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形成薄膜的方法以及使用其来制造电致发光显示设备的方法
公开了一种在设置有第一子像素区域和第二子像素区域的基板上形成薄膜的方法以及使用该方法制造电致发光显示设备的方法,该形成薄膜的方法包括:在第一子像素区域中形成第一发光层,其中,在第一子像素区域中形成第一发光层的步骤包括在第一子像素区域中形成含...
包括两个PC-LED和两个包括磷光体颗粒的装置的照明设备
本发明提供一种光产生系统,其包括第一固态光源、第一发光装置、第二固态光源和第二发光装置,其中:(I)第一固态光源包括具有第一表面面积SA1的第一发光表面;其中第一固态光源被配置为产生第一光源光;(II)第一发光装置,其被配置为与第一发光表面...
显示基板及其制备方法与显示装置
提供一种显示基板,包括:衬底基板;驱动电路层,位于衬底基板上;以及多个发光器件,位于驱动电路层远离衬底基板的一侧,发光器件包括位于驱动电路层远离衬底基板一侧并与驱动电路层电连接的第一电极、位于第一电极远离衬底基板一侧的发光功能部和位于发光功...
显示面板及其制备方法
本公开提供一种显示面板及其制备方法,属于显示技术领域。该显示面板的制备方法包括:将发光二极管转移至基板上;根据所述发光二极管的位置信息,确定与发光二极管的电极电连接的衬垫的位置信息,至少生成所述衬垫所在膜层的版图;根据所述衬垫所在膜层的版图...
显示基板及其制备方法、显示装置
本公开提供一种显示基板及其制备方法、显示装置,属于显示技术领域。本公开的显示基板,其包括:衬底基板;多个像素单元,设置在所述衬底基板上,所述像素单元单元包括多个子像素,所述子像素包括像素驱动电路、发光芯片、第一焊盘和第二焊盘,所述第一焊盘与...
发光器件及发光装置
提供一种可靠性良好的发光器件。提供一种包括第一电极、第二电极以及发光层的发光器件,其中,发光层位于第一电极与第二电极间,发光层包括发光层和电子注入层,电子注入层包含金属氧化物及第一有机化合物,并且,第一有机化合物是包含具有供电子基团的菲咯啉...
阵列基板和显示装置
提供一种阵列基板。阵列基板包括:衬底基板;遮光层,其位于衬底基板上;以及第二信号线层,其位于遮光层的远离衬底基板的一侧。遮光层包括互相连接在一起的多个第一遮光线与多个第二遮光线。各个第一遮光线沿第一方向延伸。各个第二遮光线沿第二方向延伸。第...
显示面板、显示装置
一种显示面板、显示装置,显示面板的显示区包括第一显示区、第二显示区,第二显示区位于第一显示区在行方向上的一侧,显示面板包括:衬底基板、多个像素驱动电路、数据线、电极层。多个像素驱动电路位于显示面板的显示区,多个像素驱动电路在衬底基板上的正投...
显示装置
本发明的实施例公开了显示装置,显示装置包括:第一栅线,在第一方向上延伸;数据线,在与第一方向交叉的第二方向上延伸;第一晶体管,包括第一半导体层以及与第一半导体层重叠的第一栅电极;第二晶体管,电连接到第一晶体管,并且包括电连接到数据线的第二半...
显示基板和显示装置
提供一种显示基板,包括透光区域、引线区域、显示区域,包括:衬底基板;n条数据线,位于衬底基板上,包括i条第一数据线与i条第二数据线,第一数据线由显示区域的一侧沿第二方向连续地延伸至显示区域的另一侧,第二数据线包括第一数据段与第二数据段;以及...
显示装置
本发明的一实施例涉及一种显示装置,其中限定有分别在显示区的相反两侧上的第一区和第二区,该显示装置包括:多个第一岛部分,布置在第一区中并且彼此间隔开,多个第一桥接部分,延伸到或者连接彼此相邻的第一岛部分,并且通过多个第一开口彼此间隔开;多个第...
显示装置
本发明提供了一种显示装置,该显示装置包括:多个岛单元,彼此间隔开;第一桥接单元,连接多个岛单元之中的在第一方向上彼此相邻的岛单元,并且包括第一电压线、第二电压线和第三电压线;以及第二桥接单元,连接多个岛单元之中的在与第一方向交叉的第二方向上...
铜薄膜的干法蚀刻方法
本发明涉及一种利用等离子体工艺的铜薄膜的干法蚀刻方法,其技术要点为铜薄膜的干法蚀刻方法,其特征在于,在利用等离子体蚀刻工艺的铜薄膜的干法蚀刻方法中,为了提高利用AClb型第一蚀刻气体的铜薄膜的蚀刻过程中生成的铜氯化物(CuClx)与氢原子之...
利用炔烃在电介质上相对于金属选择性沉积含铝电介质材料
一种用于选择性钝化衬底表面的方法,其中衬底的表面包括至少一个包含金属的第一表面和至少一个包含电介质材料的第二表面。该方法包括将表面暴露于至少一种炔烃的步骤,其中炔烃选择性地与金属反应以钝化第一表面,从而留下基本上未反应的第二表面。
等离子处理装置、等离子处理方法以及蚀刻系统
提供一种不依赖于数据库的获取方法以及执行的信号处理地实现高精度的膜厚监视以及终点判定的等离子处理装置、等离子处理方法以及蚀刻处理系统。等离子处理装置(70)在蚀刻处理中测定来自处理对象晶片的晶片反射光,使用波形图案数据库(122)来根据晶片...
半导体处理中的等离子体蚀刻
半导体处理的方法可包括形成多种前驱物(例如,蚀刻剂前驱物、含氧前驱物和含硅和氟前驱物,如四氟化硅)的等离子体流出物。然后,等离子体流出物可接触半导体处理室的处理区域中的基板上的含硅材料和掩模材料。掩模材料中可具有一个或多个孔隙,以允许等离子...
研磨用组合物及研磨方法
提供一种研磨用组合物,其用于研磨由硅材料形成的表面,研磨后的表面的湿润性优异,且能够减少缺陷。提供一种研磨用组合物,其用于研磨由硅材料形成的表面。上述研磨用组合物包含磨粒(A)、碱性化合物(B)、第1水溶性高分子(C1)以及具有与该第1水溶...
粘合片材和物体的处理方法
本发明能通过更温和的操作来拾取保持于粘合片材的物体,该粘合片材具备在表面具有凹凸的粘合层。一种粘合片材,该粘合片材具备表面具有凹凸的粘合层。粘合层在23℃下的拉伸断裂应力为20MPa以上。
粘合剂组合物、粘合片以及电子器件装置的制造方法
本发明提供粘合剂组合物等,其包含:通过加热或照射活性能量射线中的至少一方而产生酸的化合物;以及在分子中具有被保护基团保护的亲水基团即通过所述酸脱保护的亲水基团的被保护化合物。
基板支撑系统中的热传递管理
一种方法包括:识别与基板支撑系统相关联的性质数据;识别与所述基板支撑系统相关联的目标性能数据;基于所述性质数据及所述目标性能数据,确定与所述基板支撑系统相关联的区域配置数据;以及导致基于所述区域配置数据来配置所述基板支撑系统。
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