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最新专利技术
  • 母板、显示面板、母板的制作方法及显示面板的制作方法
    母板、显示面板、母板的制作方法及显示面板的制作方法_京东方科技集团股份有限公司_202610050180.7
    本申请涉及显示技术领域，具体提供一种母板、显示面板、母板的制作方法及显示面板的制作方法，旨在解决现有显示面板无法消散静电的技术问题。为此目的，本申请的母板包括：衬底层；设置在衬底层上显示面板区和切割道区内的无机层；设置在无机层上显示面板区和...
    2026-04-26
  • 集成电路器件及其形成方法
    集成电路器件及其形成方法_三星电子株式会社_202511435223.5
    本发明提供了一种集成电路器件和制造集成电路器件的方法。一种集成电路器件包括具有一个或更多个沟道图案的晶体管结构，沟道图案在第一方向上在源极/漏极区之间延伸并且与一个或更多个栅极图案交替堆叠。在所述一个或更多个栅极图案与源极/漏极区之间提供中...
    2026-04-26
  • 电子装置和用于制造该电子装置的方法
    电子装置和用于制造该电子装置的方法_三星显示有限公司_202511305437.0
    提供了一种电子装置和用于制造该电子装置的方法。所述电子装置包括：第一晶体管，设置在基底上并包括第一半导体图案和第一栅极；以及缓冲层。缓冲层包括：第一部，在平面图中与第一半导体图案叠置并具有第一厚度；以及第二部，连接到第一部并且具有第二厚度，...
    2026-04-26
  • 一种晶体管制备方法及阵列埋沟金刚石场效应晶体管
    一种晶体管制备方法及阵列埋沟金刚石场效应晶体管_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511923981.1
    本申请提供一种晶体管制备方法及阵列埋沟金刚石场效应晶体管，涉及半导体制备技术领域。该方法包括：在目标金刚石衬底上生长的本征金刚石外延层，在本征金刚石外延层上制备N个重掺杂区域，形成阵列排布结构，每个重掺杂区域包括源极和漏极重掺杂区域，相邻两...
    2026-04-26
  • 具有隔离结构的互补场效应管器件及其制备方法
    具有隔离结构的互补场效应管器件及其制备方法_复旦大学_202512021091.8
    本发明提供一种具有隔离结构的互补场效应管器件及其制备方法，在该互补场效应管器件结构中，由于第一隔离层位于衬底与第一GAA器件结构之间，并且，所述第一隔离层包括若干自下而上交替层叠的第一离子类型掺杂层和第二离子类型掺杂层，所述第一离子类型掺杂...
    2026-04-26
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202512013978.2
    本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，属于半导体制造技术领域。该结构包括衬底、PMOS区域、NMOS区域以及环绕两者的隔离沟槽，其中隔离沟槽靠近PMOS区域一侧的侧壁设有压电材料，靠近NMOS区域一侧未与压电材料接触。通过选择性布置压电材...
    2026-04-26
  • 半导体装置和形成半导体装置的方法
    半导体装置和形成半导体装置的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511896320.4
    一种半导体装置和形成半导体装置的方法。半导体装置包括第一源极/漏极区域；在第一源极/漏极区域上的第一硅化物区域；与第一源极/漏极区域邻近的第一纳米结构；与第一源极/漏极区域重叠的第二源极/漏极区域；以及在第二源极/漏极区域上的第二硅化物区域...
    2026-04-26
  • 包括应力源层的半导体器件及其形成方法
    包括应力源层的半导体器件及其形成方法_三星电子株式会社_202511101414.8
    提供了包括应力源层的半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括衬底、在衬底上的源极/漏极区、在衬底上并且电连接到源极/漏极区的沟道结构、在衬底上并且至少部分地围绕沟道结构的栅极结构、以及与源极/漏极区的上表面接触并且配置为向源极/漏极区施加压...
    2026-04-26
  • 去耦电容单元及其制备方法、电子设备
    去耦电容单元及其制备方法、电子设备_北京大学_202511945215.5
    本申请提供了一种去耦电容单元及其制备方法、电子设备；该去耦电容单元包括：晶体管组，包括沿水平方向排布的第一晶体管和第二晶体管；正面互连层中的电源金属线分别连接第一源极结构和第二源极结构；背面互连层，沿竖直方向位于晶体管组下方，其中，背面互连...
    2026-04-26
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511938363.4
    提供了半导体器件。半导体器件包括经由衬底与电有源区域热耦合的硅光子区域，电有源区域包括第一晶体管。第一晶体管的源极/漏极区域与包括第一材料的热接触件耦合。第一晶体管的源极/漏极区域与包括不同于第一材料的第二材料的电接触件耦合。半导体器件包括...
    2026-04-26
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411400188.9
    本公开提出了一种半导体结构及其制造方法，涉及半导体技术领域，制造方法包括：提供衬底结构，衬底结构包括：位于衬底上的多个鳍片，多个鳍片包括第一鳍片和第二鳍片；位于第一鳍片和第二鳍片之间的隔离区；横跨多个鳍片的伪栅结构，伪栅结构包括伪栅和位于每...
    2026-04-26
  • 一种薄膜电阻的制备方法、装置、电子设备及存储介质
    一种薄膜电阻的制备方法、装置、电子设备及存储介质_粤芯半导体技术股份有限公司_202610297366.2
    本申请提供了一种薄膜电阻的制备方法、装置、电子设备及存储介质，包括：对已完成铜互连工艺的晶圆进行化学机械抛光；对经过化学机械抛光的晶圆进行介电材料层沉积，形成介电材料层；在介电材料层上加工形成防形变介质层；在防形变介质层上进行薄膜电阻加工，...
    2026-04-26
  • 半导体结构及其制备方法、半导体器件及电子设备
    半导体结构及其制备方法、半导体器件及电子设备_北京大学_202511968091.2
    本申请提供一种半导体结构及其制备方法、半导体器件及电子设备，该方法包括：提供一衬底；对衬底进行光刻和刻蚀，形成初始有源结构和第一凹槽；在第一凹槽中填充第一介质材料，形成至少一个介质墙；对初始有源结构进行刻蚀，形成有源结构；有源结构包括第一有...
    2026-04-26
  • 堆叠晶体管及其制备方法、半导体器件及电子设备
    堆叠晶体管及其制备方法、半导体器件及电子设备_北京大学_202511967651.2
    本申请提供一种堆叠晶体管及其制备方法、半导体器件及电子设备，方法包括：在衬底上形成第一方向上堆叠的第一有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管的第一前道层；刻蚀第一源极结构或第一漏极结构的一部分；在第一前道层上沉积介质材料，...
    2026-04-26
  • 堆叠晶体管及其制备方法、半导体器件及电子设备
    堆叠晶体管及其制备方法、半导体器件及电子设备_北京大学_202511967495.X
    本申请提供一种堆叠晶体管及其制备方法、半导体器件及电子设备，该方法包括：在衬底上形成堆叠结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管的第一源漏外延；倒片并减薄衬底；基于第二有源结构，形成第二晶体管的第二源漏外延；在第二源漏外延表面形成外裹牺牲层；...
    2026-04-26
  • 半导体结构及其制造方法、半导体器件
    半导体结构及其制造方法、半导体器件_北京大学_202511956335.5
    本公开提供一种半导体结构及其制造方法、半导体器件。该制造方法包括：提供衬底；在衬底上形成沿平行于衬底表面的第二方向延伸的多个鳍结构；其中，鳍结构包括至少两个沿垂直于衬底表面的第一方向堆叠的超晶格结构；形成沿第二方向间隔排布的覆盖至少一个鳍结...
    2026-04-26
  • 堆叠晶体管及其制备方法、器件和电子设备
    堆叠晶体管及其制备方法、器件和电子设备_北京大学_202511956114.8
    本申请提供了一种堆叠晶体管及其制备方法、器件和电子设备，该方法包括：在衬底上形成沟道结构；沟道结构包括正面沟道结构和背面沟道结构；在堆叠晶体管的第一源漏区域的表面沉积绝缘材料，形成第一内侧墙；在第一内侧墙上横向刻蚀沟道结构中的第一半导体材料...
    2026-04-26
  • 互补场效应晶体管及其制备方法、器件和电子设备
    互补场效应晶体管及其制备方法、器件和电子设备_北京大学_202511951340.7
    本申请提供了一种互补场效应晶体管及其制备方法、器件和电子设备，该方法包括：在衬底上形成沟道结构；沟道结构包括沿第一方向堆叠设置的第一沟道结构和第二沟道结构；基于沟道结构，形成沿第一方向堆叠设置的第一伪栅结构、栅隔离层和第二伪栅结构；第一伪栅...
    2026-04-26
  • 堆叠器件结构及其形成方法
    堆叠器件结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511944637.0
    示例性方法包括：接收堆叠结构，堆叠结构包括第一多层堆叠件、第二多层堆叠件和第一绝缘结构；在第一多层堆叠件中形成源极/漏极沟槽的第一部分；在源极/漏极沟槽的第一部分中形成伪侧壁掩模之后，将源极/漏极沟槽延伸至第一绝缘结构和第二多层堆叠件中，从...
    2026-04-26
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511921281.9
    方法包括靠近源极/漏极区域形成导电部件；暴露导电部件的第一表面和源极/漏极区域的第一表面；在导电部件上形成金属氧化物层并在源极/漏极区域上形成氧化硅层；去除氧化硅层，其中去除氧化硅层暴露源极/漏极区域的第二表面；在源极/漏极区域的第二表面上...
    2026-04-26
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