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最新专利技术
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511921281.9
    方法包括靠近源极/漏极区域形成导电部件；暴露导电部件的第一表面和源极/漏极区域的第一表面；在导电部件上形成金属氧化物层并在源极/漏极区域上形成氧化硅层；去除氧化硅层，其中去除氧化硅层暴露源极/漏极区域的第二表面；在源极/漏极区域的第二表面上...
    2026-04-26
  • 形成半导体器件的方法
    形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511921274.9
    提供了半导体器件及其形成方法。示例性方法包括：在衬底上方形成底部纳米结构和顶部纳米结构；在底部纳米结构周围形成第一栅极介电层并且在顶部纳米结构周围形成第二栅极介电层；在第一栅极介电层和第二栅极介电层上依次沉积偶极层、图案层、自组装单分子层(...
    2026-04-26
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511910263.0
    提供了半导体结构及其形成方法。示例性方法包括接收工件，该工件包括鳍形结构和设置在鳍形结构上方的伪栅极堆叠件。鳍形结构包括鳍形基底、底部半导体堆叠件、位于底部半导体堆叠件上方的中间介电层和顶部半导体堆叠件。顶部半导体堆叠件和底部半导体堆叠件的...
    2026-04-26
  • 半导体结构、以及用于形成半导体结构的方法
    半导体结构、以及用于形成半导体结构的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511910242.9
    用于形成半导体结构的方法包括：形成多个纳米结构，在纳米结构上形成栅极结构，形成与栅极结构相邻的源极/漏极部件，在源极/漏极部件上形成源极/源极接触部件，在栅极结构和源极/漏极接触部件上形成介电层，蚀刻介电层以在栅极结构上形成第一开口，并且在...
    2026-04-26
  • 半导体装置的形成方法
    半导体装置的形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511896042.2
    提供一种形成半导体装置的方法。方法包括在基板上形成堆叠。堆叠包括多个彼此通过间隙隔开的半导体部分。接下来，用介电氧化物材料填满间隙。然后用蚀刻气体组合物横向蚀刻沉积的介电氧化物材料的末端部分，以形成横向开口。蚀刻气体成分包括含卤素化合物、氨...
    2026-04-26
  • 一种集成续流二极管的氧化镓场效应晶体管及其制备方法
    一种集成续流二极管的氧化镓场效应晶体管及其制备方法_南京邮电大学_202610050338.0
    本发明属于功率器件技术领域，公开了一种集成续流二极管的氧化镓场效应晶体管及其制备方法，本发明提供的集成续流二极管的氧化镓场效应晶体管通过在氧化镓场效应晶体管中集成具有梯度掺杂浓度的P型半导体层，形成异质结续流二极管，实现了低开启电压且不受栅...
    2026-04-26
  • 可自由拼接的沟槽型肖特基势垒二极管
    可自由拼接的沟槽型肖特基势垒二极管_福建龙夏电子科技有限公司_202511863499.3
    本发明提供一种可自由拼接的沟槽型肖特基势垒二极管。所述二极管包括衬底，所述衬底表面包括多块可拼接的矩形单元块构成的沟槽型肖特基势垒二极管；每个所述单元块均包括多个沟槽型元胞和围绕所述元胞的闭合终端沟槽；所述单元块之间通过衬底相互隔离。上述技...
    2026-04-26
  • 半桥功率模块
    半桥功率模块_珠海格力电子元器件有限公司_202511918877.3
    本发明提出一种半桥功率模块，半桥功率模块包括：封装体；散热板，设置于封装体的第一面，散热板上设置导电块；按预定电气连接关系设置的若干碳化硅功率芯片，碳化硅功率芯片设置于散热板的导电块上；连接器件中包括导电条带，导电条带包括多个电极连接端与一...
    2026-04-26
  • 三相全桥功率模块
    三相全桥功率模块_珠海格力电子元器件有限公司_202511918867.X
    本发明提出一种三相全桥功率模块，所述三相全桥功率模块包括：封装体；散热板，设置于所述封装体的第一面，所述散热板上设置导电块；按三相全桥电路的电气连接关系设置的若干碳化硅功率芯片，所述碳化硅功率芯片设置于所述散热板的导电块上；引脚，所述引脚的...
    2026-04-26
  • 一种二维Bi2MoO6单晶栅介质材料、制备方法及其在场效应晶体管中的应用
    一种二维Bi2MoO6单晶栅介质材料、制备方法及其在场效应晶体管中的应用_陕西师范大学_202511875350.7
    本发明公开了一种二维Bi2MoO6单晶栅介质材料、制备方法及其在场效应晶体管中的应用，该二维Bi2MoO6单晶栅介质材料为超薄纳米片状，厚度为7.5～70 nm，晶体结构为正交晶系，沿c轴交替排列[MoO4]2‑层和[Bi2O2]2+层，P...
    2026-04-26
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路及车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路及车辆_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202610033784.0
    本申请公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路及车辆。该半导体器件制造方法包括：提供半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；半导体本体还包括阱区和第一区域；在第一表面形成设置有开口的栅极定义层；开口暴露部分第一区域；在开...
    2026-04-26
  • 基于熔融涂覆金属层的氧化镓欧姆接触制备方法及其应用
    基于熔融涂覆金属层的氧化镓欧姆接触制备方法及其应用_西安电子科技大学_202512022484.0
    本发明公开了一种基于熔融涂覆金属层的氧化镓欧姆接触制备方法及其应用，主要解决现有氧化镓欧姆接触制备过程耗时长和成本高的问题，其实现包括：在热台基座上，将清洗后的氧化镓作为衬底平稳放置在无氧铜片上；将选取600℃以下的低熔点金属放置在氧化镓上...
    2026-04-26
  • 一种碳化硅多级沟槽的制备方法
    一种碳化硅多级沟槽的制备方法_西安电子科技大学芜湖研究院_202511878523.0
    本申请公开了一种碳化硅多级沟槽的制备方法，该方法首先在具有外延层的衬底表面生长掩膜层，经光刻、刻蚀形成初始沟槽；随后在沟槽内沉积氮化硅并回刻至预定位置；接着对沟槽内壁和外延层表面进行高温氧化，使SiC转化为SiO2氧化层，再通过湿法腐蚀去除...
    2026-04-26
  • 两步氧化物沟槽碳化硅MOSFET
    两步氧化物沟槽碳化硅MOSFET_瑞萨电子株式会社_202510284562.1
    描述了两步氧化物沟槽碳化硅MOSFET。半导体器件可以包括形成在碳化硅衬底上的漂移区域。半导体器件可以包括穿透源极区域和沟道并且到达漂移区域的沟槽。半导体器件可以包括沿着沟槽排列的氧化物区域。氧化物区域可以包括底部部分、下侧部分和上侧部分。...
    2026-04-26
  • 基于区域导电性差异的级联量子阱结构及相干耦合控制方法
    基于区域导电性差异的级联量子阱结构及相干耦合控制方法_三峡大学_202511994647.5
    本发明涉及量子技术领域，具体公开了一种基于区域导电性差异的级联量子阱结构及相干耦合控制方法，该结构以单层MoS2纳米带作为基底，沿纳米带的长度方向交替设置锯齿型(zigzag)边缘与扶手型(armchair)边缘，锯齿型边缘为量子阱区，扶手...
    2026-04-26
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202610134165.0
    本申请实施例公开一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括：有源区和终端区；终端区围绕有源区设置；终端区包括半导体本体，设置为第一导电类型，包括相对设置的第一表面和第二表面；第一表面设置有多个连通的沟槽；在第一...
    2026-04-26
  • 半导体的超结结构及其制备方法和半导体结构
    半导体的超结结构及其制备方法和半导体结构_株洲中车时代半导体股份有限公司_202411892504.9
    本发明涉及半导体技术领域，公开一种半导体的超结结构及其制备方法和半导体结构。半导体的超结结构的制备方法包括：提供衬底；在衬底上形成多层外延层，且在形成的每层外延层上都形成有掺杂区，多层外延层上所处同一位置的掺杂区用于对应形成一个掺杂柱；其中...
    2026-04-26
  • 超结集成方法及超结集成芯片
    超结集成方法及超结集成芯片_合肥托尔半导体有限公司_202610050193.4
    本申请公开了超结集成方法及超结集成芯片，属于超结半导体技术领域，所述方法包括，构建衬底层；衬底层上成型集成超结结构，其中，所述集成超结结构限定有外延层以及外延层内P柱与N柱交替，所述集成超结结构内具有至少一隔离结构，所述隔离结构限定有P梁，...
    2026-04-26
  • 一种结型晶体管器件
    一种结型晶体管器件_安建科技有限公司_202610021758.6
    一种结型晶体管器件，本发明涉及于功率半导体器件领域，为解决现有技术VJFET反向导通时的电流分布和热分布较集中于反并联漏极‑源极二极管单元，容易导致发热失效的问题，本发明在元胞沟槽内的第一内侧的底部转角设置栅极接触电极，第一外侧、和第一外侧...
    2026-04-26
  • 一种锗基台阶隧穿纳米管的TFET、CTFET及制备方法
    一种锗基台阶隧穿纳米管的TFET、CTFET及制备方法_西安电子科技大学_202511753696.X
    本发明公开了提供了一种锗基台阶隧穿纳米管的TFET、CTFET及制备方法，TFET的制备方法包括：在SOI层上制备第一掺杂类型的锗外延层；在锗外延层的第三上表面上制备介质层；在第一介质部分的部分表面上制备外栅极；在除第一中心区域外的本征锗层...
    2026-04-26
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