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一种可调谐外腔激光器芯片及其制备方法
本发明提出一种可调谐外腔激光器芯片及其制备方法,涉及激光器技术领域,芯片包括:平面光波导回路、增益芯片;通过平面光波导回路中的移相器阵列和第一微环移相器将微环谐振器的窄带透射峰与多通道干涉模块的干涉通带进行初步对准,完成激射工作点的选择;以...
一种基于顶面金属光栅负啁啾激光器
本发明涉及半导体激光器技术领域,具体为一种基于顶面金属光栅负啁啾激光器,包括激光增益芯片;金属光栅增益电极,设置在所述激光增益芯片的上端面右侧;金属光栅调制电极,设置在所述激光增益芯片的上端面左侧;电极隔离槽,设置在所述激光增益芯片的上端面...
基于两不同光栅且相位间隔λ/2金属光栅的激光器
本发明涉及光电子器件技术领域,尤其是基于两不同光栅且相位间隔λ/2金属光栅的激光器,包括 : 增益芯片、增益芯片光波导、光栅光波导衬底、光波导以及金属BRAGG反射光栅。采用独特的外腔结构,摒弃传统夹层半导体光栅,采用顶部金属光栅,极大地简...
双金属布拉格光栅相位差调控实现窄线宽的外腔激光器
本发明涉及半导体激光器技术领域,具体为双金属布拉格光栅相位差调控实现窄线宽的外腔激光器,调控实现窄线宽的外腔激光器,包括:增益芯片,所述增益芯片左端面镀设有第一高反射HR膜,所述增益芯片右端面镀设有第一增透AR膜;所述增益芯片右侧设置有金属...
一种基于顶部平面金属光栅和高反射介质膜的激光器
本发明涉及半导体激光器技术领域,具体为一种基于顶部平面金属光栅和高反射介质膜的激光器,包括:增益芯片,所述增益芯片左端面镀设有第一高反射HR膜,所述增益芯片右端面镀设有第一增透AR膜;所述增益芯片右侧设置有平面金属布拉格光栅波导,所述增益芯...
基于双金属布拉格光栅和顶部SiO2波导层的激光器
本发明涉及半导体激光器技术领域,具体为基于双金属布拉格光栅和顶部SiO2波导层的激光器,包括:增益芯片,所述增益芯片左端面镀设有第一高反射HR膜,所述增益芯片右端面镀设有第一增透AR膜;所述增益芯片右侧设置有金属布拉格光栅波导,所述增益芯片...
一种高速可调波长的窄线宽外腔激光器
本发明涉及半导体激光器技术领域,具体为一种高速可调波长的窄线宽外腔激光器,包括InP增益芯片光波导,其左端面镀有光学高反射膜,右端面镀有第一光学增透膜;还包括铌酸锂波导,所述铌酸锂波导的左端面镀有第二光学增透膜,右端面镀有第三光学增透膜;所...
垂直腔面发射激光器及其制作方法与横向电流控制方法
本发明提供一种垂直腔面发射激光器及其制作方法与横向电流控制方法,该制作方法通过在光学有源层四周形成介质膜与侧方电极层,构造了侧方电极层‑介质膜‑光学有源层结构,具有类似于MOS结构的电流控制功能,可大幅抑制VCSEL的横向电流,并使得光学与...
VCSEL结构及其制备方法
本发明提供一种VCSEL结构及其制备方法,通过在主氧化层上表面上的较低铝组分的AlGaAs层中引入磷元素形成AlGaAsP层,主动控制主氧化层与AlGaAsP层界面的开裂,提前释放应力,解决了现有技术中氧化层氧化后产生的尖端应力导致可靠性失...
一种360度全景固态圆盘形DFB激光器
本发明涉及半导体激光器技术领域,具体为一种360度全景固态圆盘形DFB激光器,包括:衬底;激光量子阱增益层,设置在所述衬底的上端面;环形DFB光栅,刻蚀在所述激光量子阱增益层的上部波导层;上包层,通过半导体二次外延法构建在所述环形DFB光栅...
一种基于金属光栅PZT薄膜的可调ECL半导体激光器
本发明涉及半导体激光器技术领域,具体为一种基于金属光栅PZT薄膜的可调ECL半导体激光器,包括激光增益芯片;PZT薄膜光波导,设置在激光增益芯片的右侧且与激光增益芯片的右端面抵接;HR高反射膜,镀设在激光增益芯片的左端面;AR抗反射膜,镀设...
一种基于金属光栅PZT薄膜的可调波长外腔激光器
本发明涉及半导体激光器技术领域,具体为一种基于金属光栅PZT薄膜的可调波长外腔激光器,包括激光增益芯片;PZT薄膜光波导,设置在激光增益芯片的左侧且与激光增益芯片的左端面抵接;HR高反射膜,镀设在PZT薄膜光波导的左端面;AR抗反射膜,镀设...
一种激光器驱动电路
本发明公开了一种激光器驱动电路,包括光耦、可编程定时单元、LD驱动芯片、MCU芯片和LD负载,其中MCU芯片向可编程定时单元传输时钟信号和输出信号的脉宽数据信号,光耦的输入端连接外触发信号,光耦输出端连接可编程定时单元,可编程定时单元分别输...
高速激光器芯片及其制备方法
本发明提供一种高速激光器芯片及其制备方法,涉及激光器技术领域。制备方法包括:在外延片表面生长出掩膜层;将单台脊波导图形转移到掩膜层中;通过干法刻蚀在外延片表面形成单台脊波导图形,对形成有初步单台脊波导图形的外延片进行湿法腐蚀,制备出单台脊波...
半导体芯片直冷结构及其应用
本发明涉及一种半导体芯片直冷结构及其应用。该结构包括壳体和设置在壳体上的流道及热沉,在壳体两端设置有进水口和出水口,所述流道与进水口、出水口相连,在热沉上设置有通孔,热沉通过通孔与流道连通,所述半导体芯片固定在热沉上并将其密封。冷却液从进水...
激光器和激光系统
本申请提供了一种激光器和激光系统,涉及光电技术领域,该激光器包括衬底、脊波导、第一子部、两个第二子部、两个侧墙和支撑体。其中,第一子部内部开设有通道,且第一子部的朝向衬底的一侧表面开设开窗,开窗与通道相通;第二子部的远离第一子部的表面开设有...
一种半导体激光设备及光斑能量分布调节方法
本申请公开一种半导体激光设备及光斑能量分布调节方法,半导体激光设备包括激光器、调节透镜、成像透镜、成像件;调节透镜、成像透镜、成像件沿着第一直线方向依次间隔布设。调节透镜具有进光侧和出光侧。进光侧设有第一微透镜阵列,第一微透镜阵列具有阵列布...
一种激光器的波长标定方法及系统
本发明涉及半导体激光器技术领域,具体公开了一种激光器的波长标定方法,包括:获取训练数据集,所述训练数据集包括第一左栅电流数据集、第一右栅电流数据集和第一波长数据集;建立映射模型,所述映射模型的输入为所述第一左栅电流数据集和所述第一右栅电流数...
一种多模块脉冲激光器系统、制备方法、设备和系统
本发明公开了一种多模块脉冲激光器系统、制备方法、设备和系统,多模块脉冲激光器系统中,光源模块包括n个激光单元,用于输出脉冲激光;n≥2且为整数;控制模块控制n个激光单元对应的n个出光时序;延时补偿模块包括n个无源光纤,各无源光纤的输入端分别...
一种双晶体再生放大系统
本申请涉及超快激光技术领域,公开一种双晶体再生放大系统。包括光学谐振腔,光学谐振腔内采用两块Yb : KGW晶体作为增益介质,种子脉冲在光学谐振腔内往返振荡时每次循环均相继穿过两块Yb : KGW晶体,从两块Yb : KGW晶体共同提供的增...
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