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最新专利技术
  • 阶梯栅型碳化硅沟槽式器件的制备方法、器件和芯片
    阶梯栅型碳化硅沟槽式器件的制备方法、器件和芯片_深圳方正微电子有限公司_202511947299.6
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种阶梯栅型碳化硅沟槽式器件的制备方法、器件和芯片，该制备方法通过在N型漂移区的凹槽底部形成P型屏蔽区，在N型漂移区的凹槽拐角区域设置边角介质层，降低栅极底部中央氧化层的高电场，使得电场向两侧并向下延伸，提...
    2026-04-27
  • 一种碳化硅超结器件的制备方法、器件和芯片
    一种碳化硅超结器件的制备方法、器件和芯片_深圳方正微电子有限公司_202511948487.0
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种碳化硅超结器件及其制备方法、芯片，通过将多个第一子P柱和多个第二子P柱层叠设置于N型漂移区的两侧，且每个第一子P柱和每个第二子P柱的部分区域延伸至N型漂移区内，在N型漂移区内引入线性宽度的P型浮空环区，...
    2026-04-27
  • 线性浮空P环型碳化硅沟槽器件及其制备方法、芯片
    线性浮空P环型碳化硅沟槽器件及其制备方法、芯片_深圳方正微电子有限公司_202511948502.1
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种线性浮空P环型碳化硅沟槽器件及其制备方法、芯片，P型屏蔽区形成于N型漂移区的凹槽底部，栅介质层形成于P型屏蔽区上的凹槽内壁，通过在N型漂移区的两侧区域设置多个P型浮空环区，同一侧的多个P型浮空环区的宽度...
    2026-04-27
  • 基于双重图案光刻工艺的器件制备方法、器件和芯片
    基于双重图案光刻工艺的器件制备方法、器件和芯片_深圳方正微电子有限公司_202511948551.5
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种基于双重图案光刻工艺的器件制备方法、器件和芯片，该制备方法通过在N型漂移区的凹槽底部形成P型屏蔽区，在N型漂移区的凹槽拐角区域设置边角介质层，降低栅极底部中央氧化层的高电场，使得场强向下延伸，提高器件的...
    2026-04-27
  • 具有P型浮空环的碳化硅超结器件及其制备方法、芯片
    具有P型浮空环的碳化硅超结器件及其制备方法、芯片_深圳方正微电子有限公司_202511951432.5
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种具有P型浮空环的碳化硅超结器件及其制备方法、芯片，通过在N型漂移区内引入宽度一致的P型浮空环区，P型浮空环区与栅极介质层之间的距离至少大于N型漂移区的厚度的二分之一，以将栅极沟槽氧化层拐角处的电场向下延...
    2026-04-27
  • 基于双重图案光刻工艺的器件制备方法、器件及芯片
    基于双重图案光刻工艺的器件制备方法、器件及芯片_深圳方正微电子有限公司_202511951460.7
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种基于双重图案光刻工艺的器件制备方法、器件及芯片，通过在N型漂移区的凹槽底部形成P型屏蔽区，在N型漂移区的凹槽拐角区域设置边角介质层，降低栅极底部中央氧化层的高电场，使得电场向两侧并向下延伸，提高器件的击...
    2026-04-27
  • 优化短路测试能力的碳化硅超结器件的制备方法和芯片
    优化短路测试能力的碳化硅超结器件的制备方法和芯片_深圳方正微电子有限公司_202511951475.3
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种优化短路测试能力的碳化硅超结器件的制备方法和芯片，通过将多个第一子P柱和第二子P柱层叠设置于N型漂移区的两侧，且每个第一子P柱和每个第二子P柱的部分区域延伸至N型漂移区内，在N型漂移区内引入宽度相同的P...
    2026-04-27
  • 自对准图案化沟槽式栅极功率器件的制备方法和芯片
    自对准图案化沟槽式栅极功率器件的制备方法和芯片_深圳方正微电子有限公司_202511953159.X
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种自对准图案化沟槽式栅极功率器件的制备方法和芯片，通过不同的选择比控制自对准材料的生长形貌，并通过刻蚀的方式调整P型掺杂离子的注入范围，从而在N型漂移区的凹槽底部形成P型屏蔽区，并通过不同的自对准材料的选...
    2026-04-27
  • 具有P柱的碳化硅超结器件的制备方法、器件和芯片
    具有P柱的碳化硅超结器件的制备方法、器件和芯片_深圳方正微电子有限公司_202511955086.8
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种具有P柱的碳化硅超结器件的制备方法、器件和芯片，通过将多个第一子P柱和第二子P柱层叠设置于N型漂移区的两侧，且每个第一子P柱和每个第二子P柱的部分区域延伸至N型漂移区内，并在N型漂移区内引入宽度相同的P...
    2026-04-27
  • 具有P型浮空环的碳化硅超结器件及其制备方法、芯片
    具有P型浮空环的碳化硅超结器件及其制备方法、芯片_深圳方正微电子有限公司_202511955107.6
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种具有P型浮空环的碳化硅超结器件及其制备方法、芯片，通过在N型漂移区内引入宽度一致的P型浮空环区，降低栅极沟槽氧化层下方P型屏蔽区附近的碳化硅表面电场强度，可以有效降低栅极沟槽底部的栅介质层的表面电场，扩...
    2026-04-27
  • 碳化硅超结单沟槽栅功率器件及其制备方法、芯片
    碳化硅超结单沟槽栅功率器件及其制备方法、芯片_深圳方正微电子有限公司_202511956658.4
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种碳化硅超结单沟槽栅功率器件及其制备方法、芯片，通过在N型漂移区内引入线性的P型浮空环区，P型浮空环区与栅极介质层之间的距离至少大于N型漂移区的厚度的二分之一，以将栅极沟槽氧化层拐角处的电场向下延伸，可以...
    2026-04-27
  • 基于双重图案光刻工艺的碳化硅器件制备方法和器件
    基于双重图案光刻工艺的碳化硅器件制备方法和器件_深圳方正微电子有限公司_202511956678.1
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种基于双重图案光刻工艺的碳化硅器件制备方法和器件，本申请通过在N型漂移区的凹槽底部形成P型屏蔽区，在N型漂移区的凹槽拐角区域设置边角介质层，降低栅极底部中央氧化层的高电场，使得场强向下延伸，提高器件的击穿...
    2026-04-27
  • 具有线性浮空环区的碳化硅超结器件的制备方法和芯片
    具有线性浮空环区的碳化硅超结器件的制备方法和芯片_深圳方正微电子有限公司_202511956686.6
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种具有线性浮空环区的碳化硅超结器件的制备方法和芯片，通过将多个第一子P柱和第二子P柱层叠设置于N型漂移区的两侧，且每个第一子P柱和每个第二子P柱的部分区域延伸至N型漂移区内，并在N型漂移区内引入线性宽度的...
    2026-04-27
  • 一种基于自对准图案化工艺的器件制备方法和芯片
    一种基于自对准图案化工艺的器件制备方法和芯片_深圳方正微电子有限公司_202511958209.3
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种基于自对准图案化工艺的器件制备方法和芯片，通过不同的选择比控制自对准材料的生长形貌，并通过刻蚀的方式调整P型掺杂离子的注入范围，在N型漂移区的凹槽底部形成P型屏蔽区，并通过不同的自对准材料的选择比控制硬...
    2026-04-27
  • 碳化硅沟槽式栅极功率器件及其制备方法、芯片
    碳化硅沟槽式栅极功率器件及其制备方法、芯片_深圳方正微电子有限公司_202511958224.8
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种具有浮空P型环的碳化硅沟槽式栅极功率器件及其制备方法、芯片，P型屏蔽区形成于N型漂移区的凹槽底部，栅介质层形成于P型屏蔽区上的凹槽内壁，通过在N型漂移区的两侧区域设置多个宽度相同的P型浮空环区，同一侧的...
    2026-04-27
  • 一种碳化硅沟槽式栅极功率器件及其制备方法、芯片
    一种碳化硅沟槽式栅极功率器件及其制备方法、芯片_深圳方正微电子有限公司_202511958235.6
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种碳化硅沟槽式栅极功率器件及其制备方法、芯片，P型屏蔽区形成于N型漂移区的凹槽底部，栅介质层形成于P型屏蔽区上的凹槽内壁，通过在N型漂移区的中央区域设置多个宽度相同的P型浮空环区，多个P型浮空环区沿P型屏...
    2026-04-27
  • 碳化硅沟槽式栅极功率器件及其制备方法、芯片
    碳化硅沟槽式栅极功率器件及其制备方法、芯片_深圳方正微电子有限公司_202511958244.5
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种具有浮空P型环的碳化硅沟槽式栅极功率器件及其制备方法、芯片，P型屏蔽区形成于N型漂移区的凹槽底部，栅介质层形成于P型屏蔽区上的凹槽内壁，通过在N型漂移区内设置多个P型浮空环区，多个P型浮空环区的宽度沿P...
    2026-04-27
  • 具有周期性P岛屏蔽的沟槽MOSFET
    具有周期性P岛屏蔽的沟槽MOSFET_瑞萨电子株式会社_202511355784.4
    本公开的各实施例涉及具有周期性P岛屏蔽的沟槽MOSFET。一种半导体结构包括第一导电类型的碳化硅半导体衬底。半导体结构还包括位于半导体衬底上方的第一导电类型的漂移层、位于漂移层上方的第二导电类型的沟道层以及位于沟道层上方的第一导电类型的源极...
    2026-04-27
  • 改进的功率器件的设计和制造
    改进的功率器件的设计和制造_GENESIC半导体公司_202511829495.3
    本公开涉及改进的功率器件的设计和制造。本公开描述了一种器件及其形成方法。一种器件，包括至少部分形成于SiC基板内的单位单元，该单位单元包括：沟槽，其限定于SiC基板的上表面中；硅化物层，其设置于沟槽的至少一个表面上；第一导电类型漂移区，其形...
    2026-04-27
  • 基于场板辅助式碳化硅分裂栅场效应晶体管及其制备方法
    基于场板辅助式碳化硅分裂栅场效应晶体管及其制备方法_费米电气(舟山)有限公司_202511918220.7
    本发明提供了一种基于场板辅助式碳化硅分裂栅场效应晶体管及其制备方法，其包括：衬底、外延层、栅极氧化层、分裂栅、介电层以及多个源极场板，介电层沉积于栅极氧化层上，且覆盖分裂栅；多个源极场板均设置于介电层上，且对应分裂栅角部设置，以通过自身的电...
    2026-04-27
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