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最新专利技术
  • 一种烧结模具
    一种烧结模具_诚联恺达(河北)科技股份有限公司_202511776005.8
    本发明属于芯片封装技术领域，涉及一种烧结模具。本发明提供的烧结模具包括传动组件、上模组件和下模组件；待焊接件放置在下模组件的承载面；自传动组件至上模组件，烧结压力的传导面面积以逐级递减的规律传递，通过上模组件向待焊接件施加烧结压力；烧结压力...
    2026-05-01
  • 复合基底及其形成方法和形成倒装芯片封装件的方法
    复合基底及其形成方法和形成倒装芯片封装件的方法_三星半导体(中国)研究开发有限公司_202610078524.5
    公开了复合基底及其形成方法和形成倒装芯片封装件的方法。所述复合基底包括：基底层；变形层，在基底层下方；以及粘结层，在基底层与变形层之间，其中，变形层包括具有不同的热膨胀系数的多种材料，使得在回流工艺的不同温度下，所述复合基底产生与将以倒装芯...
    2026-05-01
  • 功率半导体结构及其制备方法、电子设备
    功率半导体结构及其制备方法、电子设备_甬江实验室_202511874978.5
    本申请公开了一种功率半导体结构及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域。其中，功率半导体结构包括电路板、功率芯片和平面电容器。电路板包括层叠设置的多层导电层。功率芯片嵌设在电路板中。平面电容器嵌设在电路板中，且与多层导电层层叠设置；平面电...
    2026-05-01
  • 封装基板、条状基板、拼接基板以及对应的制备方法
    封装基板、条状基板、拼接基板以及对应的制备方法_浙江创豪半导体有限公司_202610336933.0
    本公开提供一种封装基板、条状基板、拼接基板以及对应的制备方法。所述封装基板，包括：第一电路区域和围绕所述第一电路区域的第一周边区域；所述第一电路区域包括：层叠设置的第一阻焊层、第一线路层、第一介电绝缘层、第二线路层、第二介电绝缘层、第三线路...
    2026-05-01
  • 扇出型晶圆级封装单元
    扇出型晶圆级封装单元_华东科技股份有限公司_202411418510.0
    本发明公开一种扇出型晶圆级封装单元，包括一载板、一第一介电层、多条第一导接线路、至少一第一裸晶(Die)、一第二介电层、至少一导电柱、多条第二导接线路、一第三介电层、多条第三导接线路及至少一第二裸晶；其中各第一裸晶及各第二裸晶能经由各第一裸...
    2026-05-01
  • 扇出型晶圆级封装单元
    扇出型晶圆级封装单元_华东科技股份有限公司_202411414497.1
    本发明公开一种扇出型晶圆级封装单元，包括载板、至少一芯片、介电层、至少一导接线路及外护层；其中各芯片具有裸晶、多条芯片导接线路、芯片介电层、多个芯片焊垫、芯片第一面及芯片第二面，各裸晶是能由各芯片焊垫对外电性连接；其中各导接线路是先在该介电...
    2026-05-01
  • 电子封装模组及其制造方法
    电子封装模组及其制造方法_环旭电子股份有限公司_202610070312.2
    电子封装模组及其制造方法被公开。电子封装模组包括线路基板、电子元件、导电柱及密封层。电子元件及导电柱固设于线路基板上，且导电柱包括圆柱部及锥状部。锥状部具有连接圆柱部的锥底、远离圆柱部的锥顶及位于锥底与锥顶之间的锥壁，圆柱部位于线路基板与锥...
    2026-05-01
  • 先进集成载板的封装结构及其形成方法
    先进集成载板的封装结构及其形成方法_上海先封科技有限公司_202512016737.3
    一种先进集成载板的封装结构及其形成方法，其中结构包括：基底，包括若干堆叠排布的子基板，所述子基板内具有若干导电插塞；位于基底上的第一重布线层和第二重布线层；与第一重布线层键合连接的芯片结构，子基板的热膨胀系数与芯片结构的热膨胀系数相匹配。子...
    2026-05-01
  • 先进集成载板的封装结构及其形成方法
    先进集成载板的封装结构及其形成方法_上海先封科技有限公司_202512016414.4
    一种先进集成载板的封装结构及其形成方法，其中结构包括：基底，基底内具有若干导电插塞；位于基底上的第一重布线层和第二重布线层；与第一重布线层键合连接的芯片结构，基底的热膨胀系数与芯片结构的热膨胀系数相匹配。基底与芯片结构的热膨胀系数相匹配，有...
    2026-05-01
  • 先进集成载板的封装结构及其形成方法
    先进集成载板的封装结构及其形成方法_上海先封科技有限公司_202512016104.2
    一种先进集成载板的封装结构及其形成方法，其中结构包括：基底，包括若干子基板，子基板内具有若干导电插塞；位于基底上的第一重布线层和第二重布线层；与第一重布线层键合连接的芯片结构，子基板的热膨胀系数与芯片结构的热膨胀系数相匹配。子基板与芯片结构...
    2026-05-01
  • 半导体电路及半导体模块
    半导体电路及半导体模块_富士电机株式会社_202511351021.2
    本发明提供一种半导体电路及半导体模块。优选减薄半导体模块的厚度。半导体电路具备设置于主基板的正面的多个第一器件及多个第二器件，各个所述第一器件和所述第二器件在上表面配置有包括第一主电极和第二主电极的多个电极，并且所述第一主电极和所述第二主电...
    2026-05-01
  • 半导体封装器件及其形成方法
    半导体封装器件及其形成方法_长电科技(江阴)有限公司_202610051130.0
    本发明涉及一种半导体封装器件及其形成方法。所述半导体封装器件包括：封装基板，包括沿第一方向相对分布的第一主面和第二主面；顶部电连接结构，位于封装基板的第一主面上，顶部电连接结构至少包括沿第二方向间隔排布的多个顶部焊盘，顶部焊盘与封装基板电连...
    2026-05-01
  • 功率模块及功率模组
    功率模块及功率模组_杭州士兰微电子股份有限公司_202512061691.7
    本申请公开了功率模块及功率模组，功率模块包括：第一半桥功率单元和第二半桥功率单元，第一半桥功率单元和第二半桥功率单元合封在同一功率模块中；功率模块包括：基板；布线层，布线层位于基板上；第一半桥功率单元包括：第一上桥功率单元和第一下桥功率单元...
    2026-05-01
  • 引线框架及半导体封装结构
    引线框架及半导体封装结构_深圳市创芯微微电子有限公司_202511859055.2
    本发明公开了一种引线框架及半导体封装结构，包括框架主体和多个外部引脚；第一基岛与第二基岛间隔设置于中央承载区的相对两侧；多个外部引脚中的第一引脚包括一内延段，内延段从第一引脚的本体向框架主体方向延伸，并在内延段末端分叉形成至少两个分支；内延...
    2026-05-01
  • 一种多层金属线路晶圆级扇出型封装结构的封装工艺
    一种多层金属线路晶圆级扇出型封装结构的封装工艺_合肥沛顿存储科技有限公司_202610353075.0
    本发明属于芯片封装技术领域，具体涉及一种多层金属线路晶圆级扇出型封装结构的封装工艺。在晶圆表面涂覆PI涂层，曝光显影，对准裸露的金属层的位置开出第一窗口，剩余PI涂层固化形成PI1层；在PI1层表面和第一窗口内壁沉积种子层，在种子层上涂覆第...
    2026-05-01
  • 一种扇出型晶圆级封装结构的制作方法
    一种扇出型晶圆级封装结构的制作方法_北京紫亦芯集成电路有限公司_202610063706.5
    本发明公开了一种扇出型晶圆级封装结构的制作方法，步骤如下：1.提供涂覆有光敏胶或热解胶的临时载体，其上制备第一RDL分布层；2.在该层电镀铜层上形成第一镍层；3.铜柱经焊料固定于第一镍层，回流后形成Cu6Sn5第一IMC层与Ni3Sn4第二...
    2026-05-01
  • 玻璃芯基板的制作方法
    玻璃芯基板的制作方法_江苏长电科技股份有限公司_202511864514.6
    本发明提供一种玻璃芯基板的制作方法，先制作玻璃芯材料板，在玻璃芯材料板的切割道区域，在玻璃芯层上表面以及上增层结构之间设置上临时键合层，使得上增层结构不与玻璃芯层接触，在玻璃芯层下表面以及下增层结构之间设置下临时键合层，使得下增层结构不与玻...
    2026-05-01
  • 一种功率模块用DBC基板的表面处理方法
    一种功率模块用DBC基板的表面处理方法_上海林众电子科技有限公司_202610352957.5
    本发明提供一种功率模块用DBC基板的表面处理方法，包括以下步骤：S1、对表面存在氧化层的DBC基板清洁处理；S2、于氧化层的表面均匀涂覆助焊剂；S3、置于真空环境，先在第一温度下活化处理，升至第二温度进行第一阶段还原反应，再升至第三温度进行...
    2026-05-01
  • 一种光引擎模块的3D封装结构制作方法与CPO模组
    一种光引擎模块的3D封装结构制作方法与CPO模组_苏州奇点光子智能科技有限公司_202610347135.8
    本申请提供了一种光引擎模块的3D封装结构制作方法与CPO模组，涉及半导体封装技术领域。首先提供一光芯片晶圆，接着基于光芯片晶圆表面贴装电芯片与光口保护件，再基于光芯片晶圆的上方进行塑封，且塑封料包裹电芯片与光口保护件，然后对塑封料进行减薄，...
    2026-05-01
  • 一种IC载板中超薄Core层的制作方法
    一种IC载板中超薄Core层的制作方法_淄博芯材集成电路有限责任公司_202610077698.X
    本申请提供一种IC载板中超薄Core层的制作方法，属于芯片制造技术领域。该方法首先准备两张厚度≤0.04mm、覆有3μm铜箔的超薄双面覆铜板。随后，通过真空贴膜工艺将其分别贴合于柔性双面承载膜两侧，形成机械强度满足产线搬送要求的增厚复合板。...
    2026-05-01
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