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最新专利技术
  • 短波红外透过增强型背照CCD图像传感器及其制作方法
    短波红外透过增强型背照CCD图像传感器及其制作方法_中国电子科技集团公司第四十四研究所_202610024989.2
    本发明公开了一种短波红外透过增强型背照CCD图像传感器及其制作方法，包括正照CCD芯片和载体片，所述正照CCD芯片通过键合材料集成在载体片上，所述正照CCD芯片的背面设置有接触金属电极；所述载体片采用经过减薄抛光处理的高阻单晶材料片。本发明...
    2026-04-23
  • 用于背照式图像传感器的像素单元及其制备方法
    用于背照式图像传感器的像素单元及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610295345.7
    本申请涉及一种用于背照式图像传感器的像素单元及其制备方法，像素单元包括：提供衬底，衬底的顶面包括沿第一方向交替排列的牺牲层和第一沟槽；于第一沟槽靠近牺牲层一侧形成隔离结构后，去除牺牲层形成第二沟槽；隔离结构内包括第一介电层；于第二沟槽、剩余...
    2026-04-23
  • 图像传感器及其制作方法
    图像传感器及其制作方法_豪威科技(上海)有限公司_202610034530.0
    本发明提供一种图像传感器及其制作方法，采用从晶圆背面形成双深度沟槽隔离技术，即满深度沟槽隔离结合部分深度沟槽隔离。本发明在从晶圆背面沟槽蚀刻前, 先沉积一层硬掩膜层且仅增加一张光罩，通过该光罩对硬掩膜层图形化，实现该硬掩膜层在满深度沟槽隔离...
    2026-04-23
  • 碲镉汞红外芯片及其底部填充方法
    碲镉汞红外芯片及其底部填充方法_浙江珏芯微电子有限公司_202610010929.5
    本发明公开了一种碲镉汞红外芯片及其底部填充方法，属于制冷红外探测器技术领域，该碲镉汞红外芯片的底部填充方法，包括提供红外芯片，读出电路板和光电材料层之间具有一填胶空间，红外芯片的面阵规模不小于1280×1024；将红外芯片设置有读出电路板的...
    2026-04-23
  • 一种制备像素化闪烁体薄膜的方法
    一种制备像素化闪烁体薄膜的方法_大连理工大学_202610007062.8
    本发明属于辐射探测成像技术领域，公开一种制备像素化闪烁体薄膜的方法。该方法通过原位生长方式在基底上直接制备闪烁体薄膜，随后采用皮秒激光对所述闪烁体薄膜进行选择性刻蚀，在薄膜内部原位形成用于像素隔离的空气层，从而构建像素化闪烁体结构。所形成的...
    2026-04-23
  • 可见光和短波红外混合传感器
    可见光和短波红外混合传感器_半导体元件工业有限责任公司_202510142492.6
    本公开涉及可见光和短波红外(SWIR)混合传感器，以及用于构建此类传感器的方法。该方法包括在硅衬底中形成第一深沟槽隔离部(DTI)、第二DTI和第三DTI。该硅衬底的定位在该第二DTI与该第三DTI之间的部分形成用于探测可见光的硅光电探测器...
    2026-04-23
  • 阶梯变化的导电高透微纳网格光电玻璃窗口及其加工方法
    阶梯变化的导电高透微纳网格光电玻璃窗口及其加工方法_中国建筑材料科学研究总院有限公司_202511844106.4
    本发明是关于阶梯变化的导电高透微纳网格光电玻璃窗口及其加工方法，该加工方法包括：光电玻璃窗口结构设计：光电玻璃窗口透过率≥85%、方阻＜100Ω/□，基于此设计网络结构；掩膜版的制备：将设计的网格结构制备成掩膜版；表面处理：在光电玻璃窗口上...
    2026-04-23
  • 一种雪崩探测器及其制备方法
    一种雪崩探测器及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511746048.1
    本发明属于探测器领域，具体涉及一种雪崩探测器及其制备方法。解决现有低增益雪崩探测器存在性能调控维度单一，制造工艺窗口窄及容差率低等问题。一种雪崩探测器，包括自下而上依次层叠设置的：衬底；第一半导体层，形成于所述衬底之上或作为所述衬底的一部分...
    2026-04-23
  • 一种抗辐照感光晶体管及电子设备
    一种抗辐照感光晶体管及电子设备_湖南工商大学_202610090884.7
    本发明公开了一种抗辐照感光晶体管及电子设备，涉及晶体管技术领域，包括：衬底、沟道层、栅介质层、电极结构及二维半导体材料层；沟道层位于衬底上，采用高禁带宽度半导体材料，包含非感光功能区和日盲感光区，二者通过原位掺杂梯度过渡形成RESURF结构...
    2026-04-23
  • 一种红外双极性线偏振光电探测器及制备方法
    一种红外双极性线偏振光电探测器及制备方法_天府绛溪实验室_202511792200.X
    本申请公开了一种红外双极性线偏振光电探测器及制备方法，其红外双极性线偏振光电探测器，通过将双极性材料石墨烯作为沟道材料，在其上面依次堆垛二维N型半导体材料二硫化钼MoS2和各向异性窄带隙二维材料黑磷BP，利用底栅调控石墨烯的极性，实现了能够...
    2026-04-23
  • 低噪声近红外单光子雪崩探测器及其制备方法
    低噪声近红外单光子雪崩探测器及其制备方法_中山德华芯片技术有限公司_202511828056.0
    本发明公开了一种低噪声近红外单光子雪崩探测器及其制备方法，包括n型InP衬底以及在n型InP衬底的正表面由下至上依次生长的InP缓冲层、GaAs0.51Sb0.49吸收层、InaGa1‑aAsbSb1‑b能带渐变层、内含铟量子点阵列的复合电...
    2026-04-23
  • 一种日盲紫外探测器及其制作方法
    一种日盲紫外探测器及其制作方法_浙江大学杭州国际科创中心_202511966215.3
    本发明涉及一种日盲紫外探测器及其制作方法。所述日盲紫外探测器依次包括背电极、P型碳化硅衬底、第一隧穿氧化层、i型宽禁带材料层、第二隧穿氧化层、N型氧化镓层和面电极。P型碳化硅衬底、i型宽禁带材料层和N型氧化镓层构成pin异质结，能够将电子和...
    2026-04-23
  • 光电探测器及其制备方法
    光电探测器及其制备方法_武汉光谷信息光电子创新中心有限公司_202511868629.2
    本申请提供了一种光电探测器及其制备方法；其中，光电探测器包括：沿第一方向依次层叠设置的衬底、埋氧层、硅波导层、外延层和锗波导层；外延层包括沿第二方向依次排布的第一区域、第二区域和第三区域，锗波导层覆盖在部分所述第一区域、所述第二区域和部分第...
    2026-04-23
  • 碲掺杂氮化铝薄膜及其制备方法和应用
    碲掺杂氮化铝薄膜及其制备方法和应用_西安电子科技大学_202610021172.X
    本发明提供了碲掺杂氮化铝薄膜及其制备方法和应用，属于半导体材料。本发明的碲掺杂氮化铝薄膜由第一氮化铝层、碲掺杂的氮化铝层和第二氮化铝层依次堆叠而成三明治结构。其制备方法采用射频溅射氮化铝靶材与直流溅射碲靶材进行共溅射实现氮化铝薄膜掺杂，并且...
    2026-04-23
  • 一种激子极化激元非平衡态光电探测器及其制备方法
    一种激子极化激元非平衡态光电探测器及其制备方法_中国科学院上海技术物理研究所_202610005634.9
    本发明涉及光电器件技术领域，具体涉及一种激子极化激元非平衡态光电探测器及制备方法，包括依次层叠设置的基底、金属底电极层、二维激子半导体材料层和顶部透明氧化铟锡(ITO)电极层，形成开放腔式强光–物质耦合结构。二维激子半导体材料具有较大的激子...
    2026-04-23
  • 一种高功率波导集成光电探测器及其制备方法
    一种高功率波导集成光电探测器及其制备方法_希烽光电科技(南京)有限公司_202610008410.3
    本发明公开了一种高功率波导集成光电探测器，包括SOI衬底、波导层、波导层底部电极区、Ge吸收区、顶部电极层、介质保护层、底部金属电极和底部金属电极，波导层包括端面入射波导I、端面入射波导II、边入射波导、分光器件I、分光器件II、凹槽I和凹...
    2026-04-23
  • 一种位置敏感的Te纳米线光电探测器及其制备方法和应用
    一种位置敏感的Te纳米线光电探测器及其制备方法和应用_西北工业大学_202512027514.7
    本发明公开了一种位置敏感的Te纳米线光电探测器及其制备方法和应用，属于光电探测与神经形态计算技术领域；本发明公开了悬空的Te纳米线以最小化基底寄生干扰以提高光生载流子收集效率，又能实现快速热隔离以精确控制温度梯度实现了零偏值下的1310‑1...
    2026-04-23
  • 一种太阳能电池片及光伏组件
    一种太阳能电池片及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610024565.6
    本申请涉及光伏技术领域，特别是一种太阳能电池片及光伏组件。太阳能电池片包括基底，基底设置有细栅、主栅和连接点。细栅沿第一方向和第二方向间隔分布，连接点沿第一方向位于相邻两个细栅之间，以连接相邻的细栅。主栅沿第一方向位于至少部分相邻两个细栅之...
    2026-04-23
  • 一种电池串、光伏组件及连接带打断长度的设计方法
    一种电池串、光伏组件及连接带打断长度的设计方法_通威太阳能(成都)有限公司_202512018011.3
    本申请涉及光伏组件加工技术领域，特别是涉及一种电池串、光伏组件及连接带打断长度的设计方法。一种电池串包括沿第一方向间隔设置的第一电池片、第二电池片，所述第一方向为所述第一电池片和/或所述第二电池片的宽度方向；连接带连接于所述第一电池片的正极...
    2026-04-23
  • 光伏电池串和光伏组件
    光伏电池串和光伏组件_TCL中环新能源科技股份有限公司_202511998951.7
    本发明提供了一种光伏电池串和光伏组件，涉及光伏电池串制造技术领域。包括至少两个光伏电池片，每个所述光伏电池片的第一表面均设有交替排布的第一类电极和第二类电极；导电互连件，用于将相邻的光伏电池片连接；功能性隔离层，设于导电互连件跨越的异性电极...
    2026-04-23
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