晶圆表面，向覆盖所述膜材料后...
    2026-05-09
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