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  • 本发明提供了一种选择开关、有载调压分解开关及其配电变压器,涉及配电变压器的有载调压技术领域,包括:第一碳化硅N型绝缘栅双极晶体管,第一RC电路,第二RC电路和第二碳化硅N型绝缘栅双极晶体管,第一碳化硅N型绝缘栅双极晶体管的集电极、第一RC电...
  • 本发明涉及电力电子控制技术领域,公开了一种碳化硅功率器件的过流保护方法及装置、存储介质,在碳化硅功率器件受到驱动导通的情况下,获取碳化硅功率器件的实时电流并判断该实时电流的过流性质,并且考虑碳化硅功率器件的热应力风险不同而相应设置了第一预设...
  • 一种积分形式的IGBT驱动保护电路,其包括驱动IC,积分保护单元,以及功率模块单元。所述功率模块单元包括IGBT和FRD,所述积分保护单元包括使能器,积分器,过零比较器,以及微分器。所述使能器接收所述驱动IC输出的信号并控制信号传输将栅极电...
  • 本发明公开一种PWM驱动电路过流保护方法,涉及电路过流保护领域,方法包括:双通道比较器分别比较处理后的采样信号与预设的第一、第二过电流保护值的大小,若处理后的采样信号大于预设的第一过电流保护值,第一通道输出信号A;若大于预设的第二过电流保护...
  • 本发明公开了一种用于模数转换器的低功耗高速两级动态比较器,涉及集成电路技术领域,旨在解决传统动态比较器功耗高、速度受限、偏移电压与性能权衡不可控的问题。所述比较器包括前置放大级和锁存级两级动态结构:前置放大级以PMOS晶体管作为输入管,搭配...
  • 本公开的实施例提供一种基于时间融合的参考信号切换后秒脉冲平滑输出的方法。在一具体实施方式中,该方法包括:解码多路授时信号得到标准信号,并产生本地秒脉冲。以第n路为参考驯服本地时钟,输出第一驯服信号;同时计算其他各路与第一驯服信号的相位差,取...
  • 本发明公开了具有磁耦合注能机制的电感储能型脉冲电源及工作方法,涉及脉冲功率技术领域,引入多原边单副边的互感耦合注能机制,使并联放电阶段各级电感电流变化在负载侧公共副边线圈上产生同向叠加的感应电压和电流;感应能量通过磁耦合注能电路注入负载侧,...
  • 本说明书提供一种电路架构、振荡器、芯片以及电子设备。所述电路架构包括:振荡电路,具有至少一个振荡环路,所述振荡环路包括至少一个调频节点;至少一个调频单元,包括控制子单元和储能子单元;所述控制子单元具有第一端、第二端和控制端;所述第一端与所述...
  • 本发明涉及一种基于迭代重加权最小二乘的鲁棒噪声协方差估计方法,包括:步骤1.构建线性时不变系统的状态空间模型,采集系统运行过程中的测量数据计算新息序列,估计其自协方差构成的观测向量;步骤2.基于观测向量,利用系统状态空间模型和稳态卡尔曼增益...
  • 本发明涉及电子技术领域,尤其涉及一种基于四阶带通滤波器的信号处理电路,包括依次连接的信号预处理与差分转单端放大模块、调理滤波模块和程控增益放大模块;所述信号预处理与差分转单端放大模块用于接收差分输入信号并将其转换为单端信号并进行初步放大;所...
  • 本发明涉及基于雷达通信一体化波形的局部失配滤波器设计,包括:获取一个相干处理间隔内计划发射的M个离散发射波形向量;基于M个发射波形向量,构建一个加权求和的优化问题模型;采用交替方向乘子法对优化问题模型进行迭代求解,输出M个局部失配滤波器系数...
  • 本公开提供了一种定时估计方法、装置、电子设备、存储介质和产品,本公开通过获取升余弦滤波峰值、峰值左侧相关值和峰值右侧相关值;基于所述峰值、所述峰值左侧相关值和所述峰值右侧相关值,确定目标损失函数及其对应的梯度值;基于预设的调整步长,迭代下降...
  • 一种具有改进的电性质和/或声性质的改进的电声SAW或BAW滤波器(EAF)被提供。该滤波器具有在第一层堆叠(LS1)中的第一谐振器(R1)和在第二层堆叠(LS2)中的第二谐振器(R2)。第二层堆叠与第一层堆叠不同在于,从层的数目、层的厚度和...
  • 本发明实施例公开一种用于单粒子试验的晶振、装置及方法。在一具体实施方式中,晶振包括:待辐射芯片、差分芯片、石英振子、第一基座、第二基座;所述待辐射芯片通过导电胶粘接在所述第一基座的腔体内部,所述第一基座暴露所述待辐射芯片;所述差分芯片通过金...
  • 本发明提供了一种多模态耦合声波谐振器、滤波器、射频设备,涉及声波谐振器技术领域。多模态耦合声波谐振器通过选取压电层的材料,并设置面内欧拉角的取值范围,使压电层的压电系数包括压电系数矩阵中的e11分量、e13分量和e34分量;通过设计压电层的...
  • 本发明提供一种超小机电耦合系数谐振器、实现方法和超窄带滤波器,方法包括:对压电层包括铁电层的体声波谐振器的电极施加预设的脉冲电压,以实现对所述体声波谐振器的铁电层预设区域的局部极化方向的翻转,从而得到整体机电耦合系数超小的体声波谐振器。本发...
  • 本申请提供一种基于温度分布的温补晶振晶片尺寸配置方法及系统,基于温度分布的温补晶振晶片尺寸配置方法,包括:获取基座与晶片的热传递关联因素;基于所述热传递关联因素优化基座与晶片的接触面积;根据优化后的接触面积结合温补晶振的频率要求,配置晶片的...
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种弹性波器件及电子产品,该弹性波器件包括压电基板、多个墙体结构、IDT电极、盖层和再配线层。多个墙体结构设置在压电基板上并形成有空腔;IDT电极设置在压电基板上且位于空腔内;盖层设置在墙体结构上,盖层...
  • 本公开涉及通讯技术领域,尤其是涉及一种功率合成电路及其设计方法、装置、设备、介质和产品,所述功率合成电路包括变压器、第一电阻、第二电阻和第三电阻;变压器的初级侧包括第一端子和第二端子,第一端子连接功分器的第一支路端口,第二端子接地;变压器的...
  • 本发明公开了一种用于自动匹配器设备的匹配方法,涉及射频阻抗匹配技术领域,应用于射频阻抗匹配设备,射频阻抗匹配设备用于连接射频输出装置与等离子体负载,控制射频输出装置输出功率向等离子体负载进行有效传输。本发明所述的一种用于自动匹配器设备的匹配...
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