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最新专利技术
  • 一种FCE二极管及其制造方法
    一种FCE二极管及其制造方法_高文玉_202610063504.0
    公开了一种FCE二极管及其制造方法。在阴极金属上设置有沟槽隔离区、横向交替排列的阴极N+区和阴极P+区，沟槽隔离区将阴极N+区和阴极P+区隔离，且厚度超过二者2um；然后依次设置等离子体存储区、场终止区、基区、阳极P区和阳极金属。增厚沟槽隔...
    2026-04-30
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610157832.7
    一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在衬底表面形成硬掩膜层，硬掩膜层暴露出部分第一区；以硬掩膜层为掩膜，刻蚀第一区，在第一区内形成若干栅沟槽；在若干栅沟槽侧壁和底部表面形成沟槽栅氧层；在形成沟槽栅氧层之后，在若干栅沟槽内形成沟槽栅极层...
    2026-04-30
  • 高压碳化硅器件及其制造方法
    高压碳化硅器件及其制造方法_杰平方半导体(上海)有限公司_202411423273.7
    本发明提供一种高压碳化硅器件及其制造方法，先形成第一侧墙层，第一侧墙层至少覆盖接触孔的上部的侧壁和台阶的顶表面；形成第二侧墙层，第二侧墙层位于台阶顶表面的第一侧墙层上并覆盖第一侧墙层的侧壁；刻蚀第一侧墙层，去除位于台阶顶表面的第一侧墙层，以...
    2026-04-30
  • 三维集成器件及其制备方法与电子设备
    三维集成器件及其制备方法与电子设备_中国科学院微电子研究所_202511871127.5
    本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种三维集成器件及其制备方法与电子设备。一种三维集成器件的制备方法，包括步骤S01：在半导体衬底的一侧表面上，分布设置多个垂直晶体管单元，相邻的垂直晶体管单元之间包括凹槽区域，每个垂直晶体管单元中包括沟道区...
    2026-04-30
  • 三维器件及其金属互连的制备方法与电子设备
    三维器件及其金属互连的制备方法与电子设备_中国科学院微电子研究所_202511871077.0
    本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种三维器件及其金属互连的制备方法与电子设备。该三维器件中设置有多个垂直晶体管单元，相邻的垂直晶体管单元之间包括凹槽区域；三维器件包括第一表面和第二表面；该制备方法包括：步骤S01：在凹槽区域生长嵌入式第一...
    2026-04-30
  • 一种半导体器件及制备方法
    一种半导体器件及制备方法_北京工业大学_202610062535.4
    本发明公开了一种半导体器件及制备方法，属于半导体技术领域；包括：衬底、N型漂移层、N型源区、电流扩展层、P型屏蔽层、P型基区、重掺杂P型区、源极、栅极、漏极、栅极氧化层、源极电极；在双沟槽MOSFET的源极两侧集成肖特基二极管或沟道二极管。...
    2026-04-30
  • 含有内集成二极管的功率MOS晶体管
    含有内集成二极管的功率MOS晶体管_北京工业大学_202511880069.2
    含有内集成二极管的功率MOS晶体管涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及一种含有内集成二极管的功率MOS晶体管结构，包括漏极金属、N型漏区、耐压层、二极管区和MOS区等。该结构把双槽(栅槽和源槽)MOS结构的一个单元一分为二，一侧仍保持为原有...
    2026-04-30
  • 集成电路
    集成电路_英飞凌科技股份有限公司_202511473440.3
    本公开涉及一种集成电路(IC)，其包括：至少一个管芯，其包括包括多个晶体管的晶体管层；连接焊盘，其被设置在管芯上。连接焊盘沿IC的厚度方向与晶体管层重叠。晶体管层包括没有晶体管的切口区域。切口区域沿厚度方向面向连接焊盘。
    2026-04-30
  • 半导体器件、半导体器件封装结构及电子设备
    半导体器件、半导体器件封装结构及电子设备_华为技术有限公司_202411422641.6
    本申请提供一种半导体器件、半导体器件封装结构及电子设备。涉及半导体技术领域。该半导体器件包括半导体层、金属导电层和金属硅化物层；半导体层包含硅，比如半导体层可以是硅衬底中的源漏极，金属导电层可以是与源漏极欧姆接触的导电通道；金属硅化物堆叠在...
    2026-04-30
  • 一种低栅极电荷的MOSFET器件及其制备方法
    一种低栅极电荷的MOSFET器件及其制备方法_深圳辰达半导体有限公司_202610298442.1
    本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种低栅极电荷的MOSFET器件及其制备方法，所述器件包括P型Si衬底；LOCOS隔离层；沟道下浅埋P型电场调控层；横向掺杂梯度沟道；栅介质层；主栅极；屏蔽栅结构；非对称LDD区，源侧掺杂浓度为1×101...
    2026-04-30
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510647211.2
    一种半导体器件包括：衬底；有源区，在衬底上并且在第一方向上延伸；器件隔离膜，在衬底中在有源区周围；第一栅电极，在与第一方向交叉的第二方向上在有源区上延伸；第二栅电极，在第二方向上在有源区上延伸并且在第一方向上与第一栅电极间隔开；第一连接栅电...
    2026-04-30
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202411440609.0
    本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底表面形成有金属栅极结构；侧墙，位于所述金属栅极结构的侧壁，所述侧墙包括依次交替位于所述金属栅极结构侧壁的低介电常数层和高势垒层，所述高势垒层的势垒高于所述低介电常数层的...
    2026-04-30
  • 膜层结构及其制备方法、半导体器件
    膜层结构及其制备方法、半导体器件_深圳方正微电子有限公司_202512018578.0
    本申请提供一种膜层结构及其制备方法、半导体器件，该膜层结构的制备方法包括：获取第一制程结构；第一制程结构包括依次叠设的待加工膜层和第一掩膜层，第一掩膜层上设置有第一孔部；其中，第一孔部的至少一侧孔壁设置有第一台阶部；沿着第一方向对待加工膜层...
    2026-04-30
  • 膜层结构的制备方法、膜层结构及半导体器件
    膜层结构的制备方法、膜层结构及半导体器件_深圳方正微电子有限公司_202512014993.9
    本申请提供一种膜层结构的制备方法、膜层结构及半导体器件，膜层结构的制备方法包括：获取第一制程结构；第一制程结构包括依次叠设的待加工膜层和第一掩膜层，第一掩膜层的第一孔部的孔壁上设置有第一台阶部；沿着第一方向对待加工膜层以及第一台阶部进行刻蚀...
    2026-04-30
  • 薄膜晶体管及其制备方法、显示面板
    薄膜晶体管及其制备方法、显示面板_滁州惠科光电科技有限公司_202511982795.5
    本申请提供了薄膜晶体管及其制备方法、显示面板。薄膜晶体管包括基底、栅极、绝缘层、有源层、保护层、源极和漏极，栅极设于基底；绝缘层覆盖栅极；有源层设于绝缘层背离基底的一侧；保护层设于有源层背离基底的一侧，保护层的材料包括Al2O3和SiOxN...
    2026-04-30
  • 晶体管器件结构及其制备方法
    晶体管器件结构及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511937013.6
    本发明公开晶体管器件结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，以解决现有技术中的晶体管器件无法兼顾高导热、低漏电与高稳定性的问题。晶体管器件结构包括：位于衬底上的二氧化硅过渡层；衬底为金刚石衬底或者碳化硅衬底；以及，位于二氧化硅过渡层上的硅器件...
    2026-04-30
  • 半导体装置及显示装置
    半导体装置及显示装置_株式会社日本显示器_202511465355.2
    本发明涉及半导体装置及显示装置。课题在于改善包含氧化物半导体的半导体装置的可靠性。半导体装置，其包含：第1氧化物半导体层，所述第1氧化物半导体层设于绝缘表面之上，并具有沟道部及电阻比所述沟道部低的导电部；所述第1氧化物半导体层之上的第1绝缘...
    2026-04-30
  • 半导体装置及显示装置
    半导体装置及显示装置_株式会社日本显示器_202511463335.1
    本发明涉及半导体装置。课题在于改善包含氧化物半导体的半导体装置的可靠性。半导体装置包含：绝缘表面之上的第1栅电极、第1栅电极之上的第1栅极绝缘层、第1栅极绝缘层之上的具有沟道部及电阻比沟道部低的导电部的氧化物半导体层、氧化物半导体层之上的第...
    2026-04-30
  • 半导体器件以及显示装置
    半导体器件以及显示装置_株式会社日本显示器_202511421271.9
    本发明改善包含氧化物半导体的半导体器件的信赖性。半导体器件包括：绝缘表面之上的栅极电极；所述栅极电极之上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层之上的氧化物半导体层；所述氧化物半导体层之上的第1绝缘层；和所述第1绝缘层之上的由金属氧化物构成的图案层，所...
    2026-04-30
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社日本显示器_202511411222.7
    本发明涉及半导体装置。课题在于改善包括氧化物半导体的半导体装置的可靠性。半导体装置包括：绝缘表面之上的栅电极；前述栅电极之上的栅极绝缘层；前述栅极绝缘层之上的氧化物半导体层；前述氧化物半导体层之上的第1绝缘层；和前述第1绝缘层之上的由绝缘物...
    2026-04-30
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