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最新专利技术
  • 一种DRAM存储单元结构及其制备方法
    一种DRAM存储单元结构及其制备方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202512014023.9
    本发明提供了一种DRAM存储单元结构及其制备方法，该DRAM存储单元结构包括：衬底、字线、位线、多个垂直通道晶体管及位于垂直通道晶体管下方的电容器单元；电容器单元位于衬底上且垂直延伸至衬底内部；垂直通道晶体管的源极区、栅极区和漏极区自上而下...
    2026-05-14
  • 半导体存储器
    半导体存储器_福建省晋华集成电路有限公司_202610120843.8
    本申请涉及本半导体存储器技术领域，提供了一种半导体存储器。该半导体存储器包括：一衬底；多个连接垫，沿着一第一方向排列；第一延伸垫，沿着第一方向排列在多个连接垫一侧，第一延伸垫的长度大于连接垫的长度；以及多个底电极，设置在多个连接垫和第一延伸...
    2026-05-14
  • 半导体结构及其制造方法、电子设备
    半导体结构及其制造方法、电子设备_长鑫科技集团股份有限公司_202610416387.1
    本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法、电子设备，用于解决如何简化位线结构的形成工艺的技术问题。该制造方法包括：提供基底，基底包括沿第一方向排布的多个半导体图案，半导体图案包括沿第二方向延伸的第一部分以及沿第二方向间隔排布且均连接第一...
    2026-05-14
  • 半导体存储器装置的制造方法
    半导体存储器装置的制造方法_爱思开海力士有限公司_202510850101.6
    本申请涉及半导体存储器装置的制造方法。一种制造半导体存储器装置的方法包括以下步骤：形成绝缘层；通过在所述绝缘层的表面上方沿层叠方向交替层叠第一材料层和第二材料层来形成初步层叠件；在所述初步层叠件上方形成掩模图案，所述掩模图案包括第一开口、第...
    2026-05-14
  • 存储单元及其制作方法、存储阵列
    存储单元及其制作方法、存储阵列_上海复旦微电子集团股份有限公司_202411549778.8
    一种存储单元及其制作方法、存储阵列，其中存储单元包括：衬底，衬底具有有源区，有源区内具有沟槽；位于沟槽内的第一浮栅结构和第二浮栅结构；位于第一浮栅结构表面和第二浮栅结构表面的阻挡层；位于有源区的第一区内的共源层、以及位于有源区的第二区内的第...
    2026-05-14
  • NORD闪存器件及其制作方法
    NORD闪存器件及其制作方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610113702.3
    本发明提供一种NORD闪存器件及其制作方法，对栅极叠层之上的硬掩膜层进行图案化处理时，保留部分厚度的硬掩膜层，并对第一侧墙进行减薄处理，这样在沉积、刻蚀形成第二侧墙和第三侧墙时，将刻蚀工艺第三侧墙易产生缺陷点(Weak Point)的位置转...
    2026-05-14
  • 一种三元可寻址存储器阵列及其制备方法、测试方法
    一种三元可寻址存储器阵列及其制备方法、测试方法_上海大学_202610146998.9
    本发明公开了一种三元可寻址存储器阵列及其制备方法、测试方法，涉及晶体管制造技术领域。包括：多个以阵列式排布互连的三元可寻址存储器；每个三元可寻址存储器由两个可重构双栅场效应晶体管互连组成；多条匹配线与接地线；同一行的三元可寻址存储器的匹配线...
    2026-05-14
  • 嵌入式闪存结构及制造方法
    嵌入式闪存结构及制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610113542.2
    本发明提供了一种嵌入式闪存结构及制造方法，包括：在衬底的表面依次形成栅氧化层、浮栅材料层和具有凹槽的硬掩膜层；在凹槽内形成第一侧墙，第一侧墙覆盖凹槽的侧壁和部分底壁；刻蚀部分浮栅材料层，露出栅氧化层的表面；在浮栅材料的侧壁上形成第二侧墙，第...
    2026-05-14
  • 嵌入式闪存结构及制造方法
    嵌入式闪存结构及制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610113574.2
    本发明提供了一种嵌入式闪存结构及制造方法，包括：在衬底上形成栅氧化层、浮栅材料层、第一氮化层、阻挡氧化层和具有第一开口的硬掩膜层；在第一开口内形成ONO层；刻蚀第一开口内的部分ONO层、阻挡氧化层和第一氮化层，剩余的ONO层组成第一侧墙；刻...
    2026-05-14
  • 半导体结构
    半导体结构_联发科技股份有限公司_202411821897.4
    本发明公开一种半导体结构，包括：基板；设置于该基板上的电子装置，其中该电子装置包括第一栅极结构；以及互连结构，包括位于该电子装置正上方的第一互连层导电迹线，其中该第一互连层导电迹线具有第一开口，用于暴露至少一个该第一栅极结构。以此方式，在制...
    2026-05-14
  • 半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法
    半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法_爱思开海力士有限公司_202510875621.2
    本申请涉及半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法。提供了一种半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括单元柱结构和围绕所述单元柱结构的外表面的导电层。所述单元柱结构的外表面的一部分在从中心点径向延伸的多个第...
    2026-05-14
  • 半导体器件及其制备方法、半导体设备
    半导体器件及其制备方法、半导体设备_长江存储科技有限责任公司_202411546169.7
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、半导体设备，涉及半导体芯片技术领域。该半导体器件包括：第一半导体结构和第二半导体结构。第一半导体结构包括堆叠结构、晶体管和连接结构。堆叠结构包括核心区，核心区包括交替层叠设置的第一介质层和栅极层。晶体...
    2026-05-14
  • 半导体器件及其制备方法、半导体设备
    半导体器件及其制备方法、半导体设备_长江存储科技有限责任公司_202411547497.9
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、半导体设备，涉及半导体芯片技术领域。该半导体器件包括：第一半导体结构和第二半导体结构，第一半导体结构包括堆叠结构、晶体管和连接结构。堆叠结构包括核心区，晶体管位于核心区的一侧，连接结构沿层叠方向贯穿核...
    2026-05-14
  • 垂直NAND闪存器件、其制造方法以及电子设备
    垂直NAND闪存器件、其制造方法以及电子设备_三星电子株式会社_202511363873.3
    提供了一种垂直NAND闪存器件、制造该垂直NAND闪存器件的方法以及包括该垂直NAND闪存器件的电子设备。垂直NAND闪存器件包括多个单元串，每个单元串在垂直于衬底的方向上延伸。多个单元串中的每个包括沟道层、提供在沟道层上并且包括非晶氧化物...
    2026-05-14
  • SONOS存储器的存储单元及其制造方法
    SONOS存储器的存储单元及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610113739.6
    本发明提供一种SONOS存储器的存储单元及其制造方法，所述存储单元包括一个选择管和平均分布在所述选择管两侧的四个存储管，四个存储管呈分栅结构分布在选择管两侧，可大幅缩减存储面积，提高存储密度。进一步的，所述存储单元制造方法中四个存储管靠自对...
    2026-05-14
  • 半导体结构及其制备方法、存储系统和电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储系统和电子设备_长江存储控股股份有限公司_202411474450.4
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统和电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在改善铁电层中多物相共存导致的沟道结构的电势分布不均匀的问题。该半导体结构包括：堆叠结构、沟道结构、铁电层和导电层。其中，堆叠结构包括沿第一方向交替层叠设...
    2026-05-14
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统、电子设备
    半导体器件及其制备方法、存储系统、电子设备_长江存储控股股份有限公司_202411476976.6
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在改善焊盘结构给外围电路的路径较远导致的信号延时问题。该半导体器件包括：阵列结构、半导体层和焊盘结构。阵列结构包括沿第一方向层叠设置的第一晶体管和铁电电容...
    2026-05-14
  • 一种基于铁磁/半导体/铁磁范德华异质结的室温多阻态磁存储器
    一种基于铁磁/半导体/铁磁范德华异质结的室温多阻态磁存储器_厦门大学_202610088336.0
    一种基于铁磁/半导体/铁磁范德华异质结的室温多阻态磁存储器，属于磁存储领域。旨在解决二维磁阻器件工作温度低、阻态数目有限及工艺复杂可控性差的难题。Fe3GaTe2作为上下电极，InSe为中间隧道势垒层，构建三明治范德华异质结。调控电极磁化方...
    2026-05-14
  • 一种三维堆叠RRAM存储器及其制备方法
    一种三维堆叠RRAM存储器及其制备方法_物元半导体技术(青岛)有限公司_202610102950.8
    本发明提供一种三维堆叠RRAM存储器及其制备方法，本发明的三维堆叠RRAM存储器制备方法包括：提供RRAM存储晶圆的版图，版图沿Y方向呈轴对称布局；根据版图制备一套掩膜版，掩膜版的图形沿Y方向呈轴对称；利用同一套掩膜版，制备多个RRAM存储...
    2026-05-14
  • 具有可调阈值电压的存储器件
    具有可调阈值电压的存储器件_IMEC非营利协会_202511549363.5
    一种器件，包括：第一电极，该第一电极包括如果被氧化剂氧化则是电绝缘的类型的第一电极材料，第二电极，该第二电极包括如果被所述氧化剂氧化则是导电的类型的第二电极材料，在第一电极和第二电极之间的阈值开关层，阈值开关层包括可通过在所述第一电极和所述...
    2026-05-14
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