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  • 优化短路测试能力的碳化硅超结器件的制备方法和芯片
    优化短路测试能力的碳化硅超结器件的制备方法和芯片_深圳方正微电子有限公司_202511951475.3
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种优化短路测试能力的碳化硅超结器件的制备方法和芯片，通过将多个第一子P柱和第二子P柱层叠设置于N型漂移区的两侧，且每个第一子P柱和每个第二子P柱的部分区域延伸至N型漂移区内，在N型漂移区内引入宽度相同的P...
    2026-04-26
  • 基于双重图案光刻工艺的器件制备方法、器件及芯片
    基于双重图案光刻工艺的器件制备方法、器件及芯片_深圳方正微电子有限公司_202511951460.7
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种基于双重图案光刻工艺的器件制备方法、器件及芯片，通过在N型漂移区的凹槽底部形成P型屏蔽区，在N型漂移区的凹槽拐角区域设置边角介质层，降低栅极底部中央氧化层的高电场，使得电场向两侧并向下延伸，提高器件的击...
    2026-04-26
  • 具有P型浮空环的碳化硅超结器件及其制备方法、芯片
    具有P型浮空环的碳化硅超结器件及其制备方法、芯片_深圳方正微电子有限公司_202511951432.5
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种具有P型浮空环的碳化硅超结器件及其制备方法、芯片，通过在N型漂移区内引入宽度一致的P型浮空环区，P型浮空环区与栅极介质层之间的距离至少大于N型漂移区的厚度的二分之一，以将栅极沟槽氧化层拐角处的电场向下延...
    2026-04-26
  • 基于双重图案光刻工艺的器件制备方法、器件和芯片
    基于双重图案光刻工艺的器件制备方法、器件和芯片_深圳方正微电子有限公司_202511948551.5
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种基于双重图案光刻工艺的器件制备方法、器件和芯片，该制备方法通过在N型漂移区的凹槽底部形成P型屏蔽区，在N型漂移区的凹槽拐角区域设置边角介质层，降低栅极底部中央氧化层的高电场，使得场强向下延伸，提高器件的...
    2026-04-26
  • 线性浮空P环型碳化硅沟槽器件及其制备方法、芯片
    线性浮空P环型碳化硅沟槽器件及其制备方法、芯片_深圳方正微电子有限公司_202511948502.1
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种线性浮空P环型碳化硅沟槽器件及其制备方法、芯片，P型屏蔽区形成于N型漂移区的凹槽底部，栅介质层形成于P型屏蔽区上的凹槽内壁，通过在N型漂移区的两侧区域设置多个P型浮空环区，同一侧的多个P型浮空环区的宽度...
    2026-04-26
  • 一种碳化硅超结器件的制备方法、器件和芯片
    一种碳化硅超结器件的制备方法、器件和芯片_深圳方正微电子有限公司_202511948487.0
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种碳化硅超结器件及其制备方法、芯片，通过将多个第一子P柱和多个第二子P柱层叠设置于N型漂移区的两侧，且每个第一子P柱和每个第二子P柱的部分区域延伸至N型漂移区内，在N型漂移区内引入线性宽度的P型浮空环区，...
    2026-04-26
  • 阶梯栅型碳化硅沟槽式器件的制备方法、器件和芯片
    阶梯栅型碳化硅沟槽式器件的制备方法、器件和芯片_深圳方正微电子有限公司_202511947299.6
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种阶梯栅型碳化硅沟槽式器件的制备方法、器件和芯片，该制备方法通过在N型漂移区的凹槽底部形成P型屏蔽区，在N型漂移区的凹槽拐角区域设置边角介质层，降低栅极底部中央氧化层的高电场，使得电场向两侧并向下延伸，提...
    2026-04-26
  • 碳化硅超级单沟槽栅功率器件及其制备方法、芯片
    碳化硅超级单沟槽栅功率器件及其制备方法、芯片_深圳方正微电子有限公司_202511947256.8
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种碳化硅超级单沟槽栅功率器件及其制备方法、芯片，通过在N型漂移区内引入线性的P型浮空环区，降低栅极沟槽氧化层下方P型屏蔽区附近的碳化硅表面电场强度，可以有效降低栅极沟槽底部的栅介质层的表面电场，扩大N型漂...
    2026-04-26
  • 一种非对称双栅二维半导体场效应晶体管及其制备方法
    一种非对称双栅二维半导体场效应晶体管及其制备方法_西安电子科技大学_202610041239.6
    本发明公开了一种非对称双栅二维半导体场效应晶体管及其制备方法，所述晶体管包括衬底，衬底上层叠设置有底栅介质层，底栅介质层的中心位置设置有沟道层，沟道层顶部两端分别设置有漏电极和源电极，并延伸到底栅介质层上；沟道层顶部中心位置设置有顶栅介质层...
    2026-04-26
  • 双向阻断SGT MOSFET器件及制备方法
    双向阻断SGT MOSFET器件及制备方法_上海维安半导体有限公司_202511945586.3
    本发明涉及MOSFET器件技术领域，具体涉及一种双向阻断SGT MOSFET器件及制备方法，包括：栅介质层的厚度为第一厚度，屏蔽介质层覆盖于控制栅的部分为第二厚度，屏蔽介质层的下半部分的厚度为第三厚度，上半部分为第四厚度；第四厚度大于第三厚...
    2026-04-26
  • 同质变k介质终端晶体管及其制备方法
    同质变k介质终端晶体管及其制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511886047.7
    本发明提供了一种同质变k介质终端晶体管及其制备方法，包括衬底、源电极和漏电极、栅介质层、两组第一钝化层以及第二钝化层，衬底上方设有沟道层；源电极和漏电极设于沟道层上方；栅介质层设于沟道层上方；栅电极设于栅介质层上方；两组第一钝化层设于栅介质...
    2026-04-26
  • 一种隧穿PN欧姆接触单晶金刚石体掺杂器件及制备方法
    一种隧穿PN欧姆接触单晶金刚石体掺杂器件及制备方法_上海征世科技股份有限公司_202511878528.3
    本发明涉及一种隧穿PN欧姆接触单晶金刚石体掺杂器件及制备方法，包括：本征金刚石衬底；第一金刚石层，位于本征金刚石衬底上；第二金刚石层，位于第一金刚石层上；第三金刚石层，位于第二金刚石层上；源电极和漏电极，分别位于源漏极区域的第三金刚石层上；...
    2026-04-26
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_株洲中车时代半导体股份有限公司_202510490502.5
    本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：衬底层，衬底层包括管芯区和围绕所述管芯区的划片区；位于衬底层上依次层叠设置的第一外延层至第N外延层；划片区上的第一外延层至第N外延层所处的同一位置均具有若干对准标记，...
    2026-04-26
  • 氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法
    氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法_英诺赛科(苏州)半导体有限公司_202610312630.5
    本申请公开了一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法。该氮化镓高电子迁移率晶体管包括：衬底；沿着远离所述衬底的方向依次设置的沟道层和势垒层；栅电极，设于所述势垒层远离所述衬底的一侧；钝化层，覆盖所述栅电极以及所述势垒层；两个第一电极过孔，在...
    2026-04-26
  • 一种可以提高阈值稳定性的增强型GaN HEMT器件结构
    一种可以提高阈值稳定性的增强型GaN HEMT器件结构_河北工业大学_202610133978.8
    本发明为一种可以提高阈值稳定性的增强型GaN HEMT器件结构。该结构自下而上包括：衬底、N‑电流缓冲层、N‑电流沟道层；在N‑电流沟道层的中部为势垒层，在势垒层的两侧分别为金属源极和金属漏极，中部间隔分布有两个渐变Al组分Al0.25‑0...
    2026-04-26
  • 一种非对称鳍片导热增强型GaN HEMT器件及其制造方法
    一种非对称鳍片导热增强型GaN HEMT器件及其制造方法_山东大学_202610091206.2
    本发明涉及一种非对称鳍片导热增强型GaN HEMT器件及其制造方法，属于半导体器件技术领域，包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、栅极、源极、漏极，通过在漏极侧钝化层嵌入高导热散热鳍片形成复合钝化层，并引入导热侧壁，利用高导热材料和复合结构，有...
    2026-04-26
  • 一种氢终端金刚石ED型逻辑反相器及其制备方法
    一种氢终端金刚石ED型逻辑反相器及其制备方法_西安交通大学_202610021686.5
    本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种氢终端金刚石ED型逻辑反相器及其制备方法；其中，所述氢终端金刚石ED型逻辑反相器中，D型漏电极与D型源和E型漏电极之间的氢终端区域上方沉积有D型ITO栅材料层；D型源和E型漏电极与E型源电极之间的氢终...
    2026-04-26
  • 一种阈值电压可控的金刚石场效应晶体管及其制备方法
    一种阈值电压可控的金刚石场效应晶体管及其制备方法_西安交通大学_202610021683.1
    本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种阈值电压可控的金刚石场效应晶体管及其制备方法；其中，所述金刚石场效应晶体管包括：单晶金刚石衬底同质外延生长有单晶金刚石外延薄膜，单晶金刚石外延薄膜的表面处理为氢终端金刚石区域以及包围氢终端金刚石区域的...
    2026-04-26
  • 一种高可靠性低压GaN射频器件及其制备方法
    一种高可靠性低压GaN射频器件及其制备方法_华南理工大学_202511833403.9
    本发明公开了一种高可靠性低压GaN射频器件及其制备方法。所述射频器件包括：平面结构的AlGaN/GaN异质结外延层；AlGaN/GaN异质结外延层上表面中心生长有插入层，插入层上表面两侧分别设置有源电极和漏电极；插入层上表面以及源电极和漏电...
    2026-04-26
  • 具有叠层栅介质的增强型低压GaN射频器件及其制备方法
    具有叠层栅介质的增强型低压GaN射频器件及其制备方法_华南理工大学_202511833401.X
    本发明公开了具有叠层栅介质的增强型低压GaN射频器件及制备方法。所述器件包括平面结构的AlGaN/GaN异质结外延层；AlGaN/GaN异质结外延层上表面生长有钝化层，钝化层上表面生长有栅介质层；栅介质层上表面设置有栅电极。所述具有叠层栅介...
    2026-04-26
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