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最新专利技术
  • 用于制备单晶氮化锰薄膜的方法
    用于制备单晶氮化锰薄膜的方法_中国科学院物理研究所_202411563992.9
    本发明提供一种用于制备单晶氮化锰薄膜的方法，其包括以下步骤：(1)对衬底进行预处理，以去除衬底表面所吸附的杂质；(2)将锰源作为蒸发源并且使用射频等离子体裂解源将氮气裂解为氮原子，采用分子束外延法制得单晶氮化锰薄膜；其中氮气分压为2×10‑...
    2026-05-11
  • 一种晶圆级(100)面立方碳化硅单晶的制备方法
    一种晶圆级(100)面立方碳化硅单晶的制备方法_中国科学院物理研究所_202610280131.2
    本发明提供了一种晶圆级(100)面立方碳化硅单晶的制备方法。该制备方法利用(100)面3C‑SiC籽晶，采用高温液相法(主要是TSSG法)，通过在指定温场下自扩径生长，获得晶圆级(100)面3C‑SiC单晶。特别地，通过按需求进行多次迭代扩...
    2026-05-11
  • 一种用于外延设备的供气系统及碳化硅外延设备
    一种用于外延设备的供气系统及碳化硅外延设备_芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司_202411561409.0
    本申请公开一种用于外延设备的供气系统及碳化硅外延设备。该第一气体管路、第二气体管路、第三气体管路、第四气体管路、第五气体管路、第六气体管路及第七气体管路，第一管路、第二管路及第三管路，所述第一管路的一端连接外延设备，另一端分别连接至第三气体...
    2026-05-11
  • 一种全无机无铅二维钙钛矿单晶及其制备方法与应用
    一种全无机无铅二维钙钛矿单晶及其制备方法与应用_长沙半导体技术与应用创新研究院_202610203814.8
    本发明涉及光电探测器与半导体材料技术领域，具体提供了一种全无机无铅二维钙钛矿单晶及其制备方法与应用。本发明通过引入N‑乙基‑N‑甲基哌啶碘盐，再结合先快后慢、引入晶种的改进冷却结晶手段，从根本上改变了无铅二维钙钛矿的结晶动力学与表面态，解决...
    2026-05-11
  • 单晶提拉装置
    单晶提拉装置_胜高股份有限公司_202511600293.1
    提供单晶的冷却性能优异、能够观察液面的单晶提拉装置。为基于切克劳斯基法的单晶提拉装置，具有：筒状的第一冷却体，围绕从坩埚内的熔液提拉的培育中的单晶的外周面而冷却所述单晶；倒圆锥筒状的第二冷却体，配置于所述第一冷却体的下方，围绕所述培育中的单...
    2026-05-11
  • 一种单晶硅棒及其制备方法、硅片、太阳能电池
    一种单晶硅棒及其制备方法、硅片、太阳能电池_内蒙古中环晶体材料有限公司_202510561421.X
    本申请公开了一种单晶硅棒及其制备方法、硅片和太阳能电池，属于光伏组件制备技术领域。单晶硅棒中含有锑元素和氢元素，锑元素在单晶硅棒中的掺杂浓度为Ca，氢元素在单晶硅棒中的掺杂浓度为Cb，满足：1E‑3≤Ca/Cb≤4E+2。本申请提供的单晶硅...
    2026-05-11
  • 一种金刚石晶体及其生长沉积装置与生长方法
    一种金刚石晶体及其生长沉积装置与生长方法_上海天岳半导体材料有限公司_202610467675.X
    本申请公开了一种金刚石晶体及其生长沉积装置与生长方法，属于气相沉积技术领域。金刚石晶体，满足以下条件：a.所述晶体的边缘区域与中心区域的厚度差≤10μm；b.总位错缺陷密度<105/cm2；c.所述晶体的厚度为0.3‑10mm；d.应力绝对...
    2026-05-11
  • 一种低应力生长剥离多晶金刚石的方法
    一种低应力生长剥离多晶金刚石的方法_湖北瑞华科技有限公司_202610027025.3
    本发明提供了一种低应力生长剥离多晶金刚石的方法，该方法原理是利用衬底和过渡层与多晶金刚石低失配的特性，同时利用氢气强刻蚀能力使多晶金刚石在生长后利用氢气刻蚀衬底，来避免额外应力介入，从而降低多晶破裂。该方案与现有技术相比能够有效减少多晶金刚...
    2026-05-11
  • 一种异质外延法制备单晶金刚石的方法
    一种异质外延法制备单晶金刚石的方法_北方工业大学_202511968489.6
    本发明提供一种异质外延法制备单晶金刚石的方法，属于微波等离子体化学气相沉积技术领域，包括以下步骤：选择异质衬底并进行表面预处理；在经过预处理的所述异质衬底表面初次沉积由胞状金刚石组成的过渡层；在得到的过渡层表面二次沉积顶部为单晶区域的金刚石...
    2026-05-11
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_浜松光子学株式会社_202511616257.4
    本发明的技术问题在于，提供一种能够在由InP或InGaAsP构成的基板或半导体层和在其上生长的另外的半导体层的界面降低或去除Si原子的半导体器件的制造方法。本发明的制造方法是制造具备由InP或InGaAsP构成的第一半导体(2)、和设置于第...
    2026-05-11
  • 一种大尺寸单晶金刚石制备方法及其生长基台
    一种大尺寸单晶金刚石制备方法及其生长基台_浙江先导微电子科技有限公司_202512043289.6
    本发明公开了一种用于大尺寸单晶金刚石制备的生长基台及其制备方法。所述生长基台包括基座、主凹槽及位于主凹槽底部的副凹槽，其深度关系满足：副凹槽深度<籽晶厚度≤副凹槽深度+主凹槽深度。制备方法包括：S1.筛选籽晶；S2.进行籽晶克隆、分离与加工...
    2026-05-11
  • 晶圆薄膜沉积机台及晶圆薄膜沉积系统
    晶圆薄膜沉积机台及晶圆薄膜沉积系统_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202411578491.8
    本发明提供了一种晶圆薄膜沉积机台及晶圆薄膜沉积系统，其中，所述晶圆薄膜沉积机台包括：反应腔，侧壁开设有第一传送口，第一传送口将反应腔的内部与外部导通；所述晶圆通过第一传送口进出所述反应腔；基座，设于所述反应腔内，用于承载晶圆；可移动的遮挡件...
    2026-05-11
  • 一种通过调控温度梯度生长氮化物晶体的装置及方法
    一种通过调控温度梯度生长氮化物晶体的装置及方法_济南大学_202512050416.5
    本发明提供一种通过调控温度梯度生长氮化物晶体的装置及方法，属于半导体合成技术领域，包括低温反应区和高温结晶区，所述低温反应区和高温结晶区的外侧设有加热器，所述高温结晶区中构建有温度场，所述低温反应区设有第一进气管、第二进气管和反应舟，所述第...
    2026-05-11
  • 一种常压生长的MOCVD反应器及薄膜生长方法
    一种常压生长的MOCVD反应器及薄膜生长方法_苏州中科重仪半导体材料有限公司_202610052466.9
    本发明涉及一种常压生长的MOCVD反应器及薄膜生长方法，属于半导体材料制备技术领域，解决了现有技术中水平进气的MOCVD反应器成型的薄膜前厚后薄、均匀性差、局部累积的问题。本发明包括反应室、进气组件和反应组件；反应组件设置于反应室的中心，进...
    2026-05-11
  • 一种氧化镓外延的石英装置及其外延设备
    一种氧化镓外延的石英装置及其外延设备_中国电子科技集团公司第四十六研究所_202512049101.9
    本发明提供一种氧化镓外延的石英装置及其外延设备，涉及氧化镓外延技术领域。本发明能够通过将第一石英腔、第二石英腔及混气管道集成并设置于外延腔内部，利用通入的气态氯气与第一石英腔内碳族单质在腔体内直接反应生成碳族氯化物。外延腔内为高温环境，外延...
    2026-05-11
  • 一种用于氢气检测的铝酸镧/钛酸锶纳米结构的制备方法
    一种用于氢气检测的铝酸镧/钛酸锶纳米结构的制备方法_德清县浙工大莫干山研究院_202610459484.9
    本发明属于薄膜传感器领域，公开了一种用于氢气检测的铝酸镧/钛酸锶纳米结构的制备方法，包括：先准备钛酸锶单晶衬底，在钛酸锶单晶衬底上脉冲激光沉积单晶外延铝酸镧薄膜，得到单晶外延铝酸镧/钛酸锶材料，再利用飞秒激光诱导单晶外延铝酸镧薄膜的表面形成...
    2026-05-11
  • 一种基于脉冲电压放电制备Ag单原子修饰的In2O3单晶薄膜及其方法、气敏传感器
    一种基于脉冲电压放电制备Ag单原子修饰的In2O3单晶薄膜及其方法、气敏传感器_浙江大学温州研究院_202610197912.5
    本发明公开了一种基于脉冲电压放电制备Ag单原子修饰的In2O3单晶薄膜及其方法、气敏传感器，包括以下步骤：1)将衬底置于磁控溅射设备的真空腔体中，氧化铟靶材作为In源，通过磁控溅射工艺在衬底上生长得到氧化铟单晶薄膜；所述的衬底为氧化钇稳定氧...
    2026-05-11
  • 一种制备8英寸低缺陷碳化硅单晶的PVT生长系统及工艺
    一种制备8英寸低缺陷碳化硅单晶的PVT生长系统及工艺_嘉兴南湖学院_202610237613.X
    本发明公开了一种制备8英寸低缺陷碳化硅单晶的PVT生长系统及工艺，涉及碳化硅单晶材料的制备与生长工艺技术领域，包括以下步骤：构建生长装置的三维模型，对加热单元、隔热组件和气流导向装置进行空间结构设计与参数设定，使热场结构在径向方向上呈环向对...
    2026-05-11
  • 晶体生长装置及方法
    晶体生长装置及方法_江苏集芯先进材料有限公司_202610102424.1
    一种晶体生长装置及方法，装置：碳化硅热场体系设置在保温室中；支撑套筒下开口端搭接在坩埚体上开口端，且连接处的气体泄漏率位于设定泄漏范围一内；籽晶盖盖设在支撑套筒的上开口端，其上开设有过气孔；石墨帽和保温套上下分布；石墨帽罩设于支撑套筒的外部...
    2026-05-11
  • 一种用于液相外延水平式碳化硅外延炉的基座传动装置
    一种用于液相外延水平式碳化硅外延炉的基座传动装置_诸暨晶氢新材料科技有限公司_202512023135.0
    本发明涉及一种用于液相外延水平式碳化硅外延炉的基座传动装置，包括传动组件，包括第一连杆、第二连杆和连接件，第二连杆的一端和第一连杆的一端均通过连接件可拆卸连接，连接件可带动第一连杆、第二连杆实现多角度偏转；旋转组件，包括第一轴、第一轴套、第...
    2026-05-11
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