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最新专利技术
  • 一种多级结构聚吡咯改性石墨烯片层复合导电薄膜的电场可控制备及其应变传感应用
    一种多级结构聚吡咯改性石墨烯片层复合导电薄膜的电场可控制备及其应变传感应用_南京工业大学_202411549963.7
    本发明涉及一种多级结构聚吡咯改性石墨烯片层复合导电薄膜的电场可控制备及其应变传感应用。首先通过真空抽滤技术获得GO薄膜，经化学还原制备rGO薄膜，随后采用三电极恒电位沉积策略在rGO膜上生长构建形貌可调的聚吡咯(PPy)纳米结构。以rGO膜...
    2026-05-11
  • 一种硬质阳极氧化成膜的工艺方法
    一种硬质阳极氧化成膜的工艺方法_浙江先导精密机械有限公司_202512020379.3
    本发明涉及硬质阳极的表面处理方法，为解决硬质阳极氧化在处理过程中，普遍存在氧化工作时间长，工艺过程能源消耗大等问题，本发明提出了一种硬质阳极氧化成膜的工艺方法，包括上挂‑脱脂‑碱蚀‑剥膜‑阳极氧化‑封孔‑下挂，其中阳极氧化的阳极氧化槽液包括...
    2026-05-11
  • 转印模具的制备方法、压印模具、盖板及制备方法、终端
    转印模具的制备方法、压印模具、盖板及制备方法、终端_OPPO广东移动通信有限公司_202411586935.2
    本申请提供一种转印模具的制备方法、压印模具、盖板及制备方法、终端。本申请的转印模具的制备方法包括：提供金属板；对所述金属板进行第一阳极氧化，以使所述金属板的表面形成多孔结构；对所述金属板进行化学蚀刻，以去除所述多孔结构，使所述金属板的表面形...
    2026-05-11
  • 燃料电池的隔离件用不锈钢材料及其制造方法
    燃料电池的隔离件用不锈钢材料及其制造方法_丰田自动车株式会社_202511539331.7
    本发明涉及一种不锈钢材料及其制造方法，该不锈钢材料是燃料电池的隔离件用不锈钢材料，对于通过飞行时间二次离子质谱所测定的F－、CrO3－和Fe2－离子强度的深度解析结果，F－/Fe2－的强度比为10以上的深度为5nm以上，且CrO3－/Fe2...
    2026-05-11
  • 一种惰性气氛下的离子液体镀铝电镀设备
    一种惰性气氛下的离子液体镀铝电镀设备_三磊(宁波)新材料科技有限公司_202610137493.6
    本发明公开了一种惰性气氛下的离子液体镀铝电镀设备，属于电镀设备技术领域。本发明采用的技术方案为，一种惰性气氛下的离子液体镀铝电镀设备，包括两组保护气氛箱体、至少一套净化系统、过渡转运机构及监控调控部件；所述保护气氛箱体为封闭式结构，其中一个...
    2026-05-11
  • 一种用于电镀软处理的智能控制方法及系统
    一种用于电镀软处理的智能控制方法及系统_杭州云会五金电镀有限公司_202610467533.3
    本申请公开了一种用于电镀软处理的智能控制方法及系统，方法包括获取当前工况信息和工艺槽的即时监测数据；基于即时监测数据，提取用于表征槽液状态的关键特征参数；基于当前工况信息和关键特征参数，通过预设历史工况数据库进行匹配，获取匹配的初始工艺参数...
    2026-05-11
  • 一种用于钛钯合金金相侵蚀的侵蚀剂及金相侵蚀方法
    一种用于钛钯合金金相侵蚀的侵蚀剂及金相侵蚀方法_万华化学集团股份有限公司_202411566710.0
    本发明提供了一种用于钛钯合金金相侵蚀的侵蚀剂，其包括以下组分：甘油、甲醇、苯磺酸、乙二酸、去离子水。使用本发明的侵蚀剂能够使钛钯合金的金相组织侵蚀容易控制，过程更加安全，更容易得到易于观察的金相组织；侵蚀剂的配制及侵蚀过程简单，便于操作。
    2026-05-11
  • 一种利用固态沉淀法制备单晶-类单晶球形富锂锰基正极材料前驱体的合成方法
    一种利用固态沉淀法制备单晶-类单晶球形富锂锰基正极材料前驱体的合成方法_江苏正旭企新材料有限公司_202610042752.7
    本发明公开了一种利用固态沉淀法制备单晶‑类单晶球形富锂锰基正极材料前驱体的合成方法，包括以下步骤：(1)络合混合步骤：将镍源、钴源、锰源与络合剂以粉末形式预混合，混合温度0℃‑750℃，混合时间10min‑2h，转速100rpm‑400rp...
    2026-05-11
  • 一种混合溶剂生长MAPbBr3单晶的方法及伽马射线探测器
    一种混合溶剂生长MAPbBr3单晶的方法及伽马射线探测器_河南省科学院先进陶瓷研究所_202610223221.8
    本发明公开了一种混合溶剂生长MAPbBr3单晶的方法及伽马射线探测器，涉及半导体材料制备与辐射探测技术领域，包括采用DMF与DMSO的混合溶剂配制前驱体溶液，通过逆温结晶工艺，在精准控制的升温速率下生长得到低缺陷密度、大尺寸的MAPbBr3...
    2026-05-11
  • 一种含有手性多级结构的光热系统及其应用
    一种含有手性多级结构的光热系统及其应用_上海市第六人民医院_202411553052.1
    本发明涉及生物纳米材料技术领域，具体涉及一种偏振光调控手性多级结构光热系统及应用。手性材料可以选择性地吸收、散射或旋转特定偏振方向的光，因此可以用作偏振光调控器件，进一步构建了手性多级结构光热系统。由于采用水热反应形成手性多级结构光热系统，...
    2026-05-11
  • 基于激子空间扩散限制策略的高分辨超快闪烁体及其制备方法
    基于激子空间扩散限制策略的高分辨超快闪烁体及其制备方法_中山大学_202610101394.2
    本发明属于X射线成像技术领域，具体涉及基于激子空间扩散限制策略的高分辨超快闪烁体及其制备方法。本发明利用纳米通孔模板的空间限制作用，使PEA2PbBr4的维度由块体单晶降为均匀的一维纳米线，从而实现了X射线激发下体相激子的空间局域化。空间局...
    2026-05-11
  • 一种晶体生长装置
    一种晶体生长装置_眉山博雅新材料股份有限公司_202411566549.7
    本说明书实施例提供一种晶体生长装置，包括：坩埚，用于容纳晶体生长原料；籽晶托，至少部分籽晶托能够浸没于坩埚内的晶体生长原料形成的熔体中；籽晶托包括籽晶粘接面；支撑结构，连接籽晶托上与籽晶粘接面相对的一侧；其中，籽晶粘接面的中部设有粘接区域，...
    2026-05-11
  • 一种晶体生长装置
    一种晶体生长装置_眉山博雅新材料股份有限公司_202411566291.0
    本说明书实施例提供一种晶体生长装置，包括：坩埚，坩埚用于容纳晶体生长原料；籽晶托，至少部分籽晶托能够浸没于坩埚内的晶体生长原料形成的熔体中；籽晶托包括籽晶粘接面；支撑结构，连接籽晶托上与籽晶粘接面相对的一侧；冷却组件，冷却组件包括设于籽晶托...
    2026-05-11
  • 一种晶体生长装置及原料回收方法
    一种晶体生长装置及原料回收方法_眉山博雅新材料股份有限公司_202411566806.7
    本说明书实施例提供一种晶体生长装置及原料回收方法，该装置包括：坩埚，用于容纳晶体生长原料；籽晶托，至少部分籽晶托能够浸没于坩埚内的晶体生长原料形成的熔体中；籽晶托包括籽晶粘接面；第一支撑结构，连接籽晶托上与籽晶粘接面相对的一侧，第一支撑结构...
    2026-05-11
  • 一种磷酸氧钛钾晶体生长炉及其控制方法
    一种磷酸氧钛钾晶体生长炉及其控制方法_昆明理工大学_202610262639.X
    本发明属于晶体生长技术领域，具体公开了一种磷酸氧钛钾晶体生长炉及其控制方法，其中方法包括通过直流电机驱动籽晶旋杆实现恒定旋转，并通过连接座中的滚珠结构对籽晶旋杆的垂直度进行动态校正；利用提拉装置中的齿轮啮合传动和螺杆调节功能，实现籽晶旋杆的...
    2026-05-11
  • 一种用于长晶机导流筒与热场辅助配合的升降设备
    一种用于长晶机导流筒与热场辅助配合的升降设备_郑州合晶硅材料有限公司_202610013151.3
    本申请提供了一种用于长晶机导流筒与热场辅助配合的升降设备，包括沿炉盖周向等间隔设置的多个升降机构，每个升降机构均包括固定座和提升组件；固定座固定于炉盖上；升降机构至少为3个；提升组件包括驱动装置、转接块、与转接块连接的称重传感器和提升杆；称...
    2026-05-11
  • 一种基于氧碳含量反馈的晶转与埚转协同调控系统
    一种基于氧碳含量反馈的晶转与埚转协同调控系统_乐山新天源太阳能科技有限公司_202610212176.6
    本发明涉及技术领域，具体为一种基于氧碳含量反馈的晶转与埚转协同调控系统，属于单晶生长技术领域。针对现有技术缺乏多参数联动、调控无阶段针对性及无效果校验的缺陷，系统包括氧碳时序数据采集、氧碳特征提取、转向协同调控、转速参数修正及调控效果校验五...
    2026-05-11
  • 一种液相法碳化硅单晶生长系统及生长方法
    一种液相法碳化硅单晶生长系统及生长方法_粤港澳大湾区(广东)量子科学中心_202610224386.7
    本发明公开一种液相法碳化硅单晶生长系统及生长方法，包括：炉体；保温桶，位于炉体内；坩埚，位于保温桶内；发热体，位于炉体内并环绕在保温桶周围；可升降的籽晶杆，上端穿出炉体，下端与籽晶盘连接并可伸入坩埚中；雷达液位计，位于炉体顶部，其发出的微波...
    2026-05-11
  • 一种用于液相外延水平式碳化硅外延炉的基座传动装置
    一种用于液相外延水平式碳化硅外延炉的基座传动装置_诸暨晶氢新材料科技有限公司_202512023135.0
    本发明涉及一种用于液相外延水平式碳化硅外延炉的基座传动装置，包括传动组件，包括第一连杆、第二连杆和连接件，第二连杆的一端和第一连杆的一端均通过连接件可拆卸连接，连接件可带动第一连杆、第二连杆实现多角度偏转；旋转组件，包括第一轴、第一轴套、第...
    2026-05-11
  • 晶体生长装置及方法
    晶体生长装置及方法_江苏集芯先进材料有限公司_202610102424.1
    一种晶体生长装置及方法，装置：碳化硅热场体系设置在保温室中；支撑套筒下开口端搭接在坩埚体上开口端，且连接处的气体泄漏率位于设定泄漏范围一内；籽晶盖盖设在支撑套筒的上开口端，其上开设有过气孔；石墨帽和保温套上下分布；石墨帽罩设于支撑套筒的外部...
    2026-05-11
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