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最新专利技术
  • 一种具有抑制杂散衍射光斑层的氮化镓基半导体激光器
    一种具有抑制杂散衍射光斑层的氮化镓基半导体激光器_安徽格恩半导体有限公司_202610025494.1
    本发明提出一种具有抑制杂散衍射光斑层的氮化镓基半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层。下限制层的SIMS测试Al原子浓度或Al离子强度曲线、下限制层的折射率分布曲线、上限制层的S...
    2026-05-06
  • 一种基于侧向外延的薄膜激光器及制备方法
    一种基于侧向外延的薄膜激光器及制备方法_中山大学_202511659248.3
    本发明涉及半导体激光器和集成光电子器件技术领域，更具体地，涉及一种基于侧向外延的薄膜激光器及制备方法。本发明通过在衬底上依次制备底部绝缘层、中间层和顶部绝缘层；在所述顶部绝缘层的一侧套刻侧向外延窗口，并刻蚀掉所述侧向外延窗口处的顶部绝缘层并...
    2026-05-06
  • 一种基于掩埋异质结的分布反馈式激光芯片及制备方法
    一种基于掩埋异质结的分布反馈式激光芯片及制备方法_江西兆驰集成科技有限公司_202610276878.0
    本发明公开了一种基于掩埋异质结的分布反馈式激光芯片及制备方法，涉及半导体器件技术领域，该芯片包括衬底及设于衬底之上的外延层，该外延层包括：缓冲层、下波导层、下限制层、有源区、上限制层、上波导层、掩埋层；外延层包括MESA高台以实现光波导输出...
    2026-05-06
  • 基于法布里-珀罗腔谐振反馈的窄线宽垂直腔面发射激光器
    基于法布里-珀罗腔谐振反馈的窄线宽垂直腔面发射激光器_重庆大学_202512052977.9
    本发明公开了一种基于法布里‑珀罗腔谐振反馈的窄线宽垂直腔面发射激光器，包括窄线宽垂直腔面发射激光器VCSEL、耦合器、环行器以及F‑P腔，VCSEL的输出端通过耦合器、环行器连接F‑P腔，VCSEL的主模激光波长与F‑P腔对应窄带透射谱中的...
    2026-05-06
  • 激光器及其制备方法
    激光器及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511767716.9
    本申请公开了一种激光器及其制备方法, 激光器包括沿第一方向层叠设置的第一反射镜、空穴传输层、增益层、电子传输层和第二反射镜，还包括第一电极和第二电极，第一电极位于空穴传输层背离增益层的一侧，第一电极、空穴传输层在第一方向的投影部分交叠，第二...
    2026-05-06
  • 一种可调谐外腔激光器芯片及其制备方法
    一种可调谐外腔激光器芯片及其制备方法_吉林大学_202512024871.8
    本发明提出一种可调谐外腔激光器芯片及其制备方法，涉及激光器技术领域，芯片包括：平面光波导回路、增益芯片；通过平面光波导回路中的移相器阵列和第一微环移相器将微环谐振器的窄带透射峰与多通道干涉模块的干涉通带进行初步对准，完成激射工作点的选择；以...
    2026-05-06
  • 一种基于顶面金属光栅负啁啾激光器
    一种基于顶面金属光栅负啁啾激光器_聚光科芯(苏州)光电子科技有限公司_202511865072.7
    本发明涉及半导体激光器技术领域，具体为一种基于顶面金属光栅负啁啾激光器，包括激光增益芯片；金属光栅增益电极，设置在所述激光增益芯片的上端面右侧；金属光栅调制电极，设置在所述激光增益芯片的上端面左侧；电极隔离槽，设置在所述激光增益芯片的上端面...
    2026-05-06
  • 基于两不同光栅且相位间隔λ/2金属光栅的激光器
    基于两不同光栅且相位间隔λ/2金属光栅的激光器_聚光科芯(苏州)光电子科技有限公司_202511834692.4
    本发明涉及光电子器件技术领域，尤其是基于两不同光栅且相位间隔λ/2金属光栅的激光器，包括 : 增益芯片、增益芯片光波导、光栅光波导衬底、光波导以及金属BRAGG反射光栅。采用独特的外腔结构，摒弃传统夹层半导体光栅，采用顶部金属光栅，极大地简...
    2026-05-06
  • 双金属布拉格光栅相位差调控实现窄线宽的外腔激光器
    双金属布拉格光栅相位差调控实现窄线宽的外腔激光器_聚光科芯(苏州)光电子科技有限公司_202511763651.0
    本发明涉及半导体激光器技术领域，具体为双金属布拉格光栅相位差调控实现窄线宽的外腔激光器，调控实现窄线宽的外腔激光器，包括：增益芯片，所述增益芯片左端面镀设有第一高反射HR膜，所述增益芯片右端面镀设有第一增透AR膜；所述增益芯片右侧设置有金属...
    2026-05-06
  • 一种基于顶部平面金属光栅和高反射介质膜的激光器
    一种基于顶部平面金属光栅和高反射介质膜的激光器_聚光科芯(苏州)光电子科技有限公司_202511762702.8
    本发明涉及半导体激光器技术领域，具体为一种基于顶部平面金属光栅和高反射介质膜的激光器，包括：增益芯片，所述增益芯片左端面镀设有第一高反射HR膜，所述增益芯片右端面镀设有第一增透AR膜；所述增益芯片右侧设置有平面金属布拉格光栅波导，所述增益芯...
    2026-05-06
  • 基于双金属布拉格光栅和顶部SiO2波导层的激光器
    基于双金属布拉格光栅和顶部SiO2波导层的激光器_宁波吉亚科技咨询有限公司_202511727881.1
    本发明涉及半导体激光器技术领域，具体为基于双金属布拉格光栅和顶部SiO2波导层的激光器，包括：增益芯片，所述增益芯片左端面镀设有第一高反射HR膜，所述增益芯片右端面镀设有第一增透AR膜；所述增益芯片右侧设置有金属布拉格光栅波导，所述增益芯片...
    2026-05-06
  • 一种高速可调波长的窄线宽外腔激光器
    一种高速可调波长的窄线宽外腔激光器_聚光科芯(杭州)光电子科技有限公司_202511725588.1
    本发明涉及半导体激光器技术领域，具体为一种高速可调波长的窄线宽外腔激光器，包括InP增益芯片光波导，其左端面镀有光学高反射膜，右端面镀有第一光学增透膜；还包括铌酸锂波导，所述铌酸锂波导的左端面镀有第二光学增透膜，右端面镀有第三光学增透膜；所...
    2026-05-06
  • 垂直腔面发射激光器及其制作方法与横向电流控制方法
    垂直腔面发射激光器及其制作方法与横向电流控制方法_上海新微半导体有限公司_202511994385.2
    本发明提供一种垂直腔面发射激光器及其制作方法与横向电流控制方法，该制作方法通过在光学有源层四周形成介质膜与侧方电极层，构造了侧方电极层‑介质膜‑光学有源层结构，具有类似于MOS结构的电流控制功能，可大幅抑制VCSEL的横向电流，并使得光学与...
    2026-05-06
  • VCSEL结构及其制备方法
    VCSEL结构及其制备方法_上海新微半导体有限公司_202511966069.4
    本发明提供一种VCSEL结构及其制备方法，通过在主氧化层上表面上的较低铝组分的AlGaAs层中引入磷元素形成AlGaAsP层，主动控制主氧化层与AlGaAsP层界面的开裂，提前释放应力，解决了现有技术中氧化层氧化后产生的尖端应力导致可靠性失...
    2026-05-06
  • 一种360度全景固态圆盘形DFB激光器
    一种360度全景固态圆盘形DFB激光器_聚光科芯(合肥)光电子有限公司_202511852680.4
    本发明涉及半导体激光器技术领域，具体为一种360度全景固态圆盘形DFB激光器，包括：衬底；激光量子阱增益层，设置在所述衬底的上端面；环形DFB光栅，刻蚀在所述激光量子阱增益层的上部波导层；上包层，通过半导体二次外延法构建在所述环形DFB光栅...
    2026-05-06
  • 一种基于金属光栅PZT薄膜的可调ECL半导体激光器
    一种基于金属光栅PZT薄膜的可调ECL半导体激光器_聚光科芯(苏州)光电子科技有限公司_202511865337.3
    本发明涉及半导体激光器技术领域，具体为一种基于金属光栅PZT薄膜的可调ECL半导体激光器，包括激光增益芯片；PZT薄膜光波导，设置在激光增益芯片的右侧且与激光增益芯片的右端面抵接；HR高反射膜，镀设在激光增益芯片的左端面；AR抗反射膜，镀设...
    2026-05-06
  • 一种基于金属光栅PZT薄膜的可调波长外腔激光器
    一种基于金属光栅PZT薄膜的可调波长外腔激光器_聚光科芯(苏州)光电子科技有限公司_202511865207.X
    本发明涉及半导体激光器技术领域，具体为一种基于金属光栅PZT薄膜的可调波长外腔激光器，包括激光增益芯片；PZT薄膜光波导，设置在激光增益芯片的左侧且与激光增益芯片的左端面抵接；HR高反射膜，镀设在PZT薄膜光波导的左端面；AR抗反射膜，镀设...
    2026-05-06
  • 一种激光器驱动电路
    一种激光器驱动电路_北京东方锐镭科技有限公司_202511959870.6
    本发明公开了一种激光器驱动电路，包括光耦、可编程定时单元、LD驱动芯片、MCU芯片和LD负载，其中MCU芯片向可编程定时单元传输时钟信号和输出信号的脉宽数据信号，光耦的输入端连接外触发信号，光耦输出端连接可编程定时单元，可编程定时单元分别输...
    2026-05-06
  • 高速激光器芯片及其制备方法
    高速激光器芯片及其制备方法_中国科学院半导体研究所_202511929282.8
    本发明提供一种高速激光器芯片及其制备方法，涉及激光器技术领域。制备方法包括：在外延片表面生长出掩膜层；将单台脊波导图形转移到掩膜层中；通过干法刻蚀在外延片表面形成单台脊波导图形，对形成有初步单台脊波导图形的外延片进行湿法腐蚀，制备出单台脊波...
    2026-05-06
  • 半导体芯片直冷结构及其应用
    半导体芯片直冷结构及其应用_湖北华中长江光电科技有限公司_202511706476.1
    本发明涉及一种半导体芯片直冷结构及其应用。该结构包括壳体和设置在壳体上的流道及热沉，在壳体两端设置有进水口和出水口，所述流道与进水口、出水口相连，在热沉上设置有通孔，热沉通过通孔与流道连通，所述半导体芯片固定在热沉上并将其密封。冷却液从进水...
    2026-05-06
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