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最新专利技术
  • 印刷装置及印刷系统
    印刷装置及印刷系统_株式会社富士_202380102185.4
    本公开的印刷装置是对具有配线的造型物进行造型的印刷装置，印刷装置具备壳体，壳体收容多个单元，在壳体的一侧面相邻地配置有对造型物安装元件的安装装置，在壳体的一侧面形成有供载置有造型物的对象物在壳体与安装装置之间移动的移动用开口部，在壳体的至少...
    2026-04-18
  • 助焊剂涂布状态检查装置以及助焊剂涂布状态检查方法
    助焊剂涂布状态检查装置以及助焊剂涂布状态检查方法_CKD株式会社_202480056722.0
    本发明提供助焊剂涂布状态检查装置等，能够通过比较简单的处理设定检查区域，并且能够得到良好的检查精度。助焊剂涂布状态检查装置(12)包括：第一确定部(335)，基于在从第一照明装置(321a)向基板照射光的状态下通过相机(322)的拍摄而得到...
    2026-04-18
  • 通气构造
    通气构造_日东电工株式会社_202480057923.2
    在所提供的通气构造中，通气部件具备：内部构件，包含弹性材料且具有开管构造；及外部构件，具有闭管构造。内部构件以在外部构件的内部插入内部构件且在内部构件与外部构件之间确保有通气路的状态固定于外部构件。通气部件以壳体的突起从内部构件的一侧的开口...
    2026-04-18
  • 成型体
    成型体_株式会社大赛璐_202480058776.0
    本发明提供一种成型体，其包含粘合剂及导电性线圈，包围上述导电性线圈的最小的长方体中的最长的边相对于最短的边的平均比率为1以上且2以下。
    2026-04-18
  • 电容器
    电容器_LG伊诺特有限公司_202480058016.X
    根据本发明一个实施例的电容器包括：基底衬底，包括从第一表面贯穿到与第一表面相反的第二表面的多个通孔；基底电极，设置在第一表面上以覆盖多个通孔中的至少两个相邻通孔；第一电极层，设置在基底电极的上表面边缘和侧表面上；介电层，设置在第一电极层上；...
    2026-04-18
  • 形成电容器的方法
    形成电容器的方法_周星工程股份有限公司_202580004001.X
    本公开提供一种形成电容器的方法，该方法包括：在基板上形成含钛氮化物(TiN)的第一电极层的步骤；在第一电极层上形成含钛氮氧化物(TiON)的第一阻挡层的步骤；以及在第一阻挡层上形成含钛氧化物(TiO)的电介质层的步骤。
    2026-04-18
  • 在硅锗选择性外延生长期间抑制基极多晶硅连接物过度生长到发射极腔中的方法
    在硅锗选择性外延生长期间抑制基极多晶硅连接物过度生长到发射极腔中的方法_德州仪器公司_202480058695.0
    一种半导体装置(100)包含异质结双极晶体管(HBT)(104)，其具有集电极(106)、基极和发射极(130)。所述基极包含：在所述集电极(106)上的单晶基极层(124)，其包含硅锗；以及部分地在所述单晶基极层(124)上方延伸的非本征...
    2026-04-18
  • 用于FinFET和全环绕栅极(GAA)器件的多层介电栅极间隔件
    用于FinFET和全环绕栅极(GAA)器件的多层介电栅极间隔件_高通股份有限公司_202480057203.6
    公开了一种具有一个或多个非平面晶体管的电子设备。非平面晶体管中的至少一个非平面晶体管包括：一个或多个栅极结构；和一个或多个栅极间隔件，该一个或多个栅极间隔件与一个或多个栅极结构中的每个栅极结构相关联，一个或多个栅极间隔件中的至少一个栅极间隔...
    2026-04-18
  • 基于微凸块的具有中间层内插器的3D系统和晶圆重构
    基于微凸块的具有中间层内插器的3D系统和晶圆重构_苹果公司_202480058760.X
    描述了一种系统级封装结构以及使用晶圆重构的制造方法。在实施方案中，3D系统包括中间层内插器、在中间层内插器下方的第一封装级以及在中间层内插器上方的第二封装级。第一级管芯和第二级管芯可以利用超精细微凸块来键合到中间层内插器。第一封装级和/或第...
    2026-04-18
  • 用于隔离管芯到管芯互连中的故障的系统和方法
    用于隔离管芯到管芯互连中的故障的系统和方法_微软技术许可有限责任公司_202480057419.2
    提供了用于隔离管芯到管芯互连中的故障的系统和方法。方法包括提供沿着管芯到管芯互连从与第一管芯相关联的发射机到与第二管芯相关联的异步缓冲器的第一传输路径。该方法还包括提供从与第二管芯相关联的电压参考电路装置到与第二管芯相关联的异步缓冲器的第二...
    2026-04-18
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社半导体能源研究所_202480058271.4
    提供一种新颖的半导体装置。该半导体装置包括：用作第一晶体管的漏极的第一导电层；位于第一导电层上并用作第一晶体管的源极的第二导电层；包括第一晶体管的沟道形成区域的第一半导体层；具有沿着第一半导体层的侧面的形状并包括用作第一晶体管的栅极的区域、...
    2026-04-18
  • 用于功率递送的纳米片尺寸设计
    用于功率递送的纳米片尺寸设计_苹果公司_202480058189.1
    公开了实现纳米片晶体管的各种结构。各种结构包括在晶体管器件内部具有不同宽度的纳米片晶体管。晶体管器件内的纳米片晶体管的宽度的变化允许晶体管器件的输入级和输出级进行不同设计，这可以提高晶体管器件的功率利用率和性能。在一些情况下，输入级具有的纳...
    2026-04-18
  • 在绝缘体上半导体(SOI)技术中的本体源极相连标准小区具体实施
    在绝缘体上半导体(SOI)技术中的本体源极相连标准小区具体实施_高通股份有限公司_202480057932.1
    描述了一种集成电路(IC)器件。该IC设备包括绝缘体上半导体(SOI)衬底，该绝缘体上半导体(SOI)衬底具有第一型扩散区。该IC设备还包括第一第一型晶体管，该第一第一型晶体管位于该第一型扩散区上。该IC设备还包括第二第一型晶体管，该第二第...
    2026-04-18
  • 使用完整背侧连通性的紧凑逻辑单元
    使用完整背侧连通性的紧凑逻辑单元_高通股份有限公司_202480057846.0
    公开了使用完整背侧连通性的紧凑逻辑单元。在一个方面，一种半导体器件包括多个集成电路单元，该多个集成电路单元包括：栅极，该栅极由源极/漏极(S/D)结构分隔开并且包括至少一个沟道，该至少一个沟道延伸穿过金属结构并且将相邻S/D结构彼此连接，至...
    2026-04-18
  • 光电检测装置和电子设备
    光电检测装置和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480058878.2
    本发明提高了图像质量性能。此光电检测装置包括：半导体层，其具有位于一个方向上的彼此相对侧的第一面部和第二面部；光电转换区域，其在平面图中与隔离区域相邻地设置于所述半导体层，且其平面形状被形成为矩形形状；光电转换部，其设置于所述光电转换区域；...
    2026-04-18
  • 光伏装置
    光伏装置_拉贾·亚兹吉_202480058145.9
    本发明涉及光伏电池(20)，包括：形成结的半导体层或半金属层的叠层(24, 28)，以及至少两个用于收集由结中电磁辐射(40, 50)转换产生的电荷载流子的接点(32, 34)，其特征在于，至少一个半导体层包含选自以下的物质：Mg(Z)Pb...
    2026-04-18
  • 用于向基板施加炫光减少涂层的方法、涂覆液体、具有涂层的太阳能玻璃或太阳能膜、太阳能电池和/或太阳能模块以及太阳能设备
    用于向基板施加炫光减少涂层的方法、涂覆液体、具有涂层的太阳能玻璃或太阳能膜、太阳能电池和/或太阳能模块以及太阳能设备_菲托尼克斯有限责任公司_202480058128.5
    本发明涉及一种用于向基板，特别是向太阳能玻璃和/或向太阳能膜施加炫光减少涂层的方法，其中将用于折射和/或散射入射光的结构化涂层施加到该基板，包括以下步骤：‑提供该基板，使得该基板可用于施加该涂层，‑向基板施加涂覆液体，使得在该基板上生成液体...
    2026-04-18
  • 用于微型LED制造的基于暂时未填满的选择性质量转移
    用于微型LED制造的基于暂时未填满的选择性质量转移_应用材料公司_202480058896.0
    本公开案的实施方式大体而言涉及LED像素及制造LED像素的方法。设备包括微型LED、微型LED隔离结构、透明材料、及隔离基板。所述微型LED设置在背板上方。每个微型LED耦接至所述背板的至少一个背板电极。所述微型LED隔离结构设置在所述背板...
    2026-04-18
  • 显示装置和制造该显示装置的方法
    显示装置和制造该显示装置的方法_三星电子株式会社_202480057234.1
    根据实施例的一种制造显示模块的方法可以包括：在基底衬底上形成颜色层；以及将光源衬底接合到颜色层，其中无机发光器件设置在光源衬底上以面向颜色层，并且形成颜色层包括：在基底衬底上设置滤色器；在滤色器上设置低折射率层；对低折射率层进行压印；以及在...
    2026-04-18
  • 发光组件及其制作方法和车灯
    发光组件及其制作方法和车灯_京东方科技集团股份有限公司_202480000701.7
    一种发光组件及其制作方法和车灯。该发光组件包括衬底基板和发光器件。发光器件包括第一电极、发光限定层、发光功能层、第二电极和辅助电极，发光限定层设置在第一电极远离衬底基板的一侧，且包括暴露第一电极的发光开口，发光功能层设置在发光限定层远离衬底...
    2026-04-18
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