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  • 终端具有:接收部,其从基站接收设定信息,所述设定信息用于设定在随机接入信道发送中使用的随机接入信道机会;以及控制部,其基于所述设定信息,设定随机接入信道机会。所述设定信息包含多个随机接入信道机会模式。所述多个随机接入信道机会模式分别包含:识...
  • 呈现了用于N6接口上快速用户数据报协议互联网连接(QUIC)流量转向的系统和方法。用户面功能(UPF)可以从会话管理功能(SMF)接收流量过滤信息。流量过滤信息可以包括快速用户数据报协议互联网连接(QUIC)连接的标识符。UPF可以根据包括...
  • 本公开涉及一种通信方法、终端、网络设备及存储介质。方法包括:基于感知任务向网络设备发送请求信息,所述请求信息与所述感知任务相关,其中,所述请求信息用于请求建立无线资源控制RRC连接或者请求RRC连接恢复。本公开的方法中,终端在由感知任务触发...
  • 本公开涉及用于支持更高数据传输速率的第五代(5G)或第六代(6G)通信系统。提供了一种用于在无线网络中管理多播广播服务(MBS)用户设备(UE)102的状态转换、管理多播UE 102的服务连续性以及管理多播UE 102的分组数据汇聚协议(P...
  • 本发明提出了一种用于以电介质方式加热气溶胶形成基质的气溶胶生成装置。所述装置包括:供电装置,所述供电装置提供DC电源电压;以及振荡电路。所述振荡电路包括:开关单元;以及反馈回路,所述反馈回路连接在所述开关单元的输入与输出之间。所述反馈回路包...
  • 本公开的实施例提供了一种降压电路、车灯系统及车灯控制模块的处理方法,涉及车灯控制技术领域。其中,由驱动单元、检流模块、第一滤波模块以及第二滤波模块组成降压电路,并由检流电阻、第一检流滤波电容以及第二检流滤波电容组成检流模块。驱动单元基于车灯...
  • 提供一种照明系统以及照明装置,能够实现追随乐曲数据的信号电平的动态的配光控制。照明系统具备:扬声器装置(400),能够播放乐曲数据;照明装置(1),能够控制从光源射出的光的配光状态;以及控制装置(300),对扬声器装置(400)发送乐曲数据...
  • 一种用于EUV光源的液滴发生器包括:结构内的流体腔,流体腔具有开放的或者能够接收流体的第一流体腔端和第二流体腔端;流体腔内的颗粒过滤器,将流体腔划分为颗粒过滤器的上游表面和第一流体腔端之间的上游体积、由过滤器占用的过滤器体积和在过滤器的下游...
  • 一种布线电路基板的制造方法,其包括:第一工序,将在布线电路的形成工序中使用后的布线电路形成用处理液的废液供于电化学处理和渗析处理中的至少任一种回收处理,得到包含处理液成分的回收处理液;第二工序,使用所述回收处理液来准备再利用布线电路形成用处...
  • 本公开内容旨在提供玻璃基底金属化方法,所述玻璃基底金属化方法包括使用特定组合物的玻璃基底金属化加速过程,并因此可以仅通过湿法在具有高纵横比的玻璃基底上均匀地形成金属层。
  • 本申请涉及终端技术领域,本申请公开了一种电子设备和壳体组件,电子设备包括壳体和可动装饰模组。可动装饰模组至少部分地露出于壳体的外壁面,并至少部分地可相对于壳体运动。可动装饰模组相对于壳体运动时,能够产生控制电子设备运行的电信号。也即,可动装...
  • 本申请涉及一种用于IT基础设施的直接液冷系统(DLC),IT基础设施包括至少一个待冷却组件(2),其中,直接液冷系统包括冷却剂分配单元(CDU)和冷却剂分配通道(7),冷却剂分配通道由冷却剂分配单元(CDU)供给冷却液体,其特征在于,该冷却...
  • 本申请实施例提供一种存储阵列及其制作方法、存储器以及电子设备,涉及半导体存储技术领域,用于在不影响存储器容量的情况下,减小存储器的尺寸。存储阵列包括衬底、晶体管链、电容阵列以及电连接结构。晶体管链包括串联的多个晶体管。电容阵列中,一个柱状电...
  • 提供了一种存储装置、存储系统以及制造方法。所公开的存储装置包括:垂直晶体管的阵列,所述垂直晶体管的阵列布置在横向平面中,每个垂直晶体管包括:沟道结构,所述沟道结构相对于所述横向平面垂直延伸;以及漏极结构,所述漏极结构包括:与所述沟道结构的第...
  • 本公开提供了阻变随机存取存储器(RRAM)器件及其制备方法。RRAM器件可以包括第一电极、包括钌(Ru)的第二电极以及制备在第一电极与第二电极之间的开关氧化物层。所述第一电极包括钯、氮化钛和氮化钽中的至少一种。所述开关氧化物层至少包括一种过...
  • 半导体结构包括第一半导体芯片和沿着第一方向与第一半导体芯片堆叠的第二半导体芯片。所述第一半导体芯片包括包含沿着第一方向延伸的第一接触结构的第一存储结构和被设置在第一衬底上的第一外围结构,所述第一外围结构与所述第一存储结构接触并且包括沿着所述...
  • 一种存储器装置,包括第一半导体芯片、第二半导体芯片、第一接触结构和第二接触结构。所述第一半导体芯片包括第一半导体结构和穿透所述第一半导体结构的第一电介质层。所述第二半导体芯片沿第一方向与所述第一半导体芯片堆叠,并且所述第二半导体芯片包括第二...
  • 一种处理系统(100)包括一个或多个加速器单元(AU)(114),每个AU具有模块化架构。为此,每个AU包括连接电路(116)和设置在连接电路上的一个或多个存储器堆叠(122)。此外,每个AU包括一个或多个中介层管芯(118),每个中介层管...
  • 本发明提供一种等离子处理方法,在具有层叠有线状或者片状的沟道的构造的GAA型FET中,在根据晶体管的种类来区别制作功函数金属的工序中,即使是在上述沟道上形成栅极绝缘膜和功函数金属之后在层叠的沟道(3)间存在间隙的情况,也能够不使用填埋间隙的...
  • 公开了一种晶体管器件。
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