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信息存储应用技术
  • 一种Co, Ni-LDH@Co, Ni-BDC/Co/CC复合材料及其制备方法和其作为超级电容器材料的应用
    一种Co, Ni-LDH@Co, Ni-BDC/Co/CC复合材料及其制备方法和其作为超级电容器材料的应用_安徽师范大学_202512044527.5
    本发明公开了一种Co, Ni‑LDH@Co, Ni‑BDC/Co/CC复合材料及其制备方法和其作为超级电容器材料的应用，所述制备方法包括以下步骤：将钴源、柠檬酸溶于去离子水中，以碳布为工作电极，碳棒为对电极，进行阴极电沉积，得到Co/CC纳...
    2026-04-27
  • 一种镍铁普鲁士蓝超级电容器电极材料及其制备方法和超级电容器
    一种镍铁普鲁士蓝超级电容器电极材料及其制备方法和超级电容器_四川轻化工大学_202610361688.9
    本发明属于电容器技术领域，公开了一种镍铁普鲁士蓝超级电容器电极材料及其制备方法和超级电容器，包括：将六水合氯化镍、六水合三氯化铁和柠檬酸三钠二水合物溶于水中，得到试剂A，将铁氰化钾溶于水中配制为溶液，得到试剂B；在室温下将试剂B缓慢滴加到试...
    2026-04-27
  • 存储设备和在该存储设备中的块回收的方法
    存储设备和在该存储设备中的块回收的方法_三星电子株式会社_202510750165.9
    一种存储设备，包括：非易失性存储器设备，包括多个存储器块；以及存储器控制器，包括执行错误校验码(ECC)编码和ECC解码的ECC电路。存储器控制器从所述多个存储器块当中选择要作为块回收的目标的源块，基于根据所述源块的多个字线的物理位置的保持...
    2026-04-27
  • 一种超级电容器用负载MOFs的金属有机骨架电极材料及其制备方法
    一种超级电容器用负载MOFs的金属有机骨架电极材料及其制备方法_长春工业大学_202610016157.6
    本发明公开了一种超级电容器用负载MOFs的金属有机骨架电极材料及其制备方法，属于电化学储能技术领域。本发明解决了现有电极材料制备方法复杂，形貌难以调控，稳定性较差的问题。本发明首先对碳纤维基底改性，然后将其进行MXene掺杂，将掺杂MXen...
    2026-04-27
  • 一种锂离子超级电容器用Ni掺杂LiMn2O4的正极材料及其制备方法和应用
    一种锂离子超级电容器用Ni掺杂LiMn2O4的正极材料及其制备方法和应用_西安热工研究院有限公司_202610160755.0
    本发明公开了一种锂离子超级电容器用Ni掺杂LiMn2O4的正极材料及其制备方法和应用，属于超级电容器技术领域。通过超声分散与旋转蒸发结合、三段式煅烧(低温除杂‑中温成核‑高温晶化)，实现前驱体均匀性与晶型完整性协同保障，提升电化学性能。该方...
    2026-04-27
  • 非易失性存储装置及其编程操作方法、存储系统
    非易失性存储装置及其编程操作方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202111681442.3
    本申请提供了一种非易失性存储装置及其编程操作方法、存储系统。该非易失性存储装置的编程操作方法包括：对与第一字线连接的、且已执行第一编程操作的多个存储单元中的第一存储单元执行第二编程操作；对与第一字线间隔至少一条第三字线的第二字线连接的第二存...
    2026-04-27
  • 一种HBF芯片数据可靠性管理方法、装置、设备及存储介质
    一种HBF芯片数据可靠性管理方法、装置、设备及存储介质_联和存储科技(江苏)有限公司_202610006086.1
    本申请提供了一种HBF芯片数据可靠性管理方法、装置、设备及存储介质，该方法包括：将用户数据分割为若干基础数据单元并生成跨阵列标记，得到分段数据映射表；根据该映射表获取读写时序参数并识别时序偏离事件；将时序偏离事件中电压切换波形的过渡持续时长...
    2026-04-27
  • 一种曲面目标空间特征及加工误差的测量装置及方法
    一种曲面目标空间特征及加工误差的测量装置及方法_北京理工大学_202211321435.7
    一种曲面目标空间特征及加工误差的测量装置及方法，能够准确、迅速地测量曲面目标空间特征和尺寸误差。命令模块与数据模块相连，参数配置模块与数据模块相连，缓存模块分别与DCS缓存单元、图像增强单元、数据缓存单元连接，上位机分别与命令缓存单元和数据...
    2026-04-27
  • 一种票据分类拣选装置
    一种票据分类拣选装置_北京惠朗时代科技有限公司_202310016702.8
    本发明属于票据分拣技术领域，用于解决现有技术中，难以先完成票据之间的分离，再完成对票据的负压吸附转移的问题，具体是一种票据分类拣选装置，包括分类箱和扫描箱，且分类箱与扫描箱之间相互连接，扫描箱的顶部设置有扫描机构，扫描箱的内部设置有扫描台，...
    2026-04-27
  • 空调控制器外形检测工装
    空调控制器外形检测工装_常州宏昇电子科技有限公司_202521255081.X
    本实用新型公开了空调控制器外形检测工装，其技术方案要点是，属于空调控制器检测领域，包括加工台，所述加工台的上端安装有定位架，所述定位架的内端开设有呈对称分布的调节槽，所述调节槽的内端均固定连接有支杆，所述支杆的外端套设有复位圈；通过设置一对...
    2026-04-27
  • 一种点钞机
    一种点钞机_浙江然鹏电子有限公司_202610374163.9
    本发明公开了一种点钞机，其技术方案要点包括机体，以及设置在机体上的进钞机构、鉴别机构、分选机构、真钞出钞机构和假钞出钞机构，机体内具有对应各个机构并衔接的进钞通道、鉴别通道、分选通道、真钞出钞通道和假钞出钞通道，分选机构包括检测部件、压送轮...
    2026-04-27
  • 一种基于DRAM-RRAM融合算子的特征提取方法
    一种基于DRAM-RRAM融合算子的特征提取方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202512047291.0
    本发明提供了一种基于DRAM‑RRAM融合算子的特征提取方法，属于新型存内计算技术和三维点云识别领域。该方法利用RRAM阵列的高并行度优势，可以在一个计算周期内实现点云数据各位与权重各位的按位乘法，仅需一次额外的整体移位加法操作即可实现特征...
    2026-04-27
  • 一种OTA故障定位与恢复方法
    一种OTA故障定位与恢复方法_惠州华阳通用电子有限公司_202511969126.4
    本发明提供OTA故障定位与恢复方法，方法包括：步骤S1：发送OTA数据请求，并采集通信链路的多维度状态数据；步骤S2：基于所述状态数据及电子控制单元ECU的响应，对故障事件进行分类诊断，并输出标准化的故障分类标识符；步骤S3：根据所述故障分...
    2026-04-27
  • 一种提高空间辐照能力的非易失存储器系统
    一种提高空间辐照能力的非易失存储器系统_中国航天时代电子有限公司_202511754922.6
    一种提高空间辐照能力的非易失存储器系统，通过混合集成存储器设计，采用包括开关电路、逻辑控制电路、程序存储器、晶振及NAND存储器的存储架构，内部集成NAND存储器的坏块管理和磨损均衡算法，为用户的使用提供了便捷，满足了卫星电子系统中程序存储...
    2026-04-27
  • 数据存储设备及其接口电路
    数据存储设备及其接口电路_爱思开海力士有限公司_202111323388.5
    本申请涉及一种数据存储设备及其接口电路。该数据存储设备可以包括：存储器装置，包括用于存储数据的存储器单元；以及接口电路，联接在主机装置和存储器装置之间作为接口，并且被配置成向主机装置传送传输信号。接口电路包括被配置成生成延迟码的延迟电路，并...
    2026-04-27
  • 使用精细数据分级的QLC编程方法
    使用精细数据分级的QLC编程方法_西部数据技术公司_202080079815.7
    本公开总体涉及改进的模糊‑精细编程。可将数据写入到SLC存储器。然后，可对数据进行解码，然后将其模糊以及精细写入到MLC。在解码之后，在将数据写入到MLC之前可将其存储在位于前端的DRAM中或存储在位于闪存管理器中的SRAM中。在存储于DR...
    2026-04-27
  • 用于非易失性存储器的软位数据的有效感测
    用于非易失性存储器的软位数据的有效感测_桑迪士克科技有限责任公司_202210571487.3
    一种非易失性存储器通过使用每个状态电平两个感测来将硬位读取和软位读取组合成单个有效的软读取序列，从而提高读取时间效率。不是标准硬位读取，在标准硬位读取中执行两个软位读取，偏移高于和低于硬位读取值，硬位读取被移位使得其可靠地感测一个状态但较不...
    2026-04-27
  • 芯片及其控制方法、存储器、电子设备
    芯片及其控制方法、存储器、电子设备_华为技术有限公司_202411463623.2
    本申请提供一种芯片及其控制方法、存储器、电子设备，涉及存储技术领域，改善非存储单元存储的数据容易被干扰电压干扰得问题。该芯片包括板线、位线、阵列排布的多个存储单元、以及并联的第一二极管和第二二极管。存储单元包括晶体管和电容，晶体管包括第一极...
    2026-04-27
  • 一种g-C3N4基电极材料及超级电容器
    一种g-C3N4基电极材料及超级电容器_东佳电子(郴州)有限公司_202511973258.4
    本发明涉及电极材料领域，具体为一种g‑C3N4基电极材料及超级电容器，由g‑C3N4和金属氧化物组成；所述金属氧化物负载于所述g‑C3N4的层间及表面，且所述金属氧化物具有一维纳米结构，本发明还提供了一种g‑C3N4基电极材料的制备方法，可...
    2026-04-27
  • 非易失性存储器装置和非易失性存储器系统
    非易失性存储器装置和非易失性存储器系统_三星电子株式会社_201911075604.1
    提供了一种非易失性存储器装置和非易失性存储器系统。所述非易失性存储器装置包括：字线；位线；存储器单元阵列，其包括位于所述字线和所述位线之间的交叉区域处的第一存储器单元；字线电压产生电路，其被配置为产生编程电压，所述编程电压被提供给所述字线；...
    2026-04-27
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