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最新专利技术
  • 基于紫外图像的输变电设备电晕放电精准定位方法及系统
    基于紫外图像的输变电设备电晕放电精准定位方法及系统_江西水利电力大学_202610233037.1
    本发明公开了一种基于紫外图像的输变电设备电晕放电精准定位方法及系统，方法包括：按时间顺序获取并排序目标设备的紫外图像序列；通过图像预处理提取光斑区域，并计算其强度与形态特征；利用预训练的电晕放电判定模型智能识别图像序列中是否存在放电事件；若...
    2026-04-23
  • 一种GIS绝缘缺陷早期预警方法、系统、设备及介质
    一种GIS绝缘缺陷早期预警方法、系统、设备及介质_合肥工业大学_202610328430.9
    本发明公开了一种GIS绝缘缺陷早期预警方法、系统、设备及介质，方法包括：采集GIS设备的多源异构信号，并在信号数据预处理后构建多模态特征数据集；构建基于多模态融合的Transformer神经网络模型；将多模态特征数据集输入神经网络模型进行训...
    2026-04-23
  • 一种基于无人机多光谱成像的电气设备过热隐患预警方法和系统
    一种基于无人机多光谱成像的电气设备过热隐患预警方法和系统_成都航幻科技有限公司_202610347020.9
    本申请提供一种基于无人机多光谱成像的电气设备过热隐患预警方法和系统，属于电力设备状态监测技术领域，本申请首先获取无人机采集的紫外光子及空间点云数据。基于点云构建三维模型并经有限元分析得到电场分布信息。结合光子数据与电场信息，通过空间反演修正...
    2026-04-23
  • 宽电压域电驱动总成冰水浸没测试绝缘漏电安全监测装置
    宽电压域电驱动总成冰水浸没测试绝缘漏电安全监测装置_江苏泰思睿检测科技有限公司_202610100663.3
    本发明宽电压域电驱动总成冰水浸没测试绝缘漏电安全监测装置，串联于200～800V 高压直流电源与电驱样品之间的非浸入式监测装置，实现电驱样品冰水浸没测试全流程的绝缘漏电实时监测、隐患预警、快速处置，全程聚焦测试安全；包括200～800V 高...
    2026-04-23
  • 电阻的确定方法、装置、存储介质、电子设备及程序产品
    电阻的确定方法、装置、存储介质、电子设备及程序产品_成都新紫光半导体科技有限公司_202411450498.1
    本公开涉及一种电阻的确定方法、装置、存储介质、电子设备及程序产品，涉及半导体技术领域，该方法包括：根据目标器件的电流特性，确定目标器件的第一电阻值，第一电阻值包括目标器件的接触电阻与区域电阻的阻值之和。根据目标器件的多个电阻测量组合，确定目...
    2026-04-23
  • 一种IGCT功率模块中吸收二极管的失效检测电路和方法
    一种IGCT功率模块中吸收二极管的失效检测电路和方法_株洲变流技术国家工程研究中心有限公司_202411452999.3
    本发明公开了一种IGCT功率模块中吸收二极管的失效检测电路和方法，电路包括依次连接的检测模块和控制模块，检测模块与待检测IGCT功率模块电连接，用于检测IGCT功率模块中抑制电抗器中的电流，检测模块用于将检测信号传输给控制模块，控制模块用于...
    2026-04-23
  • 器件保持板
    器件保持板_株式会社爱德万测试_202511367757.9
    本发明提供一种器件保持板，其能够实现抑制放置错误的发生。在测试DUT(100)的器件测试装置(1)中使用的器件保持板(30)具备收容DUT(100)的收容部(32)，收容部(32)具备引导并保持DUT(100)的引导面(60)，引导面(60...
    2026-04-23
  • 一种器件寿命的预测方法、装置、设备及介质
    一种器件寿命的预测方法、装置、设备及介质_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511725700.1
    本发明公开一种器件寿命的预测方法、装置、设备及介质，涉及半导体器件可靠性工程、加速寿命测试与数据建模技术领域，以准确、高效的对器件寿命进行预测。所述器件寿命的预测方法包括：对目标器件进行应力测试，确定目标器件的第一退化因子；第一退化因子至少...
    2026-04-23
  • 基于低温I-V测试的器件界面态表征方法、装置及设备
    基于低温I-V测试的器件界面态表征方法、装置及设备_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511742687.0
    本发明公开基于低温I‑V测试的器件界面态表征方法、装置及设备，涉及半导体器件表征技术领域，用于解决现有技术中因栅介质层漏电导致的界面态提取不准确，以及无法有效分离带尾态与界面态贡献的问题。包括：制备MOS测试器件结构，在低温条件下对MOS测...
    2026-04-23
  • 一种高温条件下批量测试功率器件的测试装置
    一种高温条件下批量测试功率器件的测试装置_浙江大学绍兴研究院_202511847351.0
    本发明公开了一种高温条件下批量测试功率器件的测试装置，包括加热平台模块、测试工位模块、探针模块以及控制系统，所述加热平台模块用于为待测器件提供稳定的高温测试环境，包括恒温加热台、加热元件、温度传感器和温控器，所述恒温加热台的表面采用导热陶瓷...
    2026-04-23
  • 一种深远海盐雾环境下压接型绝缘栅双极型晶体管的性能测试装置及方法
    一种深远海盐雾环境下压接型绝缘栅双极型晶体管的性能测试装置及方法_国网上海市电力公司_202511909216.4
    本发明涉及一种深远海盐雾环境下压接型绝缘栅双极型晶体管的性能测试装置及方法，包括待测IGBT，装置还包括电气测试回路、IGBT模块安装区域、喷雾器、PID控制器、盐水罐和盐雾箱；其中，IGBT模块安装区域设置于盐雾箱内，喷雾器喷雾一端通过喷...
    2026-04-23
  • 塑封元器件缺陷激发试验与可靠性评价方法
    塑封元器件缺陷激发试验与可靠性评价方法_航天科工防御技术研究试验中心_202511991007.9
    本公开提供一种塑封元器件缺陷激发试验与可靠性评价方法，包括：获取塑封元器件的待测样品；对待测样品进行外观检测并记录第一外观检测数据；对待测样品进行电参数测试并得到第一电参数数据；对待测样品进行超声扫描显微镜检测并得到第一超声检测结果；确定待...
    2026-04-23
  • IGBT老化监测方法、装置、电子设备及存储介质
    IGBT老化监测方法、装置、电子设备及存储介质_中国长江三峡集团有限公司_202610002136.9
    本发明涉及器件监测技术领域，公开了IGBT老化监测方法、装置、电子设备及存储介质，包括：构建待监测IGBT的四阶Cauer热网络模型，建立四阶Cauer热网络模型中热阻参数与待监测IGBT中材料层的映射关系；构建与四阶Cauer热网络模型等...
    2026-04-23
  • FRD芯片检测方法及平台
    FRD芯片检测方法及平台_滁州华瑞微电子科技有限公司_202610018772.0
    本申请提供一种FRD芯片检测方法及平台。该方法通过控制开关器件和电感性负载模块，在FRD芯片处建立预设的正向导通工况，再在FRD芯片处于正向导通状态时，控制开关器件切换导通状态，以在FRD芯片两端施加反向电压，触发FRD芯片的反向恢复过程。...
    2026-04-23
  • 同时测试多个功率半导体的多脉冲测试电路及测试方法
    同时测试多个功率半导体的多脉冲测试电路及测试方法_中国长江三峡集团有限公司_202610048300.X
    本公开属于功率半导体测试技术领域，提供了一种同时测试多个功率半导体的多脉冲测试电路及测试方法，所述电路包括直流可调电源、充电开关、防反二极管、直流电容、电感、储能电池；直流电容的正极连接防反二极管的负极，直流电容的负极连接直流可调电源的负极...
    2026-04-23
  • 基于吸收谱e指数尾巴的半导体电场表征方法
    基于吸收谱e指数尾巴的半导体电场表征方法_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202610101961.4
    本申请提供了一种基于吸收谱e指数尾巴的半导体电场表征方法，该方法包括：获取待测样品的实际光谱，实际光谱为实际吸收谱或者实际表面光电压谱；设定电场值，根据电场值拟合得到拟合光谱，拟合光谱为拟合吸收谱或者拟合表面光电压谱，计算拟合光谱与实际光谱...
    2026-04-23
  • 一种GaN HEMT栅极高电压寿命测试验证方法
    一种GaN HEMT栅极高电压寿命测试验证方法_上海芯璨电子科技有限公司_202610128276.0
    本申请涉及半导体测试的技术领域，公开一种GaN HEMT栅极高电压寿命测试验证方法，包括以下步骤：搭建测试系统，测试系统包括测试电路和HTGB专业老化设备；将样品分为多组，每组样品数量相同；将所有组样品安装在测试子母板上并放入高温老化箱中，...
    2026-04-23
  • 一种大规模MOS管批量测试电路及系统
    一种大规模MOS管批量测试电路及系统_上海科技大学_202610308541.3
    本发明公开了一种大规模MOS管批量测试电路及系统，该测试电路包括行地址译码器、列地址译码器及测试单元阵列。行地址译码器用于输出行选通互补信号，列地址译码器用于输出列选通互补信号。测试单元阵列包括若干个按行和列排列的测试单元，每个测试单元包括...
    2026-04-23
  • SiC MOSFET结温在线采集电路及方法
    SiC MOSFET结温在线采集电路及方法_西安理工大学_202610346334.7
    本发明公开了SiC MOSFET结温在线采集电路，与待测SiC MOSFET连接进行结温采集，通过增设独立的栅极峰值电流采集电路并采用低频间歇式采样策略，使采样电阻大部分时间内处于非工作状态，抑制温升，从而保证了采样电阻阻值的稳定性，显著提...
    2026-04-23
  • 一种主机板测试装置
    一种主机板测试装置_郭冬梅_202311563616.5
    本发明公开了一种主机板测试装置，涉及主机板技术领域，包括主机板移动装置、装料装置、移动供料装置、插头安装装置、电源装置；本装置在对主机板安装了硬盘、显卡、芯片等零件后对主机板进行测试，使测试装置更加接近日常的使用状态，使测试更加完善。本装置...
    2026-04-23
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