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最新专利技术
  • 控制装置、定位装置、光刻装置和物品制造方法
    控制装置、定位装置、光刻装置和物品制造方法_佳能株式会社_202511468003.2
    本文提供了控制装置、定位装置、光刻装置、物品制造方法和存储介质。控制装置基于由前馈控制器生成的前馈操纵变量来控制对象。装置包括确定器，该确定器进行操作以基于指示对象中的控制误差的变化的控制误差数据串以及指示在特定操纵变量被提供给对象时的对象...
    2026-04-28
  • 光学邻近效应校正方法及装置
    光学邻近效应校正方法及装置_张江国家实验室_202411442238.X
    本公开提供一种光学邻近效应校正方法及装置，可以高分辨率且高效地进行光学邻近效应校正处理。该光学邻近效应校正方法包括以下步骤：获取待处理的第一格式的版图图像；对所述第一格式的版图图像进行预处理，得到第二格式的版图图像；将所述第二格式的版图图像...
    2026-04-28
  • 一种部分相干成像计算模型下的光源优化方法和系统
    一种部分相干成像计算模型下的光源优化方法和系统_中国科学院微电子研究所_202411441931.5
    本发明涉及一种部分相干成像计算模型下的光源优化方法和系统，属于计算光刻技术领域，解决了现有技术中缺少考虑光源相干性的EUV光刻SO算法的问题。具体步骤包括：结合掩膜三维效应，分别计算有效光源中每个光源点通过相干成像产生的电场；基于每个光源点...
    2026-04-28
  • 基片处理方法和基片处理装置
    基片处理方法和基片处理装置_东京毅力科创株式会社_202511435244.7
    本发明提供能够进行与下层膜中的外缘的状态相匹配的周边曝光的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括：基于对在正面上形成有第一覆膜的基片的正面中的周缘区域进行拍摄而得到的拍摄图像生成边缘信息的步骤，其中，边缘信息表示绕基片的中心的周向位置...
    2026-04-28
  • 用于光刻胶的涂布单元
    用于光刻胶的涂布单元_成都新紫光半导体科技有限公司_202411440700.2
    本公开涉及一种用于光刻胶的涂布单元，所述涂布单元包括涂布机构、排放管路、监测组件以及控制台，所述涂布机构用于涂布光刻胶，所述排放管路连接于所述涂布机构，所述监测组件设置于所述排放管路，并设置为在所述排放管路堵塞时，向所述控制台发动报警信号，...
    2026-04-28
  • 光刻胶组合物和使用其制造半导体器件的方法
    光刻胶组合物和使用其制造半导体器件的方法_三星电子株式会社_202511413503.6
    本公开提供了光刻胶组合物和使用其制造半导体器件的方法。所述制造半导体器件的方法包括：在基板上形成第一抗蚀层，在第一抗蚀层上形成第二抗蚀层，曝露第二抗蚀层的第一区域，通过对第二抗蚀层执行热处理以去除第二抗蚀层的未曝露的第二区域来形成光刻胶图案...
    2026-04-28
  • 感光性树脂组合物、感光性元件、印刷线路板和半导体封装
    感光性树脂组合物、感光性元件、印刷线路板和半导体封装_江苏兴南创芯材料技术有限公司_202610077858.0
    本发明提供了一种感光性树脂组合物、感光性元件、印刷线路板和半导体封装，具体涉及印刷线路板的技术领域。该感光性树脂组合物包括：(A)酸改性不饱和环氧树脂、(B)热固性树脂、(C)光引发剂、(D)光聚合性化合物、(E)无机填料、(G)有机过氧化...
    2026-04-28
  • 一种金属基杂化型光刻胶及其制备方法
    一种金属基杂化型光刻胶及其制备方法_衡流半导体科技(常州)有限公司_202610010405.6
    本发明公开了一种金属基杂化型光刻胶及其制备方法，通过气相沉积方法在衬底表面循环沉积金属前驱体和内酯型环状分子前驱体，由金属前驱体和内酯型环状分子前驱体反应得到金属基杂化型光刻胶薄膜。本发明金属基杂化型光刻胶包括由金属元素与内酯型环状分子及金...
    2026-04-28
  • 感光性树脂组合物、转印膜、树脂图案的制造方法及导电图案的制造方法
    感光性树脂组合物、转印膜、树脂图案的制造方法及导电图案的制造方法_富士胶片株式会社_202511465468.2
    本发明提供一种感光性树脂组合物，其能够形成形状不良得到改善且分辨率优异的树脂图案。所述感光性树脂组合物包含：碱溶性树脂，其包含具有双键的交联性基团；多官能(甲基)丙烯酸酯；及阻聚剂，感光性树脂组合物的固体成分中的总双键含量相对于感光性树脂组...
    2026-04-28
  • 一种感光性树脂组合物
    一种感光性树脂组合物_万华化学集团股份有限公司_202411436919.5
    本发明公开了一种感光性树脂组合物，其中含有(a)碱溶性树脂(b)感光剂(c)助粘剂(d)锥角调节剂和(e)有机溶剂。本发明提供的感光性树脂组合物，具有分辨率高、光刻图形截面锥角可控的特点，适用于显示面板的像素定义层、绝缘层、平坦化层，或半导...
    2026-04-28
  • 修补掩膜缺陷的方法、设备、与计算机程序
    修补掩膜缺陷的方法、设备、与计算机程序_卡尔蔡司SMT有限责任公司_202512043192.5
    本发明公开一种修补平版印刷掩膜缺陷、特别是修补EUV掩膜的缺陷的方法、设备和计算机机程序。修补平版印刷掩膜(特别是EUV掩膜)缺陷的方法包含以下的步骤：(a.)以第一修补剂量对缺陷执行第一修补步骤，使该缺陷从初始拓扑转变成第一缺陷拓扑；(b...
    2026-04-28
  • 一种掩膜层的形成方法及掩膜
    一种掩膜层的形成方法及掩膜_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411458738.2
    本公开实施例提供一种掩膜层的形成方法及掩膜；其中，掩膜层的形成方法应用于金属零层的形成过程，所述方法包括：提供基底；在基底表面形成预留掩膜层；预留掩膜层包括多条第一刻蚀沟槽；对第一刻蚀沟槽进行填充，形成多条牺牲结构；刻蚀多条牺牲结构，将多条...
    2026-04-28
  • 频域分割协同的梯度驱动逆光刻方法、系统、设备及介质
    频域分割协同的梯度驱动逆光刻方法、系统、设备及介质_安徽理工大学_202610294720.6
    本发明涉及集成电路技术领域，公开了一种频域分割协同的梯度驱动逆光刻方法、系统、设备及介质，该方法包括：获取集成电路的目标布局图像，利用初始化参数初始化目标布局图像并进行多尺度特征加权求和，得到多尺度融合掩模；对多尺度融合掩模进行频域映射，得...
    2026-04-28
  • 一种基于对比学习的反演光刻掩模方法及系统
    一种基于对比学习的反演光刻掩模方法及系统_中国科学院微电子研究所_202610128434.2
    本发明提供一种基于对比学习的反演光刻掩模方法及系统，所述方法包括：获取数据样本集，所述数据样本集包括多组训练图像以及对应所述训练图像的掩模图像；构建包含生成器与判别器的非配对图像转换对比学习网络初始模型；基于所述数据样本集对所述非配对图像转...
    2026-04-28
  • 一种光罩图形优化方法及存储介质
    一种光罩图形优化方法及存储介质_重庆芯联微电子有限公司_202511948123.2
    本发明公开了一种光罩图形优化方法及存储介质，所述方法包括，获取版图图形，并确定所述版图图形上的重复单元区域；在找到的所述重复单元区域内确定至少一个代表性单元；使用逆向光刻技术对所述代表性单元进行像素级优化，生成第一优化掩膜图形，将所述第一优...
    2026-04-28
  • 掩模数据准备方法、使用该方法的半导体芯片制造方法以及计算设备
    掩模数据准备方法、使用该方法的半导体芯片制造方法以及计算设备_三星电子株式会社_202510618072.0
    提供了一种掩模数据准备方法，包括：生成包括第一布局和第二布局的曝光级图案数据，其中，第一布局和第二布局跨第一曝光数据区域和第二曝光数据区域之间的边界线定位，第二曝光数据区域与第一曝光数据区域相邻；基于曝光级图案数据生成与第一布局相关联的第一...
    2026-04-28
  • 版图修正方法、版图修正系统、计算机设备和存储介质
    版图修正方法、版图修正系统、计算机设备和存储介质_北京超弦存储器研究院_202411440955.9
    本公开涉及一种版图修正方法、版图修正系统、计算机设备和存储介质。该版图修正方法包括：获取设计版图，确定设计版图内待修正的目标图形；基于光刻光学模型获取光刻模型核函数；根据光刻模型核函数获取目标图形对应的晶圆表面光强振幅分布；根据晶圆表面光强...
    2026-04-28
  • 反射型光掩模坯以及反射型光掩模的制造方法
    反射型光掩模坯以及反射型光掩模的制造方法_信越化学工业株式会社_202511461139.0
    本发明提供反射型光掩模坯以及反射型光掩模的制造方法。提供反射型光掩模坯，其包括：基板、多层反射膜、保护膜和具有相移功能的吸光膜。所述吸光膜包含钌和铬并且不含氧和氮，并且具有64‑74at％的钌含量、26‑36at％的铬含量，40‑44nm的...
    2026-04-28
  • 反射型光掩模坯以及反射型光掩模的制造方法
    反射型光掩模坯以及反射型光掩模的制造方法_信越化学工业株式会社_202511460331.8
    本发明提供反射型光掩模坯以及反射型光掩模的制造方法。提供反射型光掩模坯，其包括：基板、多层反射膜、保护膜和具有相移功能的吸光膜。所述吸光膜包含钌和铬并且不含氧和氮，并且具有5‑15at％的钌含量、85‑95at％的铬含量，40‑56nm的厚...
    2026-04-28
  • 一种具有逆光增强功能的多目全景大模型摄像机
    一种具有逆光增强功能的多目全景大模型摄像机_瀚觉科技(苏州)有限公司_202610268479.X
    本发明涉及多目像机技术领域，尤其是一种具有逆光增强功能的多目全景大模型摄像机，包括装置外壳，所述装置外壳内安装有多组相机装置，还包括：相机旋转角度调节组件，相机旋转角度调节组件包括保护面板，所述保护面板固定安装于所述装置外壳的外壁，所述保护...
    2026-04-28
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