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最新专利技术
  • 氮化物系化合物半导体装置
    氮化物系化合物半导体装置_三垦电气株式会社_202511385631.4
    本发明提供氮化物系化合物半导体装置，其充分降低了控制电极与高电位侧的第一主电极之间的电场峰值。具有：在上部具有二维电子气层的第一氮化物系化合物半导体层；在其上具有比该层大的带隙的第二氮化物系化合物半导体层；与二维电子气层电连接的高电位侧的第...
    2026-04-27
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610276804.7
    本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：提供表面形成有栅极结构的衬底，栅极结构包括伪栅及沿远离伪栅的方向依次形成的第一牺牲层、第一侧墙、第二牺牲层和第二侧墙；于栅极结构和衬底上形成覆盖栅极结构侧壁的刻蚀停止层；于刻蚀停止层上形成中间层，...
    2026-04-27
  • 一种半导体结构的制备方法和半导体结构
    一种半导体结构的制备方法和半导体结构_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610260995.8
    本发明提供一种半导体结构的制备方法和半导体结构，涉及半导体技术领域。制备方法包括如下步骤：提供基底，基底包括衬底、氮化层和第一沟槽，氮化层形成于衬底的表面，第一沟槽设置于衬底内，第一沟槽的上部贯穿氮化层形成开口；于第一沟槽内填充隔离氧化层；...
    2026-04-27
  • 晶体管的制备方法、SRAM单元
    晶体管的制备方法、SRAM单元_上海积塔半导体有限公司_202610042723.0
    本申请涉及一种晶体管的制备方法、SRAM单元，其中，晶体管的制备方法，包括：提供衬底，衬底中包括有源区，部分有源区上形成有栅极结构，栅极结构的侧壁表面形成有偏移侧墙，栅极结构和偏移侧墙两侧的有源区内形成有浅掺杂区；在偏移侧墙的表面形成主侧墙...
    2026-04-27
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_上海积塔半导体有限公司_202610037652.5
    本申请涉及一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构的制造方法包括：于衬底内形成沿平行衬底方向间隔分布的多个沟槽；多个所述沟槽包括第一沟槽和第二沟槽；所述第一沟槽的槽宽小于所述第二沟槽的槽宽。于所述第一沟槽和所述第二沟槽内形成第一外延层；所述...
    2026-04-27
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202610034969.3
    本申请实施例公开半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。包括提供半导体本体；在第一表面形成包括第一缓冲层、第一保护层和第一掩膜层的第一隔离层；形成沟槽；去除第一掩膜层；在沟槽的底面和侧壁形成包括第二缓冲层和第二保护层的第二隔离层...
    2026-04-27
  • 沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法
    沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法_上海积塔半导体有限公司_202610031229.4
    本发明提供一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：提供碳化硅衬底，在其上形成碳化硅外延层；在碳化硅外延层的顶部分别形成体区和源区；形成沟槽保护区，在碳化硅外延层上形成ONO硬掩膜层；图案化ONO硬掩膜层刻蚀碳化...
    2026-04-27
  • 一种化合物半导体器件及其制备方法
    一种化合物半导体器件及其制备方法_苏州纳维科技有限公司_202512021533.9
    本发明提供了一种化合物半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：提供多层对接结构；其中，多层对接结构包括沿第一方向外延生长的临时衬底和多孔氮化镓层，第一方向为氮极性面指向镓极性面的方向；在多孔氮化镓层表面沿第一方向依次外延生长势垒结构、沟道层...
    2026-04-27
  • 堆叠晶体管及其制备方法、器件和电子设备
    堆叠晶体管及其制备方法、器件和电子设备_北京大学_202511993769.2
    本申请提供一种堆叠晶体管及其制备方法、器件和电子设备；该方法包括：在衬底上形成堆叠的第一有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构形成第一晶体管的第一源漏外延；倒片并减薄衬底；基于第二有源结构，形成第二晶体管的第二源漏外延；基于第二有源结构，...
    2026-04-27
  • 晶体管制备方法、装置、晶体管及计算机可读存储介质
    晶体管制备方法、装置、晶体管及计算机可读存储介质_珠海格力电子元器件有限公司_202511918870.1
    本发明提出的一种晶体管制备方法、装置、晶体管及计算机可读存储介质，方法包括步骤：获取目标源区金属接触孔顶部开口大小，并匹配与目标源区金属接触孔对应的目标硼含量；在栅极层上制备介质层，其中，介质层由二氧化硅与硼磷硅玻璃进行制备，硼磷硅玻璃的硼...
    2026-04-27
  • 一种常关型氢终端金刚石场效应晶体管的制备方法
    一种常关型氢终端金刚石场效应晶体管的制备方法_复旦大学_202511713496.1
    本发明公开了一种常关型氢终端金刚石场效应晶体管的制备方法；该制备方法如下：首先，在洁净的金刚石衬底上进行氢终端处理，形成P型的氢终端导电层，然后，在氢终端金刚石表面形成源漏电极，并在氢终端金刚石表面的非沟道区进行绝缘隔离处理，最后，室温下采...
    2026-04-27
  • 一种门极负触发单向晶闸管
    一种门极负触发单向晶闸管_吉林华微电子股份有限公司_202610015024.7
    本发明属于但不限于单向晶闸管技术领域，公开了一种门极负触发单向晶闸管，包括：门极区，所述门极区为N+型半导体区域；阴极区，所述阴极区为N+型半导体区域，且设有阴极短路点；隔离区，所述隔离区为P型半导体区域，环绕所述门极区和阴极区；槽区或终端...
    2026-04-27
  • 一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法
    一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法_上海维安半导体有限公司_202610312984.X
    本发明提供一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，属于功率半导体器件技术领域，包括：第一沟槽为栅极沟槽，第二沟槽为发射极沟槽，第三沟槽为无效栅沟槽；在平行于元胞表面的横向上，第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽依次间隔设置，且第一沟槽和第二沟槽之...
    2026-04-27
  • 一种硅NPN型平面高频大功率晶体管及其制作方法
    一种硅NPN型平面高频大功率晶体管及其制作方法_成都燎原星光电子有限责任公司_202511877872.0
    本发明公开了一种硅NPN型平面高频大功率晶体管及其制作方法，属于半导体技术领域，晶体管包括硅衬底、形成于所述硅衬底上的硅外延层、形成于所述硅外延层内的基区、形成于所述基区内的发射区、覆盖于器件表面的氧化层以及形成于所述氧化层上的基极和发射极...
    2026-04-27
  • 一种对称的异质结双极型晶体管及其制作方法
    一种对称的异质结双极型晶体管及其制作方法_福建省福联集成电路有限公司_202512011125.5
    本发明涉及一种对称的异质结双极型晶体管及其制作方法，包括在GaAs外延片表面涂布第一光阻层利用光罩显影，沉积EC金属，涂布第二光阻层利用光罩显影，并往下蚀刻相应深度的GaAs外延形成第一台阶；整面沉积第一氮化物层做钝化，再整面沉积Oxide...
    2026-04-27
  • 一种基于深沟槽隔离的单芯片双向低电容TVS器件及其制造方法
    一种基于深沟槽隔离的单芯片双向低电容TVS器件及其制造方法_江苏应能微电子股份有限公司_202610296786.9
    本发明提供一种基于深沟槽隔离的单芯片双向低电容TVS器件及其制造方法；所述单芯片双向低电容TVS器件包括：第一导电类型重掺杂硅衬底；形成于第一导电类型重掺杂硅衬底上的第一外延层；形成于第一外延层上的第二外延层，所述第二外延层包括位于靠近第一...
    2026-04-27
  • 一种恒流二极管芯片终端结构、芯片及其制作方法
    一种恒流二极管芯片终端结构、芯片及其制作方法_黄山芯微电子股份有限公司_202512048050.8
    本发明公开了一种恒流二极管芯片终端结构、芯片及其制作方法，属于半导体功率器件技术领域。该终端结构位于N‑硅外延层边缘，包括元胞‑终端过渡区和终端区。过渡区设有P区及其内的P+区、N+区，以及位于表面钝化氧化层上的第一多晶硅层，并通过正面金属...
    2026-04-27
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202610150069.5
    本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件包括：半导体本体，所述半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面；所述第一表面设置有多个沿第一方向间隔排列的沟槽；在垂直于所述第一表面的第二方向上，所述沟槽包括n级沿所述第二方向依次连...
    2026-04-27
  • 氧化镓肖特基二极管及其制备方法
    氧化镓肖特基二极管及其制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511908788.0
    本发明提供了一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法，包括衬底、阳极以及两个第一终端结构，衬底上方设有外延层；阳极设于外延层的上方；第一终端结构分别与外延层的上表面以及阳极的侧面连接；每个第一终端结构均包括第一介质层和第二介质层，第一介质层嵌设于...
    2026-04-27
  • GaN横向JBS二极管及其制备方法和应用
    GaN横向JBS二极管及其制备方法和应用_湖北九峰山实验室_202511866379.9
    本发明提供了一种GaN横向JBS二极管及其制备方法和应用，其中，GaN横向JBS二极管，包括外延片，外延片上设有阴极和阳极，阳极包括多个P‑GaN岛结构，每个P‑GaN岛结构上设有薄层P‑GaN延伸结构，薄层P‑GaN延伸结构位于P‑GaN...
    2026-04-27
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