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最新专利技术
  • 多沟道晶体管及其制备方法
    多沟道晶体管及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511868301.0
    本公开提供了一种多沟道晶体管及其制备方法，属于电力电子领域。该多沟道晶体管包括：外延层、绝缘层、栅电极、源电极和漏电极；所述外延层包括多个层叠的异质结，所述外延层的顶面具有至少贯穿一个所述异质结的凹槽；所述源电极和所述漏电极位于所述外延层上...
    2026-05-11
  • 肖特基和欧姆混合漏极增强型GaN高电子迁移率晶体管
    肖特基和欧姆混合漏极增强型GaN高电子迁移率晶体管_桂林电子科技大学_202610060145.3
    本发明涉及半导体技术领域，具体涉及肖特基和欧姆混合漏极增强型GaN高电子迁移率晶体管，金属源极、金属栅极、P‑GaN区、第一肖特基漏极、欧姆漏极、第二肖特基漏极、AlGaN势垒层、GaN沟道层、AlGaN缓冲层、AlN成核层和衬底层，第一肖...
    2026-05-11
  • 一种深源极刻蚀宽禁带晶体管及其制造方法
    一种深源极刻蚀宽禁带晶体管及其制造方法_西安电子科技大学_202610079416.X
    本发明属于半导体器件技术领域，针对现有的宽禁带晶体管容易发生单粒子烧毁的问题，本发明公开了一种深源极刻蚀宽禁带晶体管及其制备方法，该深源极刻蚀宽禁带晶体管包括基础组件，基础组件的上表面两端分别设置有源极和漏极，源极和漏极之间设置有栅极，源极...
    2026-05-11
  • 一种具有PIN结控制栅源桥的GaN HEMT器件及其制备方法
    一种具有PIN结控制栅源桥的GaN HEMT器件及其制备方法_电子科技大学_202610131065.2
    本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有PIN结控制栅源桥的GaN HEMT器件及其制备方法。本发明主要特征为，相比传统肖特基p‑GaN栅，PIN结栅降低栅极表面电场，抑制栅极泄漏电流，大大提升器件的栅极击穿电压。同时，引入PIN结控制栅...
    2026-05-11
  • 一种具有可调阈值电压结构的GaN HEMT器件
    一种具有可调阈值电压结构的GaN HEMT器件_电子科技大学_202610278420.9
    本发明属于半导体技术领域，涉及一种具有可调阈值电压结构的GaN HEMT器件。本发明中器件在栅极引入PNP三极管结构，其中N端引出电极作为阈值控制电极，最顶层的P端引出电极作为栅极。整个器件的栅极电压必须要超过阈值控制电极电压加上顶部PN结...
    2026-05-11
  • 一种铁电晶体管及其制备方法和应用
    一种铁电晶体管及其制备方法和应用_北京大学_202511866266.9
    本发明涉及半导体器件技术领域，提供一种铁电晶体管及其制备方法和应用，本铁电晶体管的制备方法如下：先在衬底上形成半导体层，经光刻工艺完成图形化与刻蚀后，将其在预设温度下热氧化，使半导体层原位转化为铁电层，形成二者异质结构；随后光刻曝光源漏极图...
    2026-05-11
  • 突触器件及其制备方法
    突触器件及其制备方法_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202610082615.6
    本发明公开了一种突触器件及其制备方法，所述突触器件包括：绝缘衬底；第一电极层，位于所述绝缘衬底上；二维铁电介质层，位于部分所述第一电极层上；二维半导体层，所述二维半导体层至少覆盖部分所述二维铁电介质层，且所述二维半导体层覆盖二维铁电介质层一...
    2026-05-11
  • MOSFET器件
    MOSFET器件_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202610167888.0
    本发明涉及晶体管技术领域，具体涉及一种MOSFET器件，其包括半导体衬底和栅极；所述半导体衬底包括有源区；所述栅极位于所述半导体衬底的一侧，所述栅极包括第一条状子栅、第二条状子栅和栅块，所述第一条状子栅的一端与所述第二条状子栅连接形成拐角，...
    2026-05-11
  • 一种基于氮化铝钪，氮化铝，氮化铝钪多层结构的铁电薄膜晶体管及其制备方法
    一种基于氮化铝钪，氮化铝，氮化铝钪多层结构的铁电薄膜晶体管及其制备方法_深圳市华芯邦科技有限公司_202610438707.3
    本发明公开一种基于氮化铝钪，氮化铝，氮化铝钪多层结构的铁电薄膜晶体管及其制备方法，涉及半导体器件与铁电存储器领域。该基于氮化铝钪，氮化铝，氮化铝钪多层结构的铁电薄膜晶体管，包括多层铁电栅堆栈结构和与所述多层铁电栅堆栈结构相配合的沟道层，所述...
    2026-05-11
  • 半导体晶体管及其制备方法、芯片和电子设备
    半导体晶体管及其制备方法、芯片和电子设备_北京智芯微电子科技有限公司_202511931319.0
    本申请提供了一种半导体晶体管及其制备方法、芯片和电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提升器件的耐压能力，降低击穿风险。该半导体晶体管包括衬底、漂移层、源极、漏极、第一场板和第二场板，漂移层设置于衬底上，漂移层包括远离衬底一侧的第一表面，以及设...
    2026-05-11
  • 一种抗辐射横向集成功率半导体器件
    一种抗辐射横向集成功率半导体器件_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202610184539.X
    本发明提供了一种抗辐射横向集成功率半导体器件，包括：P型衬底、N型外延区和第一N型掺杂区，第二N型掺杂区、第三N型掺杂区、第四N型掺杂区、第一P型掺杂区和第二P型掺杂区；第一介质层和第二介质层，所述第一介质层设于器件的有源区表面，所述第二介...
    2026-05-11
  • 屏蔽栅沟槽型晶体管、其制造方法及版图
    屏蔽栅沟槽型晶体管、其制造方法及版图_无锡华润华晶微电子有限公司_202411548406.3
    本发明提供了一种屏蔽栅沟槽型晶体管、其制造方法及版图，在第一沟槽中形成控制栅结构，在第二沟槽中形成屏蔽栅结构，第一沟槽围绕对应的第二沟槽，在半导体衬底的延伸方向上，第一沟槽呈正六边形并且第二沟槽位于第一沟槽的中心。即，形成了正六边形的控制栅...
    2026-05-11
  • 半导体器件及电子设备
    半导体器件及电子设备_深圳平湖实验室_202610121626.0
    本公开实施例提供一种半导体器件及电子设备，涉及功率半导体器件技术领域，用于抑制辐射效应对半导体器件的影响。该半导体器件包括衬底、第一、第二外延层、两个第一阱区、掺杂结构、屏蔽层、电流扩展层、两个栅极、两个介质层、源极层、漏极层。第一、第二外...
    2026-05-11
  • 用于多功能存储和逻辑计算的双栅二维晶体管
    用于多功能存储和逻辑计算的双栅二维晶体管_贵州大学_202610090519.6
    本发明涉及半导体技术领域，公开了用于多功能存储和逻辑计算的双栅二维晶体管，包括衬底、浮栅层、隧穿层、沟道层、顶栅绝缘层、底栅电极、顶栅电极、源电极和漏电极；所述衬底为N型单抛氧化硅片，所述浮栅层为石墨烯层，所述隧穿层为六方氮化硼层，所述沟道...
    2026-05-11
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_中芯国际集成电路制造(天津)有限公司_202411529065.5
    本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括基底；嵌设于基底中且一侧表面暴露于基底表面的基底隔离层；覆盖基底隔离层的暴露面的器件衬底层，包括叠层设置于基底表面的至少两层衬底子层；隔离阱区层，隔离阱区层位于衬底...
    2026-05-11
  • 半导体装置以及半导体装置的制造方法
    半导体装置以及半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202511487135.X
    本发明提高半导体装置的可靠性。半导体装置具备：第1导电型的半导体层，设置于活性区域和终端区域；和沟道截断部，设置于比终端区域的外侧端部靠内侧的位置，沟道截断部具备：第1沟道截断槽部，形成为从半导体层的上表面到达内部；第1导电型的第1杂质部，...
    2026-05-11
  • 超结功率器件及制备方法
    超结功率器件及制备方法_北京智芯微电子科技有限公司_202511901252.6
    本申请公开了一种超结功率器件及制备方法，属于半导体技术领域。超结功率器件包括：衬底；外延层；超结结构，包括沿第一方向交替分布的第一外延柱和第二外延柱，第一外延柱掺杂第一离子，第二外延柱掺杂第二离子，第一离子和第二离子的掺杂类型相反；第一外延...
    2026-05-11
  • 超级结半导体器件及其制造方法
    超级结半导体器件及其制造方法_无锡商甲半导体有限公司_202610163660.4
    本发明提供一种超级结半导体器件及其制造方法；超级结半导体器件包括第一导电类型衬底和第一导电类型外延层；在第一导电类型外延层中设有第一沟槽；在第一沟槽的内壁设有第二导电类型外延层；第一沟槽中设有第一介质层；各第一沟槽的顶部同一侧的部分第二导电...
    2026-05-11
  • 一种In2Se3纤锌矿铁电半导体材料及其制备方法
    一种In2Se3纤锌矿铁电半导体材料及其制备方法_华东师范大学_202610181300.7
    本发明公开了一种In2Se3纤锌矿铁电半导体材料及其制备方法，包括：以二维范德华层状In2Se3半导体为前驱体，采用电子束辐照、激光辐照或加热方式调控二维层状In2Se3到非层状6H型或3R型In2Se3的相变，进而通过电场调控获取具有纤锌...
    2026-05-11
  • 半导体层叠物、半导体层叠物的制造方法及氢化物气相生长装置
    半导体层叠物、半导体层叠物的制造方法及氢化物气相生长装置_住友化学株式会社_202511380617.5
    得到具有包括n型层和p型层的PN接合构造或包括i型层和p型层的PI接合构造的高品质的半导体层叠物、半导体层叠物的制造方法及氢化物气相生长装置。具备：衬底基板；PN接合构造或PI接合构造，PN接合构造具有衬底基板上的由包含n型杂质的III族氮...
    2026-05-11
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