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最新专利技术
  • 掩模图案的生成方法及装置、半导体结构及其制备方法
    掩模图案的生成方法及装置、半导体结构及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610345242.7
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种掩模图案的生成方法及装置、半导体结构及其制备方法，掩模图案的生成方法包括：识别原始掩模图案中是否存在弯曲区域；如果原始掩模图案中存在弯曲区域，则对原始掩模图案中的弯曲区域进行标记，以得到第一掩模图案；对第...
    2026-04-30
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202610090903.6
    一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：形成衬底；在所述衬底内形成浅槽隔离结构和有源区，所述有源区与所述浅槽隔离结构相邻接；对所述浅槽隔离结构进行刻蚀，露出靠近浅槽隔离结构的有源区的部分顶部和侧壁；对露出的有源区进行圆角化处理，以使...
    2026-04-30
  • 深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件
    深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件_芯联集成电路制造股份有限公司_202610075516.5
    本申请实施例涉及一种深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件，包括：在半导体结构内形成深沟槽；其中，半导体结构内形成有待引出部，深沟槽从半导体结构的顶表面向待引出部延伸，以使待引出部位于深沟槽的底部；对半导体结构进行离子掺杂，以至少在深沟槽的...
    2026-04-30
  • 基于高温氧化消除碳化硅小型堆垛层错的方法
    基于高温氧化消除碳化硅小型堆垛层错的方法_山东大学_202610352119.8
    本发明属于第三代半导体材料缺陷控制技术领域。提出了一种基于高温氧化消除碳化硅小型堆垛层错的方法，采用光致发光方式扫描表征碳化硅衬底，精准识别并定位目标小型堆垛层错；随后对衬底进行清洗去除表面杂质，并在干燥氧气氛围下进行高温氧化处理，受控生长...
    2026-04-30
  • 一种用于半导体外延应力调控的硅基衬底结构及其制备方法
    一种用于半导体外延应力调控的硅基衬底结构及其制备方法_北京大学_202610093655.0
    本发明公开了一种用于半导体外延应力调控的硅基衬底结构及其制备方法，属于半导体材料技术领域。首先采用硅自离子或惰性重离子在硅体内预制空位梯度，再进行较低剂量的氦离子注入，使氦原子在已形成的空位梯度中选择性成核并经统一退火长大，获得随深度连续变...
    2026-04-30
  • 一种晶圆及其加工方法
    一种晶圆及其加工方法_中国科学院微电子研究所_202511870535.9
    本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种晶圆及其加工方法。解决三维集成电路制造中，难以在晶圆级大尺寸范围实现高精度整体平坦化的问题。一种晶圆，在整片晶圆范围内，所述晶圆的至少一个功能层经平坦化处理后，全局平整度PV值≤10nm，且表面粗糙...
    2026-04-30
  • 半导体互补图形化工艺的实现方法
    半导体互补图形化工艺的实现方法_格科半导体(上海)有限公司_202411435584.5
    本发明公开了一种半导体互补图形化工艺的实现方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成图形化的第一掩膜层；通过填充材料填充所述图形化的第一掩膜层的沟槽；移除所述图形化的第一掩膜层后，形成与所述图形化的第一掩膜层互补的图形化的第二掩膜层。
    2026-04-30
  • WAT探针台管控系统、方法、设备及存储介质
    WAT探针台管控系统、方法、设备及存储介质_上海喆塔信息科技有限公司_202610345400.9
    本发明属于半导体测试技术领域，公开了WAT探针台管控系统、方法、设备及存储介质。该方法通过全流程元数据采集与统一关联，实现了多源异构数据的高效整合与追溯；引入智能可信度判别机制，优先识别测试系统异常风险，避免误将测量问题归因为工艺缺陷；基于...
    2026-04-30
  • 一种测试SIC MOS沟道宽度及套刻偏移的测试方法及系统
    一种测试SIC MOS沟道宽度及套刻偏移的测试方法及系统_北京昕致科技有限责任公司_202610045175.7
    本发明涉及半导体加工技术领域，尤其是一种测试SIC MOS沟道宽度及套刻偏移的测试方法及系统，包括以下步骤：提供一测试结构，所述测试结构集成于一半导体晶圆上，所述测试结构包括：一参考MOS管，一第一测试MOS管，其栅极的一侧边缘与所述预定沟...
    2026-04-30
  • 一种用于芯片加工制造用测试设备
    一种用于芯片加工制造用测试设备_东莞市振鸿机械科技有限公司_202610001460.9
    本发明涉及芯片加工技术领域，公开了一种用于芯片加工制造用测试设备，包括底座，所述底座上固定安装有第一支撑板，第一支撑板两侧设置有第二支撑板，第二支撑板上设置有垫板，所述底座上固定安装有带动垫板升降的第一电动伸缩杆；所述底座上固定安装有第二支...
    2026-04-30
  • 半导体结构的光学检查方法及缺陷检测方法
    半导体结构的光学检查方法及缺陷检测方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511858794.X
    本申请的实施例公开了半导体结构的光学检查方法及缺陷检测方法。方法实施例包括生成半导体结构中的先前层的第一图像，生成半导体结构中检查层的第二图像，使用深度学习模型变换第一图像以生成噪声消除图像，以及基于噪声消除图像从第二图像中去除图像噪声。
    2026-04-30
  • 区分PV型与PI型硅片的方法
    区分PV型与PI型硅片的方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202511816355.2
    本发明涉及一种区分PV型与PI型硅片的方法，所属半导体材料检测技术领域，包括如下操作步骤：第一步：硅片样本选取，硅片样本来源于硅单晶锭的COP即未空位型至LDL即自间隙原子型的过渡区域，且初步判定为完美单晶为PV类型或PI类型。第二步：对硅...
    2026-04-30
  • 硅片线痕检测方法、装置、存储介质及电子设备
    硅片线痕检测方法、装置、存储介质及电子设备_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511767321.9
    本发明提供了一种硅片线痕检测方法、装置、存储介质及电子设备，该硅片线痕检测方法包括获取待测硅片的纳米形貌数据，所述纳米形貌数据包括所述待测硅片上多个测量站点中每个测量站点对应的局部形貌参数值；根据所述局部形貌参数值，确定所述待测硅片的表面的...
    2026-04-30
  • 功函数金属边界偏移测试结构及测试方法
    功函数金属边界偏移测试结构及测试方法_广立微(上海)技术有限公司_202511992661.1
    本申请提供了一种功函数金属边界偏移测试结构和测试方法，该功函数金属边界偏移测试结构包括：N组测试单元，每组测试单元包括：至少一个MOS结构组，每个MOS结构组包括一个第一MOS结构和与第一MOS结构不同的两个第二MOS结构，两个第二MOS结...
    2026-04-30
  • 测试结构及测试结构的制备方法
    测试结构及测试结构的制备方法_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202511755105.2
    本申请公开了一种测试结构及测试结构的制备方法，属于半导体技术领域。测试结构包括：外延层，外延层的一侧设置有沟槽，沟槽具有侧壁和底部；氧化层，覆盖沟槽的侧壁和底部，氧化层在沟槽底部的第一厚度大于氧化层在沟槽侧壁的第二厚度，以使沟槽底部的单位面...
    2026-04-30
  • 片上应力确定和补偿
    片上应力确定和补偿_德州仪器公司_202511385139.7
    本公开涉及片上应力确定和补偿。在一些示例中，一种电路包含设置在衬底的第一区域(202)中的第一电组件(204)。所述电路还包含第一测量电路(206)，所述第一测量电路设置在所述第一区域中，接近所述第一电组件。所述电路还包含第二电组件(210...
    2026-04-30
  • 应用于晶圆探针台的边缘吸附夹持结构
    应用于晶圆探针台的边缘吸附夹持结构_立川(无锡)半导体设备有限公司_202610347197.9
    本发明公开有应用于晶圆探针台的边缘吸附夹持结构，涉及晶圆加工技术领域，是以吸附平台为关键结构，吸附平台中心开设螺型气槽、环形区域开设分配气槽，螺型气槽设有呈交错分布的贯通气槽与半通气槽，定装平台配备伺服电机和负压吸附系统，负压吸附系统包含第...
    2026-04-30
  • 一种晶圆真空吸附机械手
    一种晶圆真空吸附机械手_北京京仪自动化装备技术股份有限公司_202610066231.5
    本申请涉及一种晶圆真空吸附机械手，安装在机械臂上，包括：层叠布设的多个机械手指，以及设置在所述机械手指之间的手腕支架；所述机械手指包括手指板片，所述手指板片内部设置有吸附气道，所述手腕支架上设置有与所述吸附气道相通的吸附孔道；所述机械手指相...
    2026-04-30
  • 一种可对多部位同时吸附的半导体晶圆吸盘
    一种可对多部位同时吸附的半导体晶圆吸盘_苏州亿嘉新材料科技有限公司_202610052293.0
    本发明涉及晶圆吸盘技术领域，具体为一种可对多部位同时吸附的半导体晶圆吸盘，包括、吸附座、底座、第一复位弹簧、第一连接板、滑动板、夹持板、第二连接板、套筒以及吸附头。本发明的一种可对多部位同时吸附的半导体晶圆吸盘，通过夹持板夹紧晶圆并受到反作...
    2026-04-30
  • 一种提升硅片良率的多位置快速吸附机构及操作方法
    一种提升硅片良率的多位置快速吸附机构及操作方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202512046368.2
    本发明公开了一种提升硅片良率的多位置快速吸附机构及操作方法，涉及半导体芯片制造技术领域，包括真空泵以及多个用于吸附同一硅片的吸盘，包括气路缓冲分流机构和支管动态调压机构。本发明通过设置气路缓冲分流机构和支管动态调压机构，气路缓冲分流机构利用...
    2026-04-30
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