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最新专利技术
  • 一种集成续流二极管的氧化镓场效应晶体管及其制备方法
    一种集成续流二极管的氧化镓场效应晶体管及其制备方法_南京邮电大学_202610050338.0
    本发明属于功率器件技术领域，公开了一种集成续流二极管的氧化镓场效应晶体管及其制备方法，本发明提供的集成续流二极管的氧化镓场效应晶体管通过在氧化镓场效应晶体管中集成具有梯度掺杂浓度的P型半导体层，形成异质结续流二极管，实现了低开启电压且不受栅...
    2026-04-27
  • 半导体装置的形成方法
    半导体装置的形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511896042.2
    提供一种形成半导体装置的方法。方法包括在基板上形成堆叠。堆叠包括多个彼此通过间隙隔开的半导体部分。接下来，用介电氧化物材料填满间隙。然后用蚀刻气体组合物横向蚀刻沉积的介电氧化物材料的末端部分，以形成横向开口。蚀刻气体成分包括含卤素化合物、氨...
    2026-04-27
  • 半导体结构、以及用于形成半导体结构的方法
    半导体结构、以及用于形成半导体结构的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511910242.9
    用于形成半导体结构的方法包括：形成多个纳米结构，在纳米结构上形成栅极结构，形成与栅极结构相邻的源极/漏极部件，在源极/漏极部件上形成源极/源极接触部件，在栅极结构和源极/漏极接触部件上形成介电层，蚀刻介电层以在栅极结构上形成第一开口，并且在...
    2026-04-27
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511910263.0
    提供了半导体结构及其形成方法。示例性方法包括接收工件，该工件包括鳍形结构和设置在鳍形结构上方的伪栅极堆叠件。鳍形结构包括鳍形基底、底部半导体堆叠件、位于底部半导体堆叠件上方的中间介电层和顶部半导体堆叠件。顶部半导体堆叠件和底部半导体堆叠件的...
    2026-04-27
  • 形成半导体器件的方法
    形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511921274.9
    提供了半导体器件及其形成方法。示例性方法包括：在衬底上方形成底部纳米结构和顶部纳米结构；在底部纳米结构周围形成第一栅极介电层并且在顶部纳米结构周围形成第二栅极介电层；在第一栅极介电层和第二栅极介电层上依次沉积偶极层、图案层、自组装单分子层(...
    2026-04-27
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511921281.9
    方法包括靠近源极/漏极区域形成导电部件；暴露导电部件的第一表面和源极/漏极区域的第一表面；在导电部件上形成金属氧化物层并在源极/漏极区域上形成氧化硅层；去除氧化硅层，其中去除氧化硅层暴露源极/漏极区域的第二表面；在源极/漏极区域的第二表面上...
    2026-04-27
  • 堆叠器件结构及其形成方法
    堆叠器件结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511944637.0
    示例性方法包括：接收堆叠结构，堆叠结构包括第一多层堆叠件、第二多层堆叠件和第一绝缘结构；在第一多层堆叠件中形成源极/漏极沟槽的第一部分；在源极/漏极沟槽的第一部分中形成伪侧壁掩模之后，将源极/漏极沟槽延伸至第一绝缘结构和第二多层堆叠件中，从...
    2026-04-27
  • 互补场效应晶体管及其制备方法、器件和电子设备
    互补场效应晶体管及其制备方法、器件和电子设备_北京大学_202511951340.7
    本申请提供了一种互补场效应晶体管及其制备方法、器件和电子设备，该方法包括：在衬底上形成沟道结构；沟道结构包括沿第一方向堆叠设置的第一沟道结构和第二沟道结构；基于沟道结构，形成沿第一方向堆叠设置的第一伪栅结构、栅隔离层和第二伪栅结构；第一伪栅...
    2026-04-27
  • 堆叠晶体管及其制备方法、器件和电子设备
    堆叠晶体管及其制备方法、器件和电子设备_北京大学_202511956114.8
    本申请提供了一种堆叠晶体管及其制备方法、器件和电子设备，该方法包括：在衬底上形成沟道结构；沟道结构包括正面沟道结构和背面沟道结构；在堆叠晶体管的第一源漏区域的表面沉积绝缘材料，形成第一内侧墙；在第一内侧墙上横向刻蚀沟道结构中的第一半导体材料...
    2026-04-27
  • 半导体结构及其制造方法、半导体器件
    半导体结构及其制造方法、半导体器件_北京大学_202511956335.5
    本公开提供一种半导体结构及其制造方法、半导体器件。该制造方法包括：提供衬底；在衬底上形成沿平行于衬底表面的第二方向延伸的多个鳍结构；其中，鳍结构包括至少两个沿垂直于衬底表面的第一方向堆叠的超晶格结构；形成沿第二方向间隔排布的覆盖至少一个鳍结...
    2026-04-27
  • 堆叠晶体管及其制备方法、半导体器件及电子设备
    堆叠晶体管及其制备方法、半导体器件及电子设备_北京大学_202511967495.X
    本申请提供一种堆叠晶体管及其制备方法、半导体器件及电子设备，该方法包括：在衬底上形成堆叠结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管的第一源漏外延；倒片并减薄衬底；基于第二有源结构，形成第二晶体管的第二源漏外延；在第二源漏外延表面形成外裹牺牲层；...
    2026-04-27
  • 堆叠晶体管及其制备方法、半导体器件及电子设备
    堆叠晶体管及其制备方法、半导体器件及电子设备_北京大学_202511967651.2
    本申请提供一种堆叠晶体管及其制备方法、半导体器件及电子设备，方法包括：在衬底上形成第一方向上堆叠的第一有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管的第一前道层；刻蚀第一源极结构或第一漏极结构的一部分；在第一前道层上沉积介质材料，...
    2026-04-27
  • 半导体结构及其制备方法、半导体器件及电子设备
    半导体结构及其制备方法、半导体器件及电子设备_北京大学_202511968091.2
    本申请提供一种半导体结构及其制备方法、半导体器件及电子设备，该方法包括：提供一衬底；对衬底进行光刻和刻蚀，形成初始有源结构和第一凹槽；在第一凹槽中填充第一介质材料，形成至少一个介质墙；对初始有源结构进行刻蚀，形成有源结构；有源结构包括第一有...
    2026-04-27
  • 一种薄膜电阻的制备方法、装置、电子设备及存储介质
    一种薄膜电阻的制备方法、装置、电子设备及存储介质_粤芯半导体技术股份有限公司_202610297366.2
    本申请提供了一种薄膜电阻的制备方法、装置、电子设备及存储介质，包括：对已完成铜互连工艺的晶圆进行化学机械抛光；对经过化学机械抛光的晶圆进行介电材料层沉积，形成介电材料层；在介电材料层上加工形成防形变介质层；在防形变介质层上进行薄膜电阻加工，...
    2026-04-27
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411400188.9
    本公开提出了一种半导体结构及其制造方法，涉及半导体技术领域，制造方法包括：提供衬底结构，衬底结构包括：位于衬底上的多个鳍片，多个鳍片包括第一鳍片和第二鳍片；位于第一鳍片和第二鳍片之间的隔离区；横跨多个鳍片的伪栅结构，伪栅结构包括伪栅和位于每...
    2026-04-27
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511938363.4
    提供了半导体器件。半导体器件包括经由衬底与电有源区域热耦合的硅光子区域，电有源区域包括第一晶体管。第一晶体管的源极/漏极区域与包括第一材料的热接触件耦合。第一晶体管的源极/漏极区域与包括不同于第一材料的第二材料的电接触件耦合。半导体器件包括...
    2026-04-27
  • 去耦电容单元及其制备方法、电子设备
    去耦电容单元及其制备方法、电子设备_北京大学_202511945215.5
    本申请提供了一种去耦电容单元及其制备方法、电子设备；该去耦电容单元包括：晶体管组，包括沿水平方向排布的第一晶体管和第二晶体管；正面互连层中的电源金属线分别连接第一源极结构和第二源极结构；背面互连层，沿竖直方向位于晶体管组下方，其中，背面互连...
    2026-04-27
  • 包括应力源层的半导体器件及其形成方法
    包括应力源层的半导体器件及其形成方法_三星电子株式会社_202511101414.8
    提供了包括应力源层的半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括衬底、在衬底上的源极/漏极区、在衬底上并且电连接到源极/漏极区的沟道结构、在衬底上并且至少部分地围绕沟道结构的栅极结构、以及与源极/漏极区的上表面接触并且配置为向源极/漏极区施加压...
    2026-04-27
  • 半导体装置和形成半导体装置的方法
    半导体装置和形成半导体装置的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511896320.4
    一种半导体装置和形成半导体装置的方法。半导体装置包括第一源极/漏极区域；在第一源极/漏极区域上的第一硅化物区域；与第一源极/漏极区域邻近的第一纳米结构；与第一源极/漏极区域重叠的第二源极/漏极区域；以及在第二源极/漏极区域上的第二硅化物区域...
    2026-04-27
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202512013978.2
    本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，属于半导体制造技术领域。该结构包括衬底、PMOS区域、NMOS区域以及环绕两者的隔离沟槽，其中隔离沟槽靠近PMOS区域一侧的侧壁设有压电材料，靠近NMOS区域一侧未与压电材料接触。通过选择性布置压电材...
    2026-04-27
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