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  • 本案公开内容的实施方式包括在半导体元件中形成背侧轮廓的设备和方法,所述半导体元件包括晶粒至晶片的键合。所述方法通常包括:移除包括在多个晶粒中的基板层的一部分,所述多个晶粒排列在支撑结构中所包括的绝缘层上并且键合所述绝缘层,其中所述多个晶粒在...
  • 检查装置具备控制部。控制部在拍摄有检查对象物的设定用图像内预先设定不良标记区域,该不良标记区域是在检查对象物中包含不良标记的情况下拍摄有不良标记的区域,通过对检查图像内的不良标记区域进行检查,对检查图像中拍摄到的检查对象物中是否包含不良标记...
  • 提供一种自动地检测、分类及去除平板基板缺陷的方法,其包括:第一步骤,通过摄像单元拍摄包括晶圆或掩模在内的平板基板的表面,以检测缺陷;第二步骤,根据预设的基准判定所述缺陷是否可被去除以及所述缺陷的多种去除方法中的一种,并对所述缺陷进行自动分类...
  • 本公开内容提供用于处理基板的方法。方法包括使包含烃化合物的沉积气体流至具有定位在静电卡盘上的基板的工艺腔室的处理容积中。通过将第一RF偏压施加至静电卡盘来在基板处产生等离子体以在基板上沉积类金刚石碳膜。用氢掺杂剂掺杂类金刚石碳膜以形成经掺杂...
  • 例示性半导体处理方法可包括在处理区域中容纳的基板。含硅材料层可在所述基板上设置,图案化的抗蚀剂材料可在所述含硅材料层上设置,并且含碳材料层可在所述图案化的抗蚀剂材料及所述含硅材料层上设置。所述方法可包括将含氢前体、含氮前体、或两者提供到半导...
  • 一种微通道冷却区块,包括基板;微通道阵列,其包括连接至该基板的表面且自该基板的表面延伸的多个导热板,所述导热板被排列为使得其最高或第二最高导热轴线延伸远离该基板的表面,相邻的所述导热板彼此间隔开以在所述导热板之间形成多个微通道,每两个相邻的...
  • 半导体器件包括顶侧和与顶侧相对的底侧。包括半导体基板的中央部分布置在顶侧和底侧之间。部件布置在中央部分中,与半导体基板接触。该部件包括来自顶侧的第一电连接部和来自底侧的第二电连接部。
  • 提供了一种后道工序(BEOL)互连结构,包括位于金属线上的顶部通孔结构。气隙位于金属线和顶部通孔结构附近并围绕金属线和顶部通孔结构。气隙包括位于金属线附近的下部部分和位于顶部通孔结构附近的上部部分。这种气隙可以扩展用于2nm技术节点及以下的...
  • 散热板、具有散热板的电子组件以及制造散热板和具有改进热性能的电子组件的方法。一个示例是被构造为安装到管芯的散热板。散热板包括主体,该主体包括顶侧和底侧,顶侧被布置成背离管芯,并且底侧被布置成面向管芯。主体被成形为并且适于安装到管芯,使得底侧...
  • 本发明包括:导轨构件,能够搬送地保持配置有作为接合对象的半导体芯片的框架的端部;按压构件,从其中一方向接近所述框架;加热构件,对所述框架赋予热,且从与所述其中一方向为相反侧的另一方向相对地接近所述框架;以及控制部,在多个步骤中分割所述按压构...
  • 提高铜与硬质树脂的粘接强度,并且不增加汇流条安装时的接触电阻。因此,功率半导体装置(7)具备:绝缘基板(1);壳体(3),其收纳绝缘基板(1);铜配线(11),其形成在绝缘基板(1)上;半导体芯片(42),其与铜配线(11)连接;以及铜端子...
  • 贯通电极基板具备:玻璃基板,包括第一面、位于与第一面相反的一侧的第二面、和从第一面贯通到第二面的第一贯通孔及第二贯通孔;贯通电极,位于第一贯通孔内;树脂构件,位于第二贯通孔内;和布线层,位于玻璃基板与半导体元件之间。第一贯通孔包括:在玻璃基...
  • 接合装置包括:切口生成部,相对于从毛细管抽出的导线,使分离状态的第一刀与第二刀从与抽出方向相交的方向向导线的方向移动,使第一刀与第二刀接近并与导线接触,由此在导线形成切口;以及引脚导线形成部,在导线的前端部接合在接合对象的状态下,利用夹持器...
  • 一种电子器件(11)包括:(i)集成电路(IC)管芯(22),被安装在衬底(25)上;(ii)盖(33),具有面向彼此的第一表面和第二表面(32、34)以及在第一表面和第二表面之间通过盖形成的一个或多个开口(66),盖被设置在IC管芯之上以...
  • 本文描述了能够检测物理篡改事件的集成电路管芯堆叠及其方法。集成电路管芯堆叠包括第一集成电路管芯和第二集成电路管芯,该第一集成电路管芯包括基本上跨第一集成电路管芯的整个顶表面延伸的传感器网络,该第二集成电路管芯堆叠在第一集成电路管芯下方。第二...
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