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发电;变电;配电装置的制造技术
  • 本发明提供一种深沟槽场效应晶体管及其制备方法,包括:在N型衬底中形成P型层和N型层;形成栅沟槽和终端沟槽;离子注入形成N型源区;在沟槽中形成栅氧化层;在沟槽中形成第一多晶硅层、厚氧化层和第二多晶硅层;沉积介质层;形成漏接触区、源接触区、栅接...
  • 本发明提供一种在进行滚子的配置作业时,有利于抑制滚子倾倒的偏心摆动型齿轮装置。偏心摆动型齿轮装置具备:曲轴(14),具有偏心部(12);摆动齿轮(16),通过偏心部(12)能够摆动;及偏心轴承(20),配置于偏心部(12)与摆动齿轮(16)...
  • 本发明涉及信息安全技术领域,尤其涉及一种车联网数据的加密方法及解密方法,该加密方法包括:获取车联网数据的图像,并确定图像的敏感区域;随机生成特化的二维Logistic混沌加密器混沌序列参数和AES密钥;基于该特化的二维Logistic混沌加...
  • 本发明提供一种水系二次离子电池。本发明所述水系二次离子电池包括正极材料;所述正极材料至少包括:正极活性物质,所述正极活性物质包含第一活性物质和载体,所述第一活性物质选自碱金属卤素盐或碱金属亚硫酸盐,碱土金属卤素盐或碱土金属亚硫酸盐,铝的卤化...
  • 本发明实施例公开一种云成本管理方法、装置、电子设备及存储介质,其中,所述方法包括获取用户对第一云费用折扣方案的实际享用情况;在所述实际享用情况低于预设的享用阈值时,判断所述用户是否存在云成本优化空间;在存在云成本优化空间时,将第二云费用折扣...
  • 用于能够通过多个天线面板进行接收的用户设备(UE)的调度的装置和方法。一种用于UE的方法包括:接收关于第一小区的第一搜索空间集和第一CORESET的信息。所述方法还包括:确定关于来自所述第一小区的第二小区的、来自所述第一搜索空间集的与来自所...
  • 本申请关于一种区块链节点准入方法、装置、设备及存储介质,涉及区块链技术领域,可以解决在多个交易系统协同的情况下,进行区块链节点准入的效率较低的问题。该区块链节点准入方法包括:接收第一交易系统发送的待接入的目标节点的区块链准入请求;生成第一合...
  • 本申请提供了一种网络模型配置方法、设备和通信系统。在该方法中,在UE向NE请求网络模型时,NE可以根据UE提供的第一信息进行匹配,确定符合UE需求的目标模型。在接收到NE下发的网络模型后,UE可以首先创建沙箱环境,在沙箱环境中部署并运行上述...
  • 本发明涉及光通信技术领域,特别是涉及一种远程增益单元、衰耗检测方法和遥泵传输系统,本发明通过相应的光路设计将测量光与信号光分离传输,从而实现测量光跳过放大光纤进行传输,避免了放大光纤对测量光的吸收,这不仅可用于遥泵传输系统中光缆跨损的直接测...
  • 本发明属于无线通信的技术领域,具体公开了一种非扩频连续波信号的高动态稳定跟踪方法。该方法包括:基于ADC采样得到数字信号,并根据当前估计的频率结果,对当前符号的全部采样点进行数字变频得到数字基带信号;经过多级降采样,得到4倍过采样下的数字基...
  • 本公开提供了一种发送或接收应答信息的方法、装置及可读存储介质,应用于无线通信技术领域,由用户设备执行的一种发送应答信息的方法包括:在第一时段内在第一载波上向网络设备发送混合自动重传请求‑确认应答HARQ‑ACK,所述HARQ‑ACK被所述网...
  • 本申请案涉及等离激元OLED和垂直偶极子发射体。提供了化合物、包含化合物的调配物和利用化合物的装置,其中所述装置包括衬底、第一电极、安置于所述第一电极上方的包含有机发射材料的有机发射层。所述装置包括增强层,其包含展现表面等离激元共振的等离激...
  • 本发明公开了一种清洗装置、清洗系统及清洗方法,涉及化学机械抛光技术领域,在精确控制清洗装置所包括的清洗刷组件作用在晶圆不同待清洗区域上的清洗压力的情况下,降低对晶圆表面的欠清洗和/或过清洗的风险。该清洗装置应用于化学机械抛光后的晶圆的清洗,...
  • 本发明公开一种集成电路的制备方法,涉及集成电路技术领域;包括:预处理 N 型单晶硅衬底;淀积含 CeO2等的 SiO2‑Si3N4‑SiO2过渡层;低、高能量注入磷离子形成有源区;有源区表面依次淀积 TiN 屏障层、含纳米 Cr 等的 Ti...
  • 本申请涉及智能制造装备技术领域,尤其是涉及一种料带输送装置及收卷设备,其中,料带输送装置包括输入路径调整机构、行进路径调整机构、输出路径调整机构和输送步长控制机构;输入路径调整机构用于调整料带的输入路径,避免料带输入时沿横向移动。行进路径调...
  • 本申请提供一种半导体结构及其制备方法,涉及半导体技术领域,用于解决半导体结构随着尺寸的缩小而无法保证半导体结构的性能的技术问题,该半导体结构包括衬底、源极层、漏极层、沟道层、栅极结构、栅极介电层和介质层,源极层和漏极层堆叠设置于衬底上;沟道...
  • 本发明实施例提供了一种MOSFET器件和芯片,包括N型衬底;N型外延层,设于N型衬底另一侧;N型电流扩展层和第一P型埋层,设于N型外延层上方;N型电流扩展层与第一P型埋层连接;第一N+区,设于第一P型埋层的表面形成的凹槽中;沟槽,形成于N型...
  • 本申请提供了一种上行开销配置方法、光纤网络系统以及相关设备,用于针对支持特定上行速率的子设备单独配置上行开销,提高上行突发的效率。其中,第一子设备收到的第一消息包含第一指示信息,第一指示信息用于指示第一消息适用于支持第一上行速率的子设备配置...
  • 本发明公开了一种能产生层间激子的二维有机无机异质结及其制备方法,制备步骤包括:S1.物理气相传输法制备双层并五苯晶体;S2.机械剥离法或化学气相沉积法制备单层硒化钨晶体;S3.利用干法转移将单层硒化钨转移到双层并五苯上制备得到单层硒化钨/双...
  • 本发明公开了一种基于双泵浦非线性偏振演化的O波段谐波锁模激光器,包括第一泵浦源、第二泵浦源、第一波分复用器、第二波分复用器、增益光纤、第一偏振控制器、偏振相关隔离器、第二偏振控制器以及耦合器,构成双向泵浦环形激光谐振腔。其中,第一与第二偏振...
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