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最新专利技术
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202411449278.7
    本发明提供了一种半导体器件的制造方法，在对半导体基底的背面执行减薄工艺和离子注入工艺之前，在所述半导体基底的正面贴附保护膜，从而可以保护所述半导体基底的正面，防止在对所述半导体基底的背面执行半导体工艺的过程中，伤害所述半导体基底的正面，减少...
    2026-05-01
  • 基板处理装置
    基板处理装置_株式会社斯库林集团_202610141110.2
    基板处理装置包括：刷，清洗由保持旋转部保持的基板；刷保持部，能够装卸地保持刷；臂，在前端部设置有刷保持部；刷回收部，从刷保持部回收刷；刷安装部，保管未使用的刷，将保管的未使用的刷安装于刷保持部；以及刷移动机构(升降机构及回转驱动部)，经由臂...
    2026-05-01
  • 一种用于非平面微结构表面的清洁装置及其清洁方法
    一种用于非平面微结构表面的清洁装置及其清洁方法_天津中科晶禾电子科技有限责任公司_202511952533.4
    本发明公开了一种用于非平面微结构表面的清洁装置及其清洁方法，涉及半导体制造技术领域。该用于非平面微结构表面的清洁装置，真空系统与真空腔体连通，用于在清洁过程中维持真空腔体内的负压环境。承载台设于真空腔体内，用于装载工件，并使工件的待清洁面暴...
    2026-05-01
  • 一种太阳能光伏电池板的硅片清洗装置及其使用方法
    一种太阳能光伏电池板的硅片清洗装置及其使用方法_张道高_202310490267.2
    本发明涉及清洗领域，本发明公开了一种太阳能光伏电池板的硅片清洗装置，通过设置除油机构，利用配置除油剂对硅板表面进行除油，筛板防止杂物以及结块后的除油粉进入溶解箱，同时搅拌机构解决了除油剂混合慢且在底部沉淀的问题，利用搅板和搅板上的搅轮对除油...
    2026-05-01
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_上海积塔半导体有限公司_202610063959.2
    本发明涉及一种半导体器件及其形成方法。所述半导体器件的形成方法包括如下步骤：形成基底，所述基底包括沿第一方向相对分布的第一主面和第二主面；形成顶层堆叠介质层于所述基底的所述第一主面的上方，形成包括所述基底和所述顶层堆叠介质层的半导体结构，所...
    2026-05-01
  • 一种基于激光隐切的金刚石剥离方法及装置
    一种基于激光隐切的金刚石剥离方法及装置_海目星激光科技集团股份有限公司_202511858180.1
    本发明涉及一种基于激光隐切的金刚石剥离方法及装置，所述基于激光隐切的金刚石剥离方法包括提供衬底，通过微波等离子体化学气相沉积法，在衬底上生长形成金刚石毛坯；提供多焦点激光束，从金刚石毛坯的生长面入射，将焦点聚焦于金刚石毛坯内部的预定深度，并...
    2026-05-01
  • 基板处理方法和基板处理装置
    基板处理方法和基板处理装置_东京毅力科创株式会社_202511349709.7
    本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，利用臭氧水高效地对基板进行处理。基板处理方法包括浸渍工序和加热工序。在浸渍工序中，使基板浸在臭氧水中。在加热工序中，在使基板浸在臭氧水中的状态下，向基板照射能够透过臭氧水的波长的光来将基板进行加热。
    2026-05-01
  • 一种SiC表面纳米级平坦化方法
    一种SiC表面纳米级平坦化方法_西安电子科技大学芜湖研究院_202511931946.4
    本发明公开了一种SiC表面纳米级平坦化方法，涉及半导体技术领域，包括：提供一SiC衬底，SiC衬底包括纳米级起伏的凹凸表面；采用热氧化工艺，在SiC衬底的表面生长SiO2牺牲层；对由SiC衬底和SiO2牺牲层组成的结构进行退火，并冷却；根据...
    2026-05-01
  • 半导体器件的工艺方法及其工艺设备
    半导体器件的工艺方法及其工艺设备_上海稷以科技有限公司_202610098637.1
    本发明公开了一种半导体器件的工艺方法及其工艺设备。该工艺方法包括以下步骤：获取具有原始薄膜的衬底；向工艺腔内通入第一气体；以及对所述第一气体进行高温等离子体处理，使其电离受激释放紫外光子，以经由所述紫外光子穿透所述原始薄膜表面，去除其内部的...
    2026-05-01
  • 一种氮化工艺方法和半导体工艺设备
    一种氮化工艺方法和半导体工艺设备_上海稷以科技有限公司_202610106482.1
    本发明公开了一种氮化工艺方法和半导体工艺及设备。该氮化工艺方法包括以下步骤：获取具有原始材料层的衬底；将所述衬底调节到与加热器相距第一距离的预热位，预热所述衬底；以及将所述衬底调节到与所述加热器相距第二距离的工艺位，对所述原始材料层进行所述...
    2026-05-01
  • 一种炉管式氮化钛沉积与刻蚀交替的处理方法
    一种炉管式氮化钛沉积与刻蚀交替的处理方法_上海稷以科技有限公司_202610098654.5
    本发明涉及半导体制造工艺领域，更具体地说，涉及一种炉管式氮化钛沉积与刻蚀交替的处理方法。本处理方法，包括：提供表面设有图案化深孔结构的半导体晶圆；在所述晶圆表面进行第一次氮化钛沉积，以形成具有预设部分厚度的氮化钛层；采用刻蚀气体对所述氮化钛...
    2026-05-01
  • 一种在SOI工艺衬底上形成金属层的方法
    一种在SOI工艺衬底上形成金属层的方法_成都新紫光半导体科技有限公司_202411448697.9
    本公开涉及一种在SOI工艺衬底上形成金属层的方法, 该方法通过在沉积金属层之前增加一道快速热退火工艺，一方面，在进行快速热退火工艺的过程中，SiOx cluster产生的Thermal donut趋于溶解，降低衬底由P型转为N型的衬底反型的...
    2026-05-01
  • 大面积构建亚5纳米金属间隙的方法及器件
    大面积构建亚5纳米金属间隙的方法及器件_中国科学院物理研究所_202511902826.1
    本发明提供大面积构建亚5纳米金属间隙的方法及器件，该方法利用图形化工艺形成不连续的第一金属层，通过原子级厚度精度的介质薄膜作为间隙模板，再结合套刻与斜向切断和选择性剥离工艺，构建与第一金属层互补的第二金属层，最终通过去除介质模板释放出高精度...
    2026-05-01
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411456676.1
    本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底，形成有介质层；形成露出含钴金属层的第一孔；在第一孔中选择性沉积形成第一钨层，第一钨层的顶面低于介质层的顶面；执行第一抛光处理，停止于介质层的表面；执行第二抛光处理，去除第一...
    2026-05-01
  • 一种高图形保真度微纳结构的制造方法
    一种高图形保真度微纳结构的制造方法_清华大学_202610030818.0
    本发明涉及一种高保真度微纳尺度图案的形成方法，所述图案通过溶液原料在基底表面吸附和干燥而形成，并且，在所述图案的形成过程中，在操作温度下，将环境湿度控制在30~70%RH；其中，所述溶液原料包含功能性组分、非离子型表面活性剂、溶剂以及任选的...
    2026-05-01
  • 基于碳化硅衬底Mn掺杂氧化镓的阻变存储器及其制备方法
    基于碳化硅衬底Mn掺杂氧化镓的阻变存储器及其制备方法_西安电子科技大学_202511986478.0
    本发明属于半导体技术领域，公开了一种基于碳化硅衬底Mn掺杂氧化镓的阻变存储器及其制备方法，解决了现有氧化镓阻变存储器存在的热管理困难、衬底散热能力不足、开关比有待提高以及制备工艺复杂等问题。所述阻变存储器包括：SiC衬底、Mn掺杂β‑Ga2...
    2026-05-01
  • 基于无铅双钙钛矿的低电压高稳定性忆阻器及其神经形态计算应用
    基于无铅双钙钛矿的低电压高稳定性忆阻器及其神经形态计算应用_凯里学院_202511941738.2
    本发明涉及钙钛矿薄膜技术领域，且公开了基于无铅双钙钛矿的低电压高稳定性忆阻器及其神经形态计算应用，包括依次堆叠的顶电极、薄膜和底电极，将粉末溶解于DMSO中，形成0.4M的前驱体溶液通过两步旋涂法沉积于FTO玻璃衬底上，并在设定温度下退火2...
    2026-05-01
  • 基于二维共价有机框架的可重构忆阻器及其制备方法与应用
    基于二维共价有机框架的可重构忆阻器及其制备方法与应用_深圳大学_202610355230.2
    本发明公开了一种基于二维共价有机框架的可重构忆阻器及其制备方法与应用，忆阻器包括顺次层叠设置的底电极、共价有机框架基活性膜层、顶电极，其中，共价有机框架基活性膜层由1, 3, 5‑三(4‑氨基苯基)苯与[1, 1' : 4', 1''‑三联...
    2026-05-01
  • 基于单层氮化铌纳米环的超导二极管器件及其控制方法
    基于单层氮化铌纳米环的超导二极管器件及其控制方法_南京大学_202610357253.7
    本发明公开一种基于单层氮化铌纳米环的超导二极管器件及其控制方法，属于超导电子学技术领域，超导二极管器件包括绝缘衬底和氮化铌层，氮化铌层包括第一工作线、第二工作线以及中间环，第一工作线包括第一线段、第二线段以及第一中间部，第二工作线包括第三线...
    2026-05-01
  • 一种高温超导二极管器件结构的制备工艺
    一种高温超导二极管器件结构的制备工艺_安徽师范大学_202610090064.8
    本发明公开了一种高温超导二极管器件结构的制备工艺，具体涉及超导电子器件与微纳加工技术领域，包括：在衬底上制备片上磁场发生单元，并在其上方形成绝缘隔离层；将高温超导材料薄片转移并固定于绝缘隔离层表面，在薄片表面形成金属电极层并构建微桥非对称结...
    2026-05-01
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