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航空航天装置制造技术
  • 本发明涉及一种高线性度耗尽型高电子迁移率晶体管及制备方法,高电子迁移率晶体管包括:衬底、成核层、缓冲层、沟道层、中间层、势垒层、帽层、源极、漏极、钝化层、栅极电介质层、若干第一栅极金属和第二栅极金属;衬底、成核层、缓冲层、沟道层、中间层、势...
  • 一种结型晶体管器件,本发明涉及于功率半导体器件领域,为解决现有技术VJFET反向导通时的电流分布和热分布较集中于反并联漏极‑源极二极管单元,容易导致发热失效的问题,本发明在元胞沟槽内的第一内侧的底部转角设置栅极接触电极,第一外侧、和第一外侧...
  • 本发明公开了一种烟草烟雾检测方法及系统,其中,检测方法包括信息采集步骤和信息判断步骤;在信息采集步骤中,获取气体环境中的挥发性有机物信息、气体环境中的微粒粒径信息以及微粒在紫光和/或紫外光激发下的荧光信息;在判断步骤中,当气体环境中检测出挥...
  • 本申请公开了一种碳化硅多级沟槽的制备方法,该方法首先在具有外延层的衬底表面生长掩膜层,经光刻、刻蚀形成初始沟槽;随后在沟槽内沉积氮化硅并回刻至预定位置;接着对沟槽内壁和外延层表面进行高温氧化,使SiC转化为SiO2氧化层,再通过湿法腐蚀去除...
  • 一种具有负电容栅极结构的场效应晶体管。所述场效应晶体管包括沟道和布置在所述沟道上方的栅极电介质。所述负电容栅极结构包括包含底部电极的底部电极结构、多畴结构和顶部电极结构。所述多畴结构包括布置在所述底部电极上方的多畴元件,所述多畴元件包括多个...
  • 本发明提供了一种化合物半导体器件及其制备方法,该制备方法包括:提供多层对接结构;其中,多层对接结构包括沿第一方向外延生长的临时衬底和多孔氮化镓层,第一方向为氮极性面指向镓极性面的方向;在多孔氮化镓层表面沿第一方向依次外延生长势垒结构、沟道层...
  • 本申请公开了一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法。该氮化镓高电子迁移率晶体管包括:衬底;沿着远离所述衬底的方向依次设置的沟道层和势垒层;栅电极,设于所述势垒层远离所述衬底的一侧;钝化层,覆盖所述栅电极以及所述势垒层;两个第一电极过孔,在...
  • 可执行处理方法以产生可包括高k介电材料的半导体结构。方法可包括以下步骤:在半导体基板上方形成硅层。半导体基板可包括硅锗。方法可包括以下步骤:在维持硅层的一部分与半导体基板接触的同时,氧化硅层的一部分以形成牺牲氧化物。方法可包括以下步骤:移除...
  • 本发明的半导体装置包含:第1导电型的半导体层,具有单元部及配置在所述单元部的周围的外周部,在所述单元部的表面侧形成有栅极沟槽;以及栅极电极,隔着栅极绝缘膜埋入所述栅极沟槽,当导通时在所述栅极沟槽的侧部形成沟道,所述外周部具有配置在所述栅极沟...
  • 本发明属于飞行器结构设计领域,具体涉及一种气动载荷驱动的电连接器安装座分离装置,包括安装座、转接电连接器、闭锁机构及飞行器,安装座辅助发射装置上的脱落插头与转接电连接器的对准连接,安装座腔体结构与转接电连接器法兰配合,装填时安装座所受撞击力...
  • 本实用新型公开了一种电批接地装置,涉及电子制造装配技术领域,包括电批主体,所述电批主体的外部套接有外壳,所述外壳的一侧开设有缺口,所述缺口的表面设置有调节机构,所述调节机构包括限位孔,所述限位孔开设在缺口的表面,所述限位孔的内部两侧开设有滑...
  • 本发明公开了一种纳米碳化钽陶瓷粉末及其制备方法,属于先进陶瓷制备技术领域。该方法是将钽源在保护气氛下与正丁醇发生醇解反应,得到钽醇盐;然后将络合剂及碱金属卤化物加入钽醇盐中,混合得到前驱体凝胶;最后在所述前驱体凝胶制粉后进行热解反应、清洗除...
  • 本实用新型涉及塑料回收装置,具体是一种打印机塑料破碎回收处理装置, 包括机箱;机箱上安装有破碎模块与挤出模块;挤出模块的出料端上安装有挤出模具;机箱上转动安装引导轮;机箱上转动设有收卷线轮;机箱上设有变速结构,变速结构能带动收卷线轮转动,且...
  • 本发明涉及试剂调配装置技术领域,提供了一种试剂实验半自动加料装置,包括容器,所述容器上端连接有导液管,所述导液管中段安装有吸液加料组件;所述容器内设有接料组件,所述接料组件包括柱体和支撑杆,支撑杆的一端铰接于柱体的外圆面,且支撑杆设有多个环...
  • 本发明公开了一种自清洗加反冲洗过滤系统及其过滤方法。所述系统包括至少两组并联的过滤单元,以及并联连接各单元的进水管、出水管和排污管。每个过滤单元内设有旋转式清洗机构,传动轴与罐体盖部之间设多级密封结构。每个过滤单元通过一个三通阀连接进水管与...
  • 本实用新型公开了一种用于含硼废水处理的自洁式超滤装置,包括过滤箱;过滤箱的内腔自上而下依次设置有过滤网和超滤膜,过滤网和超滤膜的表面均固定安装有定位框;本实用新型通过锁紧组件的设置,可以将过滤网和超滤膜安装固定在过滤箱的内腔,废水首先会经过...
  • 本发明公开了一种废硫液粗过滤釜及其过滤方法,属于过滤设备技术领域。域,过滤釜上设有第一温度计、压力表、液位计、泄压阀、外接氮气源的氮气注入阀;过滤釜包括圆环形釜体及同轴嵌套于釜体内的滤筒,滤筒底部连接喇叭状底盖,底盖内壁与滤筒下端形成重力沉...
  • 本申请公开了一种分子层数可控的二维有机晶体图案化生长方法,包括在氧化硅基底表面制备光刻胶网格状图案,光刻胶网格状图案包括阵列排布的露出氧化硅基底表面的若干镂空部;对氧化硅基底进行表面亲水修饰;将C8‑BTBT和C10‑BTBT混合溶解至挥发...
  • 本发明公开了一种卸料仓用声频清堵设备及其使用方法,包括支撑机构,支撑机构的表面安装有调节机构,支撑机构的内部安装有卸料仓,卸料仓的一侧安装有放大机构,调节机构的表面安装有清堵机构。本发明通过调节机构与夹持机构的相互配合,使得放大机构与清堵机...
  • 本发明涉及污水处理技术领域,公开了一种肉制品加工用污水循环处理装置,其包括处理箱体、自清洁过滤机构、驱动电机、废料处理机构、废料收集与压实机构及传动机构;处理箱体内设弧形过滤筛,自清洁过滤机构通过滚动清洁架带动清洁刮板实时刮渣;单一驱动电机...
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