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石油,煤气及炼焦工业设备的制造及其应用技术
  • 本发明公开了一种可捕获载流子的LiTaO3 : Tb3+纳米晶玻璃陶瓷及其制备方法与应用,属于固体发光材料技术领域;所述玻璃陶瓷包括66.67mol%H3BO3、25mol%Li2CO3、8.33mol%Ta2O5,并外掺0.020.08m...
  • 一种生产乙撑胺的方法,乙二醇、液氨经预热后与稀释气混合连续通过催化剂床层,在反应温度250‑380℃、进料重量空速0.3‑20h‑1、反应压力2.0‑10.0MPa,反应条件下进行反应生成乙撑胺。MCM‑22,MCM‑41,ZSM‑5分子筛...
  • 本发明公开了一种紫光激发的红光氧氮化物玻璃陶瓷及其制备方法与应用,属于荧光玻璃陶瓷技术领域;所述红光氧氮化物玻璃陶瓷的晶体化学通式为Mg2Al4Si5(ON)18 : Eu2+,晶体结构属于六方晶系,空间群为P6/mcc。本发明中通过部分氮...
  • 本发明公开了一种双峰粒径分布的二硅酸锂玻璃陶瓷和修复体及制备方法;其中二硅酸锂玻璃陶瓷的制备方法包括配料、熔融、淬冷、破碎和回转热处理等步骤,通过对原料以及配合淬冷和回转热处理步骤进行具体设置,得到具体粒径范围的具有双峰粒径分布的球形二硅酸...
  • 本发明涉及一种阻燃耐高温的聚氯乙烯及其制备方法,属于聚氯乙烯技术领域。所述聚氯乙烯包含以下组分:聚氯乙烯树脂100重量份、有机硅‑锌杂化阻燃剂12‑25重量份、反应型增容剂2‑8重量份、核壳功能填料5‑15重量份。有机硅‑锌杂化阻燃剂通过丙...
  • 本申请提供的光学元件的增材制造方法,通过计算轴向梯度折射率透镜的结构参数,根据所述结构参数建立UG三维模型,采用所述成型浆料对所述UG三维模型进行光固化成型,对光固化成型后的UG三维模型进行脱脂处理,将脱脂后的坯体进行烧结处理,将烧结后的坯...
  • 本发明公开了一种基于3D打印水泥基材料的界面增强剂及其在3D打印水泥基材料的应用。本发明所述界面增强剂包括水泥、纳米二氧化硅、EVA可再分散性乳胶粉、POM聚甲醛纤维、拌合水、减水剂及缓凝剂,所述水泥的选择与3D打印水泥基材料中的水泥选择一...
  • 本发明涉及一种半导体材料的抛光方法,具体涉及一种InP衬底的化学机械抛光方法,目的是解决现有抛光方法中抛光液配方复杂、成本高昂、工艺参数与InP材料适配性差以及表面缺陷率高的问题。本发明方法包括1)制备抛光液;2)准备圆形InP衬底;3)设...
  • 本申请涉及一种硫化锂的制备方法及应用,所述方法包括以下步骤:S1:将硫酸锂和碳源干燥后球磨混合,将所得物料在惰性气体保护下或真空环境下进行碳化反应;S2:将S1所得碳化产物与硫粉混合,球磨,将所得物料在惰性气体保护下或真空环境下煅烧;S3:...
  • 本发明提供新型化合物及包含其的有机发光器件。
  • 本发明提供一种聚合物固态电解质膜及其制备方法、固态电池、电池组、用电设备。所述聚合物固态电解质膜,包括无机分离膜骨架,所述无机分离膜骨架包括若干直通孔,至少部分所述直通孔填充有:第一聚合物电解质和第一锂盐;所述第一聚合物电解质的结晶度不大于...
  • 本发明提供一种卤氧化物电解质及其制备方法、固态电池。该卤氧化物电解质为具有无定形结构的锂钽氧氯卤氧化物电解质;其中,具有无定形结构的锂钽氧氯卤氧化物电解质为通过微波闪烧法对前驱体混合物进行加热处理得到加热产物,并将加热产物冷却至室温后得到的...
  • 本发明提供一种天然气脱硫复配溶剂及其制备方法和应用。本发明的天然气脱硫复配溶剂,按照重量份数包括以下组分:10~30份双异己基叔胺、2~10份环丁砜、15~25份N‑甲基二乙醇胺、8~15份含氮杂环化合物、余量为去离子水,其中,含氮杂环化合...
  • 提供一种镀覆钢板,其特征在于,其具备母材钢板和形成于所述母材钢板的表面的镀层,所述镀层具有规定的化学组成,所述镀层包含位于与所述母材钢板的界面的Fe‑Al相和位于所述Fe‑Al相上的主层,在所述主层的截面中,Al含量为10质量%以上的Mg‑...
  • 一种增材制造镍基高温合金的无裂纹热处理方法,涉及高温合金热处理技术领域,具体涉及一种增材制造镍基高温合金的无裂纹热处理方法。本发明是要解决现有的增材制造镍基高温合金在后续的热处理升温阶段极易产生沿晶裂纹,导致构件直接报废的技术问题。本发明的...
  • 本发明属于锂离子电池/固态电池技术领域,具体涉及一种环三磷腈衍生盐基复合固态电解质及其制备与应用。本发明以六(4‑苯氧基羧酸锂)环三磷腈(HCTP‑COOH)与氢氧化锂为反应原料,先通过常压溶剂热法制备锂盐HCTP‑COOLi,再以聚(偏氟...
  • 一些实施例包含设备及形成所述设备的方法。所述设备中的一者包含:衬底;导电板,其位于所述衬底上方以耦合接地连接;数据线,其位于所述衬底与所述导电板之间;存储器单元;及导线。所述存储器单元包含第一晶体管及第二晶体管。所述第一晶体管包含电耦合于所...
  • 本发明公开了一种钛酸钡纳米线增强原位聚合固态电解质的制备及锂金属电池,属于锂金属电池聚合物固态电解质材料技术领域。该电解质组分包括环状醚类聚合物单体、锂盐和钛酸钡纳米线填料,将该组分在惰性气体氛围下充分混合,就能够得到钛酸钡纳米线增强原位聚...
  • 本发明提供一种深硅刻蚀方法及半导体工艺设备,涉及半导体技术领域。该深硅刻蚀方法包括循环步骤,循环步骤包括用于在硅衬底刻蚀形成沟槽的刻蚀步、用于去除副产物的去除步和用于在沟槽的侧壁形成保护层的氧化步,其中,去除步所采用的工艺气体包括碳氟类气体...
  • 本发明涉及一种大直径高强中模碳纤维高效表面处理方法,通过两段阳极氧化法采用两性电解液以及铵盐溶液或碱性溶液与小分子有机胺的混合电解液分别作为第一段和第二段阳极氧化电解液的处理方法改善了大直径高强中模碳纤维与基体材料的界面相容性,且操作简便、...
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