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最新专利技术
  • 一种晶圆冷却装置
    一种晶圆冷却装置_上海集迦电子科技有限公司_202511835254.X
    本发明涉及晶圆冷却设备技术领域，主要涉及一种晶圆冷却装置，包括用于晶圆定位的吸附盘，吸附盘上安装有温度传感器，还包括固定于吸附盘下的承载框，承载框上固定有与吸附盘相贴合的冷却盘，冷却盘内开设有冷却螺道，冷却螺道的一端固定连通有进液管，另一端...
    2026-05-01
  • 基板支承装置的异常检测装置和异常检测方法
    基板支承装置的异常检测装置和异常检测方法_株式会社荏原制作所_202511513637.5
    提供一种能够检测基板支承装置所具有的支承部件的动作的异常的基板支承装置的异常检测装置和异常检测方法。基板支承装置(10)的异常检测装置(20)具备：构成为检测与多个支承部件(40)移动时产生的振动或声音相关的信息的传感器(80)；以及构成为...
    2026-05-01
  • 用于玻璃基板半导体封装的玻璃基板的加工面预先调整方法
    用于玻璃基板半导体封装的玻璃基板的加工面预先调整方法_爱玻索立克公司_202511505625.8
    本发明涉及一种用于玻璃基板半导体封装的玻璃基板的加工面预先调整方法，该方法通过将用于玻璃基板半导体封装的玻璃基板的加工面预先调整为与制造工艺相对应，从而显著缩短制造时间并提升制造效率。本发明的方法的特征在于，包括：从多个料组中选择任一个材料...
    2026-05-01
  • 瓶收容装置和瓶收容方法
    瓶收容装置和瓶收容方法_东京毅力科创株式会社_202511466090.8
    本发明提供瓶收容装置和瓶收容方法。在相对于供贮存处理液的瓶载置的瓶用载置部进行瓶的交接时，减轻作业者的负担。具备：瓶用载置部，其供贮存用于制造半导体装置的处理液的瓶载置；以及切换机构，其在瓶用载置部的周围的空间被封闭的第1状态与为了相对于瓶...
    2026-05-01
  • 排放单元和具有该排放单元的衬底处理装置
    排放单元和具有该排放单元的衬底处理装置_细美事有限公司_202511439490.X
    本申请提供排放单元和具有该排放单元的衬底处理装置。排放单元包括：壳体，配置为提供流入空间，在衬底处理工艺中产生的副产品被引入到所述流入空间中；副产品入口部分，包括至少一个入口端口，所述至少一个入口端口设置在所述壳体的敞开上表面中，并且具有部...
    2026-05-01
  • 基板处理装置、基板处理方法、半导体器件的制造方法及程序产品
    基板处理装置、基板处理方法、半导体器件的制造方法及程序产品_株式会社国际电气_202511114559.1
    本发明提供一种能够提高基板处理的生产率的技术。基板处理装置具有：处理室，其对基板进行处理；原料供给部，其向处理室供给原料，具有保存原料且能够更换的多个容器；判断部，其在基板的处理中确认当前使用中的容器内的原料的余量，并根据余量来判断是否需要...
    2026-05-01
  • 衬底处理方法、半导体器件的制造方法、程序制品及衬底处理装置
    衬底处理方法、半导体器件的制造方法、程序制品及衬底处理装置_株式会社国际电气_202511037105.9
    本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、程序制品及衬底处理装置。课题是提供在包括向衬底供给反应物的工序的成膜工序中能够提高成膜效率的技术。包括将包含(a)和(b)的循环进行规定次数从而在衬底上形成膜的工序，(a)为以第1分压对衬底供给...
    2026-05-01
  • 供液装置和基板处理设备
    供液装置和基板处理设备_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202411490004.2
    本申请涉及半导体设备领域，特别是供液装置和基板处理设备。供液装置包括：供液槽，用于容纳溶液；供气组件，包括第一供气部，其中，第一供气部用于向供液槽中的溶液中提供含氧的气体；控制器，与供气组件电连接，被配置为：控制第一供气部的进气时间以及第一...
    2026-05-01
  • 一种工序跳站方法及装置
    一种工序跳站方法及装置_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202411480851.0
    本申请提供一种工序跳站方法及装置，包括：根据预置标识符，获取晶圆的第一工序信息，其中，第一工序信息包括目标工序和执行目标工序的工艺参数；获取第一工序信息对应的第二工序信息，第二工序信息包括根据工艺参数对晶圆进行加工后生成的工序状态信息；根据...
    2026-05-01
  • 半导体工艺腔室及半导体工艺设备
    半导体工艺腔室及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411479897.0
    本申请实施例提供了一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，其中半导体工艺腔室包括：腔室本体、进气组件和承载装置；进气组件封盖腔室本体，以与腔室本体围成容置腔；承载装置包括座体、承载盘、驱动器和第一伸缩密封件；座体和承载盘均设置于容置腔内，承载盘...
    2026-05-01
  • 工艺腔室和半导体设备
    工艺腔室和半导体设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411472401.7
    本发明公开一种工艺腔室和半导体设备，所公开的工艺腔室包括腔室本体、设于腔室本体内的基座以及相对设置的两个第一衬板，其中：腔室本体具有沿第一方向相对设置的第一进气口和第一排气口，第一进气口和第一排气口分别分布于腔室本体的两侧；腔室本体内沿第一...
    2026-05-01
  • 基于流体压力的磷化铟晶圆衬底清洗控制方法
    基于流体压力的磷化铟晶圆衬底清洗控制方法_青岛华芯晶电科技有限公司_202610369878.5
    本发明公开了基于流体压力的磷化铟晶圆衬底清洗控制方法及系统，涉及半导体材料加工技术领域。该方法包括：获取不同晶向上的基准晶格响应速率、恢复速率与畸变可逆范围阈值；清洗过程中实时测量各区域的流体冲击压力和晶格应变值，生成实时晶格响应速率；间歇...
    2026-05-01
  • 一种衬底表面清洗方法和设备
    一种衬底表面清洗方法和设备_北京智创芯源科技有限公司_202610107022.0
    本申请涉及清洗领域，公开了一种衬底表面清洗方法和设备，方法包括当衬底固定在载台，控制所述载台转动；向清洗头的布液腔室中泵入清洗液，以使清洗液穿过所述清洗头的微孔膜在所述衬底与所述清洗头相对的表面形成层流，对所述衬底的表面进行清洗；所述微孔膜...
    2026-05-01
  • 晶圆清洗架及其设备
    晶圆清洗架及其设备_荣耀电子材料(重庆)有限公司_202411432481.3
    一种晶圆清洗架及其设备，涉及半导体制造技术领域。该晶圆清洗架包括清洗盒和提手；清洗盒设置有容纳方形晶圆的容纳腔；提手与清洗盒可拆装连接；清洗盒包括支撑板和支撑柱；支撑柱包括支撑底柱、第一支撑侧柱和第二支撑侧柱；支撑底柱设置在支撑板的底部，用...
    2026-05-01
  • 一种半导体芯片裂片机
    一种半导体芯片裂片机_江苏唐龙电子科技有限公司_202610108163.4
    本发明涉及裂片机技术领域，公开了一种半导体芯片裂片机，包括侧板，侧板之间固定连接有顶台，侧板之间滑动连接有收集箱，收集箱一侧连接有输送架，顶台上转动连接有支撑框，顶台上贯穿连接有升降杆，升降杆上端连接有连接盘，连接盘下端连接有弹簧一，弹簧一...
    2026-05-01
  • 半导体芯片、半导体晶片和制造半导体芯片的方法
    半导体芯片、半导体晶片和制造半导体芯片的方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202511504051.2
    半导体芯片、半导体晶片和制造半导体芯片的方法。在实施例中，提供了一种制造半导体芯片的方法。该方法包括：提供半导体晶片；在组件位置中形成有源器件结构，其中截口区位于邻近组件位置和组件位置之间中的至少一个；至少部分地在截口区中的一个或多个中形成...
    2026-05-01
  • 保护带剥离设备
    保护带剥离设备_三星电子株式会社_202511490990.6
    一种保护带剥离设备可以包括：支撑台，其被配置为支撑与相应保护带附接的晶片；辊保持器，其具有上夹送辊和下夹送辊，用于将从晶片剥离的保护带在上夹送辊与下夹送辊之间移动；附接部，其用于将位于上夹送辊与下夹送辊之间的保护带的一个端部附接到与支撑台上...
    2026-05-01
  • 一种激光辅助异质键合剥离方法、异质键合结构和光学元件
    一种激光辅助异质键合剥离方法、异质键合结构和光学元件_慕德微纳(杭州)科技有限公司_202610386171.5
    本发明涉及一种激光辅助异质键合剥离方法、异质键合结构和光学元件，方法，包括以下步骤，准备受体衬底和供体衬底，所述供体衬底具有相对的第一表面和第二表面；将所述受体衬底的待结合面与所述第二表面进行键合；自所述第一表面将激光聚焦于所述供体衬底内部...
    2026-05-01
  • 一种用于扇出型产品释放应力的工艺方法
    一种用于扇出型产品释放应力的工艺方法_江苏中科智芯集成科技有限公司_202610380213.4
    本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种用于扇出型产品释放应力的工艺方法, 包括：将晶圆背面朝下固定；在浸泡槽中注入药液并控制药液温度至设定值；控制晶圆与药液液面相对运动，以使药液浸没晶圆背面设定深度；持续监测晶圆背面腐蚀深度并判断腐蚀速率，...
    2026-05-01
  • 一种半导体结构及其制造方法
    一种半导体结构及其制造方法_中国科学院微电子研究所_202511841965.8
    本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体结构及其制造方法。解决现有含金属硬掩膜工艺中晶圆膜层金属沾污含量高，以及现有金属沾污去除方法效率低、均匀性差、难以与现有半导体制造流程高效集成等问题。一种半导体结构，所述半导体结构经由含金属硬...
    2026-05-01
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