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最新专利技术
  • 一种多结太阳电池及其制备方法
    一种多结太阳电池及其制备方法_扬州乾照光电有限公司_202610193119.8
    本申请提供了一种多结太阳电池及其制备方法，涉及太阳电池技术领域，该多结太阳电池包括第一结子电池和至少一个第二结子电池，第一结子电池包括Ge衬底、形核层、复合功能缓冲层。复合功能缓冲层包括第一功能层和第二功能层，第一功能层为InGaAs层，第...
    2026-05-11
  • 一种低动态电阻高浪涌能力的双向瞬态电压抑制器
    一种低动态电阻高浪涌能力的双向瞬态电压抑制器_江苏应能微电子股份有限公司_202610461489.5
    本发明提供一种低动态电阻高浪涌能力的双向瞬态电压抑制器，包括：重掺杂第一导电类型半导体衬底；设置于衬底上的第一外延层；设置于所述第一外延层上的导通调制埋层；设置于所述导通调制埋层上的第二外延层；设置于所述第二外延层上的重掺杂第一导电类型区；...
    2026-05-11
  • ESD保护器件及其制备方法
    ESD保护器件及其制备方法_上海芯导电子科技股份有限公司_202512005172.9
    本发明提供了一种ESD保护器件以及ESD保护器件的制备方法，通过位于衬底内的两个静电保护结构，静电保护结构包括：沿第一方向依次分布的N型阱区、P型阱区及N型阱区，N型阱区内具有沿第一方向邻接的第一N型重掺杂区和第一P型重掺杂区，P型阱区内具...
    2026-05-11
  • 一种新型高维持电压SCR结构及其制造方法
    一种新型高维持电压SCR结构及其制造方法_杰平方半导体(上海)有限公司_202411530077.X
    本发明公开了一种新型高维持电压SCR结构及其制造方法，属于半导体集成电路技术领域，该新型高维持电压SCR结构，包括第一导电类型衬底；第一导电类型阱区，设置在第一导电类型衬底中，第一导电类型阱区的一侧边缘设置有第二导电类型阱区；沟槽，横跨第一...
    2026-05-11
  • 一种芯片表面热应力分布更均匀的半导体器件
    一种芯片表面热应力分布更均匀的半导体器件_赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司_202610456902.9
    本发明提供一种芯片表面热应力分布更均匀的半导体器件，包括第一导电类型的衬底，衬底上沿纵向设有多排单元，每排沿横向设有多个单元，单元为活性单元、虚拟单元或虚拟栅极单元；活性单元、虚拟单元、虚拟栅极单元在横向和纵向上以任意比例排列；通过调整不同...
    2026-05-11
  • 显示面板和显示装置
    显示面板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202411547060.5
    本申请公开了一种显示面板和显示装置，显示面板包括衬底基板、薄膜晶体管层和屏蔽层；衬底基板具有显示区和非显示区；薄膜晶体管层位于衬底基板上，用于在非显示区形成栅极驱动电路；栅极驱动电路包括多个移位寄存器，移位寄存器包括多个薄膜晶体管，多个薄膜...
    2026-05-11
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202610156982.6
    一种半导体结构及其制备方法，所述制备方法包括：提供基底，包括第一外延层，所述基底包括用于形成二极管的二极管区和用于形成晶体管的晶体管区，所述二极管包括第一体区，所述晶体管包括第二体区；形成第一光刻胶层覆盖所述第一外延层，所述第一光刻胶层的图...
    2026-05-11
  • 堆叠晶体管及其制备方法、器件和电子设备
    堆叠晶体管及其制备方法、器件和电子设备_北京大学_202610036082.8
    本申请提供一种堆叠晶体管及其制备方法、器件和电子设备，该方法包括：在衬底上形成有源结构；在衬底上形成伪栅堆叠结构；伪栅堆叠结构包括环绕第一有源结构的第一伪栅结构、栅隔离层和环绕第二有源结构的第二伪栅结构；形成第一晶体管的第一源漏外延和第二晶...
    2026-05-11
  • 半导体元件及其形成的方法
    半导体元件及其形成的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202610025999.8
    本揭露提供半导体元件及其形成方法。一种例示性方法包括：在基板上方形成超晶格结构。超晶格结构包含通过绝缘层与下部部分分隔开的上部部分。绝缘层包含结晶金属氧化物。图案化超晶格结构以形成自基板突出的鳍片。在鳍片的第一部分上方形成虚设栅极堆叠。使鳍...
    2026-05-11
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202512011905.X
    提供了半导体结构。半导体结构包括：第一源极/漏极部件，位于第一鳍元件上方；第二源极/漏极部件，位于第二鳍元件上方；以及第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件，横跨第一鳍元件和第二鳍元件。半导体结构还包括：介电层，覆盖第二源极/漏极部件和第一源极/漏...
    2026-05-11
  • 一种SMT工艺的制造方法
    一种SMT工艺的制造方法_重庆芯联微电子有限公司_202511925423.9
    本发明提供了一种SMT工艺的制造方法，包括以下步骤：S1.提供待进行SMT工艺的衬底，衬底包括PMOS区域和NMOS区域，PMOS区域和NMOS区域中均形成有栅极结构和侧墙，以及覆盖栅极结构和侧墙的第一氧化层；S2.在NMOS区域表面形成拉...
    2026-05-11
  • 例如基于氮化镓的单片集成电路的制造方法以及对应的集成电路
    例如基于氮化镓的单片集成电路的制造方法以及对应的集成电路_意法半导体国际公司_202511563252.X
    本公开涉及例如基于氮化镓的单片集成电路的制造方法以及对应的集成电路。提供了一种制造单片集成电路的方法。一种示例性方法包括：在沉积在硅基板上的至少一种宽带隙半导体材料内和其顶部上形成功能块，在功能块的顶部上形成相互分离的互连部分，分离功能块，...
    2026-05-11
  • 半导体元件堆叠结构
    半导体元件堆叠结构_力晶积成电子制造股份有限公司_202411651905.5
    本发明公开一种半导体元件堆叠结构，包括堆叠排列的多个第一半导体元件结构。每个第一半导体元件结构包括基底、多个半导体元件、重布线层、第一基底穿孔与多个第二基底穿孔。基底包括正面与背面。多个半导体元件位于基底的正面上。重布线层位于基底的背面上。...
    2026-05-11
  • 利用辅助基板的大功率SIC MOSFET SSC开关模块
    利用辅助基板的大功率SIC MOSFET SSC开关模块_北一半导体科技(广东)有限公司_202610103143.8
    本发明涉及利用辅助基板的大功率SIC MOSFET SSC功率开关模块，提供一种利用辅助基板的大功率SIC MOSFET SSC功率开关模块的结构，其增大了SSC功率开关模块传输大电流的图案，同时提供高效的散热特性，并通过应用与SSC基板绝...
    2026-05-11
  • 利用人工周期性势场调控能带结构的量子器件及制作方法
    利用人工周期性势场调控能带结构的量子器件及制作方法_上海科技大学_202411486048.8
    本发明公开了一种利用人工周期性势场调控能带结构的量子器件及制作方法，属于半导体技术和量子物理领域。所述量子器件包括：衬底；氧化层，设置在所述衬底上，且所述氧化层表面具有阵列分布的微结构；第一介电层，设置在所述氧化层上；量子材料层，设置在所述...
    2026-05-11
  • 改善金属栅工艺中高阻区可靠性的结构和方法
    改善金属栅工艺中高阻区可靠性的结构和方法_上海华力集成电路制造有限公司_202610121105.5
    本发明公开了一种改善金属栅工艺中高阻区可靠性的结构，高电阻形成于形成有金属栅的浅沟槽隔离的顶部。高电阻和邻近的伪有源区之间具有第一横向间距，第一横向间距用于调节伪有源区的图形密度并使浅沟槽隔离的高度和均匀性满足要求。层间膜具有第一厚度且第一...
    2026-05-11
  • 半导体元件及其形成方法
    半导体元件及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202610182300.9
    一半导体元件的形成方法包含 : 利用图案化光阻层对栅极堆叠进行图案化，其中栅极堆叠包含导电层、位于导电层上的金属层以及位于金属层上方的硬遮罩层；以及利用含氮气体去除图案化光阻层，其中在去除图案化光阻层的过程中，在栅极堆叠的金属层上形成衬垫。...
    2026-05-11
  • 减少LK膜层损耗的嵌入式外延层的形成方法
    减少LK膜层损耗的嵌入式外延层的形成方法_上海华力集成电路制造有限公司_202610139319.5
    本发明公开了一种减少LK膜层损耗的嵌入式外延层的形成方法，包括：步骤一、提供形成有侧面形成有LK膜层栅极结构的半导体衬底。步骤二、进行原子层沉积工艺形成由第一氮化硅层组成硬质掩膜层。原子层沉积工艺不采用等离子体和氢气并通过增加成膜温度来调节...
    2026-05-11
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_重庆芯联微电子有限公司_202512010556.X
    本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，应用于半导体技术领域。在本申请中，通过在氧化物层和高k介质层之间形成复合缓冲层，所述复合缓冲层为第一缓冲层和第二缓冲层交替生长形成的周期性结构，以在所述氧化物层和所述高k介质层之间形成化学键合优化，减...
    2026-05-11
  • 半导体层叠物、半导体层叠物的制造方法及氢化物气相生长装置
    半导体层叠物、半导体层叠物的制造方法及氢化物气相生长装置_住友化学株式会社_202511380617.5
    得到具有包括n型层和p型层的PN接合构造或包括i型层和p型层的PI接合构造的高品质的半导体层叠物、半导体层叠物的制造方法及氢化物气相生长装置。具备：衬底基板；PN接合构造或PI接合构造，PN接合构造具有衬底基板上的由包含n型杂质的III族氮...
    2026-05-11
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