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最新专利技术
  • 一种太阳能电池板生产工艺
    一种太阳能电池板生产工艺_张千缘_202311834179.6
    本发明涉及光伏发电领域，特别是一种太阳能电池板生产工艺，该生产工艺包括以下步骤：步骤一：将硅片制作成电池片；步骤二：将电池片放入拼接设备内，对电池片进行拼接；步骤三：将电池片串、玻璃、EVA和背板粘接在一起；步骤四：将太阳能电池板装框，并进...
    2026-05-01
  • 半导体装置及其形成方法
    半导体装置及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511800393.9
    画素传感器包括位于第一半导体晶粒上传输晶体管与第二半导体晶粒上源极随耦器栅极之间的晶体管。晶体管的排列可降低源极随耦器栅极的输入电容，这导致在多个半导体晶粒影像传感器装置的低光照条件下(例，高转换增益模式)增加转换增益。在耦合到传输晶体管的...
    2026-05-01
  • 传感器封装及其制造方法
    传感器封装及其制造方法_豪威科技股份有限公司_202511458478.3
    本发明提供一种传感器封装及其制造方法，传感器封装包括传感器管芯、覆盖传感器管芯的第二侧的绝缘层、盖体层、在盖体层和传感器管芯之间的介电挡坝、耦合到传感器管芯的电路衬底以及侧向地覆盖盖体层、介电挡坝和绝缘层的包封体。传感器管芯包括相对的第一和...
    2026-05-01
  • 影像感测器
    影像感测器_采钰科技股份有限公司_202411984004.8
    本公开提供一种影像感测器，包括对应第一波长波段的两个第一滤光片、对应第二波长波段的第二滤光片和对应第三波长波段的第三滤光片所排列成的滤光片阵列，以及滤光片阵列上方的多个纳米光柱。在平面图中，纳米光柱包括位于各个第一滤光片内的两个第一纳米光柱...
    2026-05-01
  • 背照式图像传感器及其形成方法
    背照式图像传感器及其形成方法_格科半导体(上海)有限公司_202411450827.2
    本发明公开了一种背照式图像传感器的形成方法，包括：提供衬底；所述衬底正面形成有像素区和逻辑区的器件；在所述衬底的背面形成深沟槽；通过低温外延生长工艺，在所述深沟槽表面形成掺杂外延层；所述外延生长的温度不超过550℃、压力不超过40Tor，以...
    2026-05-01
  • 图像感测装置
    图像感测装置_爱思开海力士有限公司_202510444633.X
    图像感测装置可以包括光电转换结构和设置在光电转换结构上方的光入射结构。光入射结构包括网格图案、多个滤色器和具有平坦的上表面的聚光层。聚光层包括形成在聚光层的至少一部分上以调节入射光的聚焦位置的调节部分。
    2026-05-01
  • 一种单片集成光接收机芯片结构及制备方法
    一种单片集成光接收机芯片结构及制备方法_苏州微光电子融合技术研究院有限公司_202512037138.X
    本发明涉及光谱芯片技术领域，具体涉及一种单片集成光接收机芯片结构及制备方法，结构整体被构造为上窄下宽的锥形结构，芯片结构包括衬底、叠层结构、源电极和漏电极，衬底包括顶层金属互连层，衬底被配置为CMOS读出电路衬底；叠层结构设置于顶层金属互连...
    2026-05-01
  • 一种图像传感器及其形成方法
    一种图像传感器及其形成方法_格科微电子(上海)有限公司_202512058827.9
    本发明公开了一种图像传感器及其形成方法。通过在硅衬底上形成氧化层并对其进行表面氮化处理，可提升氧化层界面稳定性并抑制载流子在界面处复合。同时，在深沟槽内沉积经硼掺杂的多晶硅，通过热处理使硼向沟槽侧壁扩散形成表面钉扎层，从而增强像素电荷存储能...
    2026-05-01
  • 用于图像传感器芯片拼接的窄拼缝、高平整度装片工艺
    用于图像传感器芯片拼接的窄拼缝、高平整度装片工艺_北京时代民芯科技有限公司_202512052549.6
    本发明一种用于图像传感器的多芯片拼接的窄拼缝、高平整度装片工艺方法，拼接芯片的焊盘统一设计到未拼接的侧边上，理论上可实现芯片间无拼缝的拼接。芯片装片后可通过侧边微调机构实现拼缝宽度、平行度的调节。为保证装片的平整度，采用带球形铰链的高平面度...
    2026-05-01
  • 一种应力调控的片上二维材料导质结多维度光电探测器
    一种应力调控的片上二维材料导质结多维度光电探测器_华中科技大学_202610046719.1
    本发明提供了一种应力调控的片上二维材料导质结多维度光电探测器。本发明的探测器，包括衬底、金属电极、二维材料范德华异质结、源极和漏极；二维材料范德华异质结由至少两种二维层状材料层堆叠形成，金属电极，用于对异质结施加应力以打破材料的面内对称性；...
    2026-05-01
  • 一种开放式BIC近场增强型红外光电探测器及制备方法
    一种开放式BIC近场增强型红外光电探测器及制备方法_国科大杭州高等研究院_202610088116.8
    本发明的一种开放式BIC近场增强型红外光电探测器及制备方法，包括，Si衬底，Si衬底上覆有Si3N4膜，Si3N4膜上覆盖有MoS2层，在MoS2层一端制备源极，另一端制备漏极；所述衬底为N型轻掺杂Si衬底；所述Si3N4膜厚度为300纳米...
    2026-05-01
  • 一种半导体基快响应自驱动紫外光电探测器及其制备方法
    一种半导体基快响应自驱动紫外光电探测器及其制备方法_湖北大学_202512010368.7
    本发明提供一种半导体基快响应自驱动紫外光电探测器及其制备方法，包括：衬底、设置于衬底上的半导体层、设置于半导体层上的第一电极层以及与半导体层同层设置于衬底上的第二电极层；其中，半导体层具有与第一电极层接触的等离子体化表面，等离子体化表面通过...
    2026-05-01
  • 雪崩光电二极管及其制作方法
    雪崩光电二极管及其制作方法_苏州晶歌半导体有限公司_202610353038.X
    本发明公开了一种雪崩光电二极管及其制作方法。所述雪崩光电二极管的衬底为半绝缘InP衬底，并且所述雪崩光电二极管的倍增层和电荷层为InAlAs/GaAsSb超晶格。本发明采用InAlAs/GaAsSb超晶格材料作为InP基雪崩光电二极管的倍增...
    2026-05-01
  • 一种集成金属纳米滤波结构的硅-狄拉克半金属异质结雪崩光电探测器及其制备方法
    一种集成金属纳米滤波结构的硅-狄拉克半金属异质结雪崩光电探测器及其制备方法_中国科学院重庆绿色智能技术研究院_202511756883.3
    本发明属于半导体与微纳光电子技术领域，具体公开一种集成金属纳米滤波结构的硅‑狄拉克半金属异质结雪崩光电探测器及其制备方法，该光电探测器从上至下依次为金属纳米结构层、狄拉克半金属‑硅异质结层、倍增层和衬底层。本发明制备的光电探测器通过硅‑狄拉...
    2026-05-01
  • 半导体光电子器件结构、制备方法及光电探测器
    半导体光电子器件结构、制备方法及光电探测器_清华大学_202511728768.5
    本申请涉及一种半导体光电子器件结构、制备方法及光电探测器，包括衬底；N型结构，设置于衬底的一侧；P型结构，设置于衬底上与N型结构相同的一侧；栅极结构，设置于衬底上与N型结构和P型结构相同的一侧；电极层，设置于栅极结构背离衬底的一侧。采用该半...
    2026-05-01
  • HgTe、Ag2Te胶体量子点异质结光电探测器及其制备方法
    HgTe、Ag2Te胶体量子点异质结光电探测器及其制备方法_昆明物理研究所_202511791520.3
    HgTe、Ag2Te胶体量子点异质结光电探测器及其制备方法，属于光电探测领域，器件自上而下依次采用ITO/Ag2Te/HgTe/ZnO/Au的多层结构，其中，Ag2Te胶体量子点薄膜作为p型空穴传输层，HgTe胶体量子点薄膜作为光吸收层，Z...
    2026-05-01
  • 基于胶体量子点的光电化学型双波段探测器件及制备方法
    基于胶体量子点的光电化学型双波段探测器件及制备方法_西南技术物理研究所_202511781976.1
    本发明公开了一种基于胶体量子点的光电化学型双波段探测器件及其制备方法，属于光电探测技术领域。其中，所述光电化学型器件采用PIN型光电阳极结构，由透明衬底基底、透明导电阳极、N型胶体量子点可见光吸收层、本征型胶体量子点可见光吸收层、P型胶体量...
    2026-05-01
  • 光电转换元件
    光电转换元件_微讯股份有限公司_202511489929.X
    光电转换元件包括：第一导电类型的半导体层；形成于该半导体层上且杂质浓度低于该半导体层的低浓度杂质半导体层；以及形成于低浓度杂质半导体层表面层的高浓度杂质半导体区域，该高浓度杂质半导体区形成于低浓度杂质半导体层的表面层上，其杂质浓度高于低浓度...
    2026-05-01
  • 一种Ⅲ族氮化物非对称紫外光电探测器及制备、测试方法
    一种Ⅲ族氮化物非对称紫外光电探测器及制备、测试方法_安徽大学_202610074350.5
    本发明属于半导体光电器件领域，具体涉及一种Ⅲ族氮化物紫外光电探测器及制备、测试方法。所述探测器具有一种非对称结构，其非对称性在于：阳极电极设置于p型氮化物层的侧壁/边缘暴露面处，并与其直接接触形成侧壁异质肖特基结界面。区别于阳极电极位于p型...
    2026-05-01
  • 一种异质结型宽带偏振敏感光电探测器及其制备方法
    一种异质结型宽带偏振敏感光电探测器及其制备方法_东北师范大学_202511850322.X
    本发明公开了一种异质结型宽带偏振敏感光电探测器及其制备方法，属于光电探测器技术领域。包括：衬底；设置在衬底上的二维窄带隙材料；部分设置在二维窄带隙材料上方且与二维窄带隙材料能带匹配的二维偏振敏感材料；设置在二维窄带隙材料和二维偏振敏感材料上...
    2026-05-01
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