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最新专利技术
  • 一种简易漂浮式湿法面刻蚀方法及装置
    一种简易漂浮式湿法面刻蚀方法及装置_西安电子科技大学芜湖研究院_202511878531.5
    本申请提供了一种简易漂浮式湿法面刻蚀方法及装置，该装置包括卡塞容器主体，在卡塞容器主体沿内壁一圈自上而下设置有多个槽位，每个槽位距离卡塞容器主体底面的高度不同，槽位上用于放置晶圆，卡塞容器主体内配备有湿法药液，使得晶圆的刻蚀面接触所述湿法药...
    2026-04-25
  • 一种极低功率干法刻蚀氮化硅的方法
    一种极低功率干法刻蚀氮化硅的方法_合肥芯谷微电子股份有限公司_202610314107.6
    本发明涉及氮化硅刻蚀技术领域，具体为一种极低功率干法刻蚀氮化硅的方法，包括以下步骤：S1.将待刻蚀工件固定于等离子体刻蚀机的卡盘上，关闭腔室后抽真空至腔室本底压力≤2mTorr；S2.向腔室通入复合刻蚀气体；S3.启动脉冲射频电源激励复合气...
    2026-04-25
  • 蚀刻方法
    蚀刻方法_株式会社爱发科_202511400190.0
    本申请提供一种蚀刻方法，将形成于氮化硅膜的表面的自然氧化膜除去。包括：在向蚀刻对象供给氟化氢气体后供给自由基，由此蚀刻氮化硅膜的表面氧化物层(步骤S 13、步骤S 14)；和，多次重复向表面氧化物层已被蚀刻的蚀刻对象供给氟化氢气体后供给自由...
    2026-04-25
  • 一种显示驱动半导体芯片的刻蚀装置
    一种显示驱动半导体芯片的刻蚀装置_深圳市科立迅电子有限公司_202610049818.5
    本发明涉及一种显示驱动半导体芯片的刻蚀装置，属于半导体制造技术领域。包括本体，所述本体前端设有吸附组件，所述吸附组件底部设有移动组件，所述吸附组件包括顶盖，所述顶盖顶部转动连接有转动盘，所述转动盘顶部中心位置固定安装有伺服电机一。本发明通过...
    2026-04-25
  • 激光退火的均匀化控制方法、系统、设备及存储介质
    激光退火的均匀化控制方法、系统、设备及存储介质_重庆芯联微电子有限公司_202511795362.9
    本申请提供一种激光退火的均匀化控制方法、系统、设备及存储介质，该方法包括：基于晶圆尺寸和激光参数，通过扫描路径算法动态计算生成非连续相邻扫描路径序列，并按照所述非相邻扫描路径序列进行跳跃式扫描；实时监控所述跳跃式扫描的扫描进度并重复执行所述...
    2026-04-25
  • 一种图案轮廓通过低温离子注入工艺的优化方法
    一种图案轮廓通过低温离子注入工艺的优化方法_腾云创芯半导体材料(上海)有限公司_202512007714.6
    本发明公开一种图案轮廓通过低温离子注入工艺的优化方法，其属于集成电路制造技术领域，其包括：获得待优化的材料；对待优化的材料进行低温离子注入，以在薄膜层非镂空部分的竖向侧壁上生成非晶层；通过湿法刻蚀将非晶层以及掩膜层清洗去除，获得薄膜层上优化...
    2026-04-25
  • 一种通过低温离子注入工艺选择性调控图案尺寸的方法
    一种通过低温离子注入工艺选择性调控图案尺寸的方法_腾云创芯半导体材料(上海)有限公司_202512007510.2
    本发明公开一种通过低温离子注入工艺选择性调控图案尺寸的方法，属于集成电路制造技术领域，包括：获得中间体材料；对中间体材料进行低温离子注入，以在中间膜层非镂空部分的竖向侧壁上生成改性层；通过原子层沉积进行选择性成长，形成覆盖中间体材料表面的沉...
    2026-04-25
  • 一种改善介质层湿法刻蚀角度的方法、介质层及半导体器件
    一种改善介质层湿法刻蚀角度的方法、介质层及半导体器件_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202610038105.9
    本发明公开了一种改善介质层湿法刻蚀角度的方法、介质层及半导体器件，包括：在衬底的表面形成介质层；对所述介质层远离所述衬底一侧的表面进行等离子处理，以调控所述表面的致密性，获得改性表面；在所述改性表面上形成掩膜层，所述掩膜层设置有开口，并暴露...
    2026-04-25
  • 半导体结构的制备方法及沉积设备
    半导体结构的制备方法及沉积设备_江苏首芯半导体科技有限公司_202512000489.3
    本公开涉及半导体制造领域，提供一种半导体结构的制备方法及沉积设备，至少可以改善膜层的良率以及节省工作时间。制备方法包括：对基底进行第一沉积步骤，第一沉积步骤包括通入第一气体以及第二气体，并检测等离子体负载阻抗虚部的第一变化量；若第一变化量到...
    2026-04-25
  • 一种晶圆级芯片P面电极前处理方法
    一种晶圆级芯片P面电极前处理方法_山东华光光电子股份有限公司_202511891023.0
    本发明涉及一种晶圆级芯片P面电极前处理方法，属于半导体器件的技术领域。所述方法包括如下步骤：(1)采用PECVD工艺，在晶圆级芯片P面制备Si3N4薄膜层；(2)在Si3N4薄膜上，磁控溅射Ti黏附层，然后高温热处理促进Ti黏附层与Si3N...
    2026-04-25
  • 一种低温多晶硅薄膜制备方法及低温多晶硅薄膜
    一种低温多晶硅薄膜制备方法及低温多晶硅薄膜_中国移动通信集团设计院有限公司_202511780263.3
    本申请公开了一种低温多晶硅薄膜制备方法，用以解决采用现有的低温多晶硅薄膜制备方法制备得到的低温多晶硅薄膜钝化效果不稳定且易形成氢致缺陷的问题。方法包括：在衬底基板上形成缓冲层；在所述缓冲层远离所述衬底基板的表面形成非晶硅层，对所述非晶硅层进...
    2026-04-25
  • 碳化硅半导体结构的制备方法和碳化硅半导体结构
    碳化硅半导体结构的制备方法和碳化硅半导体结构_株洲中车时代半导体股份有限公司_202510692702.9
    本发明公开一种碳化硅半导体结构的制备方法和碳化硅半导体结构。碳化硅半导体结构的制备方法包括：在碳化硅层表面形成的第一欧姆接触层和第二欧姆接触层；第一欧姆接触层和第二欧姆接触层的厚度均为纳米级，第二欧姆接触层的熔点小于第一欧姆接触层的熔点；对...
    2026-04-25
  • 一种硅衬底表面的铝局部掺杂方法、掺杂铝的硅衬底及PN结
    一种硅衬底表面的铝局部掺杂方法、掺杂铝的硅衬底及PN结_株洲中车时代半导体股份有限公司_202411839211.4
    本发明涉及硅衬底表面的铝局部掺杂方法、掺杂铝的硅衬底及PN结。硅衬底表面的铝局部掺杂方法包括：(1)在硅衬底表面沉积氮化硅掩蔽膜；(2)刻蚀氮化硅掩蔽膜层，得到具有掺杂窗口的硅衬底；(3)将金属铝放置于反应管中，反应管升温至第一温度，金属铝...
    2026-04-25
  • 一种复合衬底、半导体晶圆及制备方法、半导体器件
    一种复合衬底、半导体晶圆及制备方法、半导体器件_福建晶安光电有限公司_202511762552.0
    本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种复合衬底、半导体晶圆及制备方法、半导体器件。该复合衬底包括第一衬底，所述第一衬底包括氮化铝层；第二衬底，所述第二衬底为蓝宝石衬底；键合层，位于所述第一衬底和所述第二衬底之间；所述第一衬底的厚度h1大...
    2026-04-25
  • 一种基于元素梯度设计的分层结构自选通存储器件
    一种基于元素梯度设计的分层结构自选通存储器件_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202511920482.7
    本发明涉及一种基于元素梯度设计的分层结构自选通存储器件，所述自选通存储器件包括下电极、功能层和上电极，功能层包括A元素富集层、B元素富集层以及设于A元素富集层和B元素富集层之间的A元素和B元素构成的中间层；该元素梯度设计能使器件同时获得显著...
    2026-04-25
  • 一种微加热器包裹相变材料的相变开关及其加工工艺
    一种微加热器包裹相变材料的相变开关及其加工工艺_成都斯微奇微电子有限公司_202610065840.9
    本发明涉及相变开关领域，为解决现有相变电阻值波动大、开关比降低、高能耗、响应迟缓以及寿命缩短的问题，提供了一种微加热器包裹相变材料的相变开关，包括：微加热器和功能层，所述微加热包括：下底部、侧部以及上底部；所述下底部通过所述侧部连接所述上底...
    2026-04-25
  • 一种用于低温溶液加工柔性电解质栅晶体管的双层聚合物/金属氧化物杂化沟道制备方法
    一种用于低温溶液加工柔性电解质栅晶体管的双层聚合物/金属氧化物杂化沟道制备方法_南京邮电大学_202511990910.3
    本发明公开了一种用于低温溶液加工柔性电解质栅晶体管的双层聚合物/金属氧化物杂化沟道制备方法，包括制备柔性、低温工艺的单沟道聚合物EGT作为短时记忆参照，以及混合聚合物/In2O3 EGT作为长时记忆候选器件，包括固态电解质集成与电极沉积；测...
    2026-04-25
  • 兼容CMOS后端工艺的忆阻器及其制备方法
    兼容CMOS后端工艺的忆阻器及其制备方法_中国科学院深圳先进技术研究院_202511966991.3
    本申请提供了一种兼容CMOS后端工艺的忆阻器及其制备方法。所述制备方法包括：在衬底上制备形成底电极；在所述底电极上制备形成HfO2层；在所述HfO2层制备形成铝层，所述铝层在空气中进行自氧化生成Al2O3层；在所述Al2O3层上制备形成顶电...
    2026-04-25
  • 忆阻器及其制备方法
    忆阻器及其制备方法_中国科学院深圳先进技术研究院_202511963306.1
    本申请提供了一种忆阻器及其制备方法。制备方法包括：在衬底上制备形成底电极；在底电极上制备形成HfO2层，HfO2层的厚度为4nm至6nm；在HfO2层制备形成TaOx层，TaOx层的厚度为50nm；在TaOx层上制备形成顶电极，得到忆阻器半...
    2026-04-25
  • 一种量子芯片封装装置
    一种量子芯片封装装置_量子科技长三角产业创新中心_202411398231.2
    本公开提供了一种量子芯片封装装置，包括顶部密封件和下密封件；顶部密封件靠近下密封件的端面具有上空腔；下密封件靠近顶部密封件的端面具有下空腔，上空腔与下空腔相互连通，用于封装量子芯片；下空腔内设置有下隔离件，下隔离件将下空腔分隔成多个空腔，本...
    2026-04-25
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