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最新专利技术
  • 一种全量子点器件架构的太阳能电池及其制备方法
    一种全量子点器件架构的太阳能电池及其制备方法_金乌光照(北京)能源科技有限公司_202511854257.8
    本发明提供了一种全量子点器件架构的太阳能电池，包括以下步骤：将电子传输层对应量子点溶液分散在溶剂A中，通过配体交换引入配体X，获得量子点母液BTL‑QD；将钙钛矿量子点层对应量子点溶液分散在溶剂B中，通过配体交换引入配体Y，获得钙钛矿量子点...
    2026-04-25
  • 钙钛矿薄膜双面退火方法和装置
    钙钛矿薄膜双面退火方法和装置_华能新能源股份有限公司_202610047605.9
    本发明提供了一种钙钛矿薄膜双面退火方法和装置，涉及钙钛矿太阳能电池制备技术领域，本发明提供的钙钛矿薄膜双面退火方法中，采用了一种以精准控制上下加热板之间实时温差为核心约束条件的温度协同控制策略，在双面加热的基础上，实现了对钙钛矿薄膜在退火过...
    2026-04-25
  • 一种大面积钙钛矿组件的蓝光激光退火装置及退火方法
    一种大面积钙钛矿组件的蓝光激光退火装置及退火方法_江苏创赢光能科技有限公司_202610132134.1
    本发明提供了一种大面积钙钛矿组件的蓝光激光退火装置及退火方法，包括龙门架和若干个蓝光光纤激光器；龙门架的顶部设置有若干个扩束匀化模块和半封闭弧形模块；若干个扩束匀化模块设置于半封闭弧形模块的顶部；每个扩束匀化模块内均设置有第一腔体，第一腔体...
    2026-04-25
  • 一种钙钛矿叠层电池的栅线制备方法、电池及其制备方法
    一种钙钛矿叠层电池的栅线制备方法、电池及其制备方法_英利能源发展有限公司_202610048400.2
    本发明提供一种钙钛矿叠层电池的栅线制备方法、电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域。本发明的钙钛矿叠层电池的栅线制备方法包括如下步骤：S1.在待栅线制作的钙钛矿叠层电池的正表面和背表面分别形成电镀电极开孔；S2.采用双面铜电镀，利用氧化还...
    2026-04-25
  • 有机光伏电池及制备方法与共轭有机框架结构材料的应用
    有机光伏电池及制备方法与共轭有机框架结构材料的应用_温州星谷光电科技有限责任公司_202311550498.4
    本申请公开了有机光伏电池及制备方法与共轭有机框架结构材料的应用，涉及光电材料技术领域，旨在解决现有光伏电池的光电转换效率较低的技术问题。所述有机光伏电池，包括：ITO基底、光活性层和金属电极；其中，所述光活性层由共轭有机框架结构材料、电子给...
    2026-04-25
  • 一种钙钛矿光伏器件及其制备方法
    一种钙钛矿光伏器件及其制备方法_江苏盛开新能科技有限公司_202610043547.2
    本发明涉及一种钙钛矿光伏器件及其制备方法，钙钛矿光伏器件包括钙钛矿吸光层、电子传输层和空穴传输层，所述钙钛矿吸光层在光激发下产生自由电子和空穴，所述自由电子进入所述电子传输层，所述空穴进入空穴传输层，所述空穴传输层中包含有机材料C，所述有机...
    2026-04-25
  • 热电器件的制备方法和热电器件
    热电器件的制备方法和热电器件_中国原子能科学研究院_202512016939.8
    本申请提供一种热电器件的制备方法和热电器件。本申请的方法包括将Fe粉、Ni粉和Mo粉按照(30%‑39%)：(20%‑26%)：(35%‑50%)的原子比例混合后，通过第一热机械加工制备得到N型FeNiMo合金，将Fe粉、Ni粉和Mo粉按照...
    2026-04-25
  • 一种具有相变自修复热界面功能的热器件及其制备方法
    一种具有相变自修复热界面功能的热器件及其制备方法_北京航空航天大学杭州创新研究院_202511991442.1
    本发明属于热管理与电子封装技术领域，具体涉及一种具有相变自修复热界面功能的热器件及其制备方法。所述热器件包含带沟槽和贯穿孔的上下基板、电极层、热电单元及相变介质层。所述制备方法包含基板加工、电极刻蚀、热电单元焊接及相变介质层成型步骤。在热器...
    2026-04-25
  • 一种p型铜掺杂锑铋碲热电材料、制备方法、模块及系统
    一种p型铜掺杂锑铋碲热电材料、制备方法、模块及系统_全球能源互联网欧洲研究院_202511735211.4
    本发明公开了一种p型铜掺杂锑铋碲热电材料、制备方法、模块及系统，属于热电材料技术领域。所述材料化学式为Bi0.5Sb1.5Te3Cux，其中x=0.0025。通过在Bi0.5Sb1.5Te3基体中精确掺入微量铜元素，显著提升载流子浓度并抑制...
    2026-04-25
  • 一种基于温等静压烧结制备的热电纤维材料及其应用
    一种基于温等静压烧结制备的热电纤维材料及其应用_东华大学_202511701433.4
    本发明涉及一种基于温等静压烧结制备的热电纤维材料及其应用，利用温等静压烧结对核壳结构纤维进行致密化，得到所述热电纤维材料；其中，所述核壳结构纤维以热电粉体为内芯、可溶胶凝胶化组分为外壳，利用同轴湿法纺丝技术制得。本发明方法具备普适性，适用于...
    2026-04-25
  • 一种微机械超声波换能器及其制造工艺
    一种微机械超声波换能器及其制造工艺_轻舟微电子(常州)有限公司_202511975386.2
    本发明涉及超声波换能器制造领域，具体涉及一种微机械超声波换能器及其制造工艺，包括如下步骤：步骤S1，在单晶硅衬底处刻蚀出预设空腔的刻蚀边界；步骤S2，对已完成刻蚀边界预设的单晶硅衬底进行氧化处理形成氧化层；步骤S3，在所述氧化层上方生长单晶...
    2026-04-25
  • 体声波滤波器晶圆级封装的制备方法及电子设备
    体声波滤波器晶圆级封装的制备方法及电子设备_云际芯光(珠海)微电子有限公司_202610228073.9
    本公开实施例公开了一种体声波滤波器晶圆级封装的制备方法及电子设备，通过采用深硅刻蚀工艺对盖帽晶圆进行建构，执行两次光刻及对应的深硅刻蚀，形成空腔、通孔、芯片墙体环，将盖帽晶圆的通孔与产品晶圆的芯片电极对位重合，使盖帽晶圆的芯片墙体环外侧与产...
    2026-04-25
  • 一种晶圆级PVDF类薄膜的极化工艺
    一种晶圆级PVDF类薄膜的极化工艺_杭州美迪凯光电科技股份有限公司_202511978606.7
    本申请涉及超声波指纹芯片技术领域，具体提供了一种晶圆级PVDF类薄膜的极化工艺。在硅晶圆上以旋涂法成型PVDF类薄膜，将PVDF类薄膜固定在腔室内的样品载台上，腔室内抽真空，将PVDF类薄膜加热，启动样品载台，同时施加直流电场进行旋转极化，...
    2026-04-25
  • 提升压电复合薄膜黑化效果的方法
    提升压电复合薄膜黑化效果的方法_济南晶正电子科技有限公司_202512013827.7
    本申请提供一种提升压电复合薄膜黑化效果的方法，通过先对至少包括依次层叠的衬底层和薄膜层的压电复合薄膜的薄膜层表面进行粗糙化处理，增加其表面有效反应面积，再将薄膜置于还原介质中进行黑化还原热处理，以得到黑化压电复合薄膜。粗糙化后的表面能够提供...
    2026-04-25
  • 用于压力感应和能量收集的离子压电装置
    用于压力感应和能量收集的离子压电装置_香港城市大学_202510597041.1
    一种用于提供电信号的离子压电装置，该装置包括：(i)包含多个可移动阳离子和阴离子的基质；(ii)与基质接触的两个或多个电极，根据阳离子和阴离子之间的迁移率差，响应施加到基质上的外部压力提供电信号。离子压电装置含有选择性离子迁移率放大结构，用...
    2026-04-25
  • 一种新型压电薄膜结构
    一种新型压电薄膜结构_电子科技大学中山学院_202610059970.1
    本发明公开了一种新型压电薄膜结构，涉及微电子传感技术领域，该结构包括：半导体衬底；设置在半导体衬底上的栅极结构，栅极结构由共面电极构成；沉积于栅极结构上方的沟道层；位于沟道层之上的绝缘夹心层；设置于绝缘夹心层中心位置的漏极；以及覆盖于漏极顶...
    2026-04-25
  • 一种可低电压驱动的高性能铁酸铋薄膜及其制备方法和应用
    一种可低电压驱动的高性能铁酸铋薄膜及其制备方法和应用_江苏理工学院_202511992808.7
    本发明公开了一种可低电压驱动的高性能铁酸铋薄膜，包括衬底以及旋涂于衬底表面的导电氧化物缓冲层和铁酸铋基薄膜层；导电氧化物缓冲层的厚度为100‑350 nm；铁酸铋基薄膜层由包含铋、铁及掺杂元素的前驱体溶胶涂覆于导电氧化物缓冲层上，并进行结晶...
    2026-04-25
  • 超导量子芯片的引线键合方法、制造方法和超导量子芯片
    超导量子芯片的引线键合方法、制造方法和超导量子芯片_深圳量旋科技有限公司_202511984967.2
    本发明公开了一种超导量子芯片的引线键合方法、制造方法及超导量子芯片。所述引线键合方法包括：利用金属焊丝，在超导量子芯片封装用印刷电路板PCB上第一金属焊盘的不同位置形成多个相互接触的第一焊点；利用金属焊丝，依次在超导量子芯片本体的第二金属焊...
    2026-04-25
  • 一种新型钽基约瑟夫森结及其制备方法
    一种新型钽基约瑟夫森结及其制备方法_南京大学_202610291915.5
    本发明属于超导电子器件技术领域，具体涉及一种新型钽基约瑟夫森结及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：在衬底上依次沉积形成Nb种子层以及Ta层，然后在同一设备腔内对所述Ta层进行原位氧等离子体氧化形成TaOx势垒层，在所述TaOx势垒层上沉积...
    2026-04-25
  • 一种量子芯片封装装置
    一种量子芯片封装装置_量子科技长三角产业创新中心_202411398231.2
    本公开提供了一种量子芯片封装装置，包括顶部密封件和下密封件；顶部密封件靠近下密封件的端面具有上空腔；下密封件靠近顶部密封件的端面具有下空腔，上空腔与下空腔相互连通，用于封装量子芯片；下空腔内设置有下隔离件，下隔离件将下空腔分隔成多个空腔，本...
    2026-04-25
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