Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 制造半导体结构的方法
    制造半导体结构的方法_南亚科技股份有限公司_202610181994.4
    本发明提供一种制造半导体结构的方法，此方法包括以下操作。接收具有阵列区域和周边区域的基板，其中阵列区域的厚度大于周边区域的厚度。在基板的阵列区域中形成沟槽。在基板的阵列区域上和沟槽中形成第一介电层。在第一介电层上和沟槽中形成第一导电层。在第...
    2026-05-10
  • 半导体结构的制造方法以及半导体结构
    半导体结构的制造方法以及半导体结构_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411518604.5
    本申请实施例提供一种半导体结构的制造方法以及半导体结构。其中，该制造方法包括：提供基底；采用第一光刻蚀刻工艺在基底上形成第一转移层；形成覆盖第一转移层侧壁的侧墙；形成覆盖侧墙和第一转移层的调节层以满足第一尺寸大于或者等于第一预设值；其中，第...
    2026-05-10
  • 半导体装置的制造方法
    半导体装置的制造方法_新唐科技股份有限公司_202510923161.6
    本发明提出一种半导体装置的制造方法，包含：提供衬底，其中所述衬底包含阱区，以及所述阱区包含顶掺杂区；在所述阱区上沉积第一层间介电层；在所述第一层间介电层中形成至少一接触通孔；在所述第一层间介电层中形成第一下金属层；在所述第一层间介电层上沉积...
    2026-05-10
  • 一种沟槽和通孔刻蚀后的处理方法
    一种沟槽和通孔刻蚀后的处理方法_重庆芯联微电子有限公司_202512002679.9
    本发明涉及半导体制造技术领域，具体公开了一种沟槽和通孔刻蚀后的处理方法，包括如下步骤：提供衬底，所述衬底表面形成有层间介质层，所述层间介质层中形成有刻蚀得到的通孔和沟槽，所述通孔底部暴露有铜互连结构表面；对所述衬底进行第一等离子体处理，以去...
    2026-05-10
  • 应用于射频微系统的硅转接板及其制备方法
    应用于射频微系统的硅转接板及其制备方法_联合微电子中心有限责任公司_202610167818.5
    本发明提供一种应用于射频微系统的硅转接板及其制备方法，在硅衬底上采用大马士革布线工艺和PI布线工艺依次形成多层大马士革布线层和多层有机介质布线层，从而使该硅转接板能够实现TSV盲孔深宽比不小于10 : 1、布线层数为8层的高密度集成，显著提...
    2026-05-10
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_深圳市鹏新旭技术有限公司_202610371397.8
    本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，其中，该制备方法包括步骤：提供半导体基体；于半导体基体上依次形成第一阻挡层、第一牺牲层以及第二阻挡层；形成第一支撑部以及至少两个第一导电部，第一支撑部贯穿第二阻挡层和第一牺牲层，第...
    2026-05-10
  • 半导体结构制备方法及半导体结构
    半导体结构制备方法及半导体结构_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610435065.1
    本公开涉及一种半导体结构制备方法及半导体结构，涉及集成电路技术领域，包括：提供顶面覆盖有第一叠层的衬底；形成贯穿第一叠层的至少一通孔后，于通孔内形成顶面低于介电叠层顶面的第一导电结构，横向刻蚀并去除部分介电叠层，得到暴露出第一导电结构全部顶...
    2026-05-10
  • 一种金属线制造方法及半导体结构
    一种金属线制造方法及半导体结构_上海邦芯半导体科技有限公司_202610443732.0
    本申请实施例公开了一种金属线制造方法及半导体结构，包括：在衬底上形成钌材料的金属层；对金属层进行第一刻蚀，形成沟槽中间结构；在沟槽中间结构的内壁上沉积碳基保护层；对沟槽中间结构底部上的碳基保护层进行第二刻蚀以去除，对露出的钌材料的表面进行氧...
    2026-05-10
  • 一种半导体结构制作方法及半导体结构
    一种半导体结构制作方法及半导体结构_上海邦芯半导体科技有限公司_202610443735.4
    本申请实施例公开了一种半导体结构制作方法及半导体结构，包括：在衬底的表面上形成第一金属图形；循环使用氧等离子体和氢等离子体，对第一金属图形的侧壁进行第一处理，以降低粗糙度；在衬底的表面上形成低介电常数材料的介质层，将第一金属图形的顶部覆盖；...
    2026-05-10
  • 半导体结构、制备方法、键合方法及半导体器件
    半导体结构、制备方法、键合方法及半导体器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610449908.3
    本申请涉及半导体技术领域，具体公开了一种半导体结构、制备方法、键合方法及半导体器件，半导体结构的制备方法包括：提供具有金属互联层的半导体衬底；在半导体衬底上形成介质层；刻蚀介质层以形成凹槽；在凹槽内共形形成吸气层后再填满保护层；刻蚀保护层、...
    2026-05-10
  • 半导体器件及形成方法
    半导体器件及形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510874857.4
    本公开提供了半导体器件及形成方法。半导体器件的电介质层可被使用氧化处理工艺进行处理以调整电介质层的介电常数。例如，半导体器件的互连层中的蚀刻停止层(ESL)可以由高介电常数(高k)电介质材料形成，其为ESL提供了相对于互连层中的其他电介质层...
    2026-05-10
  • 三维芯片及电子设备
    三维芯片及电子设备_华为技术有限公司_202411540461.8
    本申请实施例提供一种三维芯片及电子设备，涉及芯片技术领域，用以改善现有三维芯片需要设置较多冗余接口的问题。三维芯片包括第一裸片和第二裸片，第一裸片包括第一存储器件和冗余存储器件，第二裸片包括第一输入输出端口和多路选择器阵列，多路选择器阵列用...
    2026-05-10
  • 芯片结构、芯片堆叠结构及其制备方法、电子设备
    芯片结构、芯片堆叠结构及其制备方法、电子设备_华为技术有限公司_202411540946.7
    本申请实施例提供一种芯片结构、芯片堆叠结构及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于降低阻容延迟。芯片堆叠结构包括层叠设置且电连接的第一芯片结构和第二芯片结构。第一芯片结构包括依次层叠设置的第一有源层、第一布线层以及第二布线层；第二布...
    2026-05-10
  • 互连结构及其形成方法
    互连结构及其形成方法_重庆芯联微电子有限公司_202511965829.X
    本发明提供了一种互连结构及其形成方法，属于半导体领域。该互连结构包括基底，形成有沟槽；阻挡层，形成于所述沟槽的内壁和底部；粘结层，形成于所述阻挡层的内壁和底部，且所述粘结层掺杂金属，填充在所述沟槽。本发明通过在Ru薄膜中掺杂金属Sn，由于R...
    2026-05-10
  • 半导体结构和半导体结构的制备方法
    半导体结构和半导体结构的制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202411515943.8
    一种半导体结构和半导体结构的制备方法，该半导体结构包括基底，基底中具有导电块，介电层，介电层位于基底上，覆盖基底，导电插塞，导电插塞贯穿介电层与导电块连接，其中，导电插塞包括第一部分、第二部分和第三部分，第一部分、第二部分和第三部分在垂直于...
    2026-05-10
  • 半导体器件结构及其制备方法
    半导体器件结构及其制备方法_粤芯半导体技术股份有限公司_202610153180.X
    本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法，半导体器件结构包括：基底，基底上具有接触点；介质层，形成于基底上；接触孔，形成于介质层中，接触孔显露接触点；金属层，形成于接触孔的侧壁及底部；接触孔侧壁金属层的第一厚度与接触孔顶部两侧金属层的第二厚...
    2026-05-10
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411519793.8
    本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法，所述制作方法包括：形成包覆半导体主体部分区域的牺牲栅；半导体主体沿第一方向延伸、且贯穿牺牲栅，牺牲栅沿第二方向延伸；对牺牲栅在第三方向的一侧进行蚀刻，形成沿第一方向延伸的第一沟槽，第一沟槽沿第一...
    2026-05-10
  • 一种芯片封装结构及计算设备
    一种芯片封装结构及计算设备_飞腾信息技术有限公司_202511958354.1
    本说明书实施例提供了一种芯片封装结构及电子设备，该封装结构通过位于芯粒层一侧的N层互联金属层实现了相邻芯粒的时钟与信号互联，相较于基于中介层实现芯粒间互联的方案，可以大大缩短信号线长度、有效提升可布置的信号线数量，解除了互联密度与带宽瓶颈的...
    2026-05-10
  • 功率芯片的散热结构及功率模块
    功率芯片的散热结构及功率模块_重庆芯联微电子有限公司_202512030250.0
    本发明公开了一种功率芯片的散热结构及功率模块，属于半导体功率器件技术领域，该功率芯片的散热结构，包括功率芯片和至少一散热件，所述功率芯片包括基底，所述散热件的至少一侧设置在所述基底的待散热区域上，所述散热件背离所述功率芯片的另一侧则延伸出所...
    2026-05-10
  • 一种基于GaN器件的双面散热半桥功率模块及制备方法
    一种基于GaN器件的双面散热半桥功率模块及制备方法_西安电子科技大学_202610152034.5
    本发明公开了一种基于GaN器件的双面散热半桥功率模块及制备方法，属于电力电子功率模块技术领域，功率模块包括上陶瓷基板、与所述上陶瓷基板对应设置的下陶瓷基板、位于所述上陶瓷基板和所述下陶瓷基板之间的上管GaN器件和下管GaN器件以及集成在所述...
    2026-05-10
首页 上一页 4 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证