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  • 本申请的实施例公开了半导体结构的光学检查方法及缺陷检测方法。方法实施例包括生成半导体结构中的先前层的第一图像,生成半导体结构中检查层的第二图像,使用深度学习模型变换第一图像以生成噪声消除图像,以及基于噪声消除图像从第二图像中去除图像噪声。
  • 本发明涉及一种区分PV型与PI型硅片的方法,所属半导体材料检测技术领域,包括如下操作步骤:第一步:硅片样本选取,硅片样本来源于硅单晶锭的COP即未空位型至LDL即自间隙原子型的过渡区域,且初步判定为完美单晶为PV类型或PI类型。第二步:对硅...
  • 本发明提供了一种硅片线痕检测方法、装置、存储介质及电子设备,该硅片线痕检测方法包括获取待测硅片的纳米形貌数据,所述纳米形貌数据包括所述待测硅片上多个测量站点中每个测量站点对应的局部形貌参数值;根据所述局部形貌参数值,确定所述待测硅片的表面的...
  • 本申请提供了一种功函数金属边界偏移测试结构和测试方法,该功函数金属边界偏移测试结构包括:N组测试单元,每组测试单元包括:至少一个MOS结构组,每个MOS结构组包括一个第一MOS结构和与第一MOS结构不同的两个第二MOS结构,两个第二MOS结...
  • 本申请公开了一种测试结构及测试结构的制备方法,属于半导体技术领域。测试结构包括:外延层,外延层的一侧设置有沟槽,沟槽具有侧壁和底部;氧化层,覆盖沟槽的侧壁和底部,氧化层在沟槽底部的第一厚度大于氧化层在沟槽侧壁的第二厚度,以使沟槽底部的单位面...
  • 本公开涉及片上应力确定和补偿。在一些示例中,一种电路包含设置在衬底的第一区域(202)中的第一电组件(204)。所述电路还包含第一测量电路(206),所述第一测量电路设置在所述第一区域中,接近所述第一电组件。所述电路还包含第二电组件(210...
  • 本发明公开有应用于晶圆探针台的边缘吸附夹持结构,涉及晶圆加工技术领域,是以吸附平台为关键结构,吸附平台中心开设螺型气槽、环形区域开设分配气槽,螺型气槽设有呈交错分布的贯通气槽与半通气槽,定装平台配备伺服电机和负压吸附系统,负压吸附系统包含第...
  • 本申请涉及一种晶圆真空吸附机械手,安装在机械臂上,包括:层叠布设的多个机械手指,以及设置在所述机械手指之间的手腕支架;所述机械手指包括手指板片,所述手指板片内部设置有吸附气道,所述手腕支架上设置有与所述吸附气道相通的吸附孔道;所述机械手指相...
  • 本发明涉及晶圆吸盘技术领域,具体为一种可对多部位同时吸附的半导体晶圆吸盘,包括、吸附座、底座、第一复位弹簧、第一连接板、滑动板、夹持板、第二连接板、套筒以及吸附头。本发明的一种可对多部位同时吸附的半导体晶圆吸盘,通过夹持板夹紧晶圆并受到反作...
  • 本发明公开了一种提升硅片良率的多位置快速吸附机构及操作方法,涉及半导体芯片制造技术领域,包括真空泵以及多个用于吸附同一硅片的吸盘,包括气路缓冲分流机构和支管动态调压机构。本发明通过设置气路缓冲分流机构和支管动态调压机构,气路缓冲分流机构利用...
  • 本文中提供了一种解吸附控制方法、解吸附控制系统以及传送方法。解吸附控制方法可以包括:提供通过粘合吸盘彼此耦接的基底和载具;通过包括压力传感器的解吸附针推动基底且通过压力传感器获取与通过解吸附针推动基底相关联的压力数据;以及基于压力数据控制解...
  • 提供能够减少与基板接触的接点并且能够将基板以刚性高的状态进行支承的基板移载用机械手。基板移载用机械手包括纵向机械手支承部(20a)和多个横向机械手支承部(31a、32a),多个横向机械手支承部包括多个第一横向机械手支承部(31a)和多个第二...
  • 本发明提出了一种便捷可微调顶针装置及顶针微调方法,该装置包括:升降底座,其位于屏蔽罩内,屏蔽罩与工艺腔体的下底面连接;及若干个传动机构,均用于驱动对应的顶针沿竖直方向升降;传动机构,其输入端转动设置于屏蔽罩,其输出端与对应的顶针连接,其输出...
  • 本申请公开了一种晶圆处理装置,属于半导体设备技术领域。晶圆处理装置包括壳体、设置于壳体内的基座及旋转组件,旋转组件包括旋转件、固持件及旋转轴承,旋转件部分穿设于壳体内并与基座连接,固持件套设于旋转件外,并与壳体固定连接,固持件与旋转件转动配...
  • 本发明公开了一种静电卡盘,属于半导体设备技术领域,包括静电卡盘本体,所述静电卡盘本体中设有若干个通气孔,任意一个所述通气孔包括扩散通道,所述扩散通道包括依次设置的入口段、扩散段、缓冲段和出口段,所述入口段直径D1为200~800微米,所述扩...
  • 本发明公开了一种用于视觉定位系统中的经验补偿方法,该经验补偿方法为:对同一工件上的贴装元件进行贴合作业中,连续记录N组偏差数据,对N组偏差数据进行统计分析,并根据统计分析结果创建对应的补偿量或补偿函数;后续对N+1个贴装元件进行贴合作业时,...
  • 本发明提供了一种基于四探针双测法与单点法协同测试的校准系统及方法,包括:单测和双测模块,用于利用单测法和双测法分别测量晶圆边缘同一待测点位得到原始单测值和双测值;计算模块,用于根据原始单测值得到修正后的单测值;判断模块,用于判断修正后的单测...
  • 本发明公开了一种多晶圆传送装置和传送方法,多晶圆传送装置包括:机械手,所述机械手用于将晶圆传送至第一部件上;第一光学对准装置,所述第一光学对准装置可发射第一光线至所述第一部件,并接收所述第一部件反射的第二光线;处理器,所述处理器根据所述第二...
  • 本申请提供了一种基于FCVD设备的多腔室晶圆转移控制方法、系统及电子设备。该控制方法包括:获得目标晶圆的膜态表征值;所述膜态表征值表征所述目标晶圆的前驱体膜层自沉积完成后随时间持续演化所处的状态;所述目标晶圆为完成前段沉积后处于等待转移状态...
  • 本发明公开了一种上下料装置,包括上料平台,所述上料平台通过升降机构可升降的设置在平台安装架上,多个抓取单元,每个所述抓取单元均通过一可调节的抓取安装座与上料平台相连接,所述抓取单元包括基板、位于所述基板下方且与之固定连接的盖板、成对设置在所...
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